「memory LSI」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

By introducing a delay adjustment value calculated from wire length information of each bit data signal and each data strobe signal between a system LSI 2 and a memory 3, a value obtained by adding a result of the access timing adjustment to the delay adjustment value is set as an access timing adjustment value for a bit data subjected to the access timing adjustment processing other than one-bit data.例文帳に追加

システムＬＳＩ２とメモリ３間の各ビットデータ信号およびデータストローブ信号の配線長情報から算出された遅延調整値の導入によって、アクセスタイミング調整処理をした１ビットデータ以外のビットデータに対しては、上記アクセスタイミング調整結果に、上記遅延調整値を加算した値をアクセスタイミング調整値として設定する。 - 特許庁

Fabrication process is simplified by forming a Co silicide layer 20 simultaneously on the surface of the gate electrode 7B, source, and drain (n^+-type semiconductor region 16) of an MISFET constituting a logic LSI, and on the surface of a polysilicon film 7 becoming the gate electrode of an MISFET for selecting the memory cell of a DRAM in a subsequent process.例文帳に追加

ロジックＬＳＩを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極７Ｂ、ソース、ドレイン（ｎ^＋型半導体領域１６）のそれぞれの表面と、後の工程でＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶シリコン膜７の表面とにＣｏシリサイド層２０を同時に形成することによって、製造プロセスの簡略化を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit, which is equipped with a metal fuse structure which is restrained from causing failure to it due to the fact that moisture penetrates through molding resin, when the defective bits of memory cells which form an LSI are substituted by redundant bits and a fuse-cutting device which cuts off the fuses of the same.例文帳に追加

ＬＳＩを構成するメモリセルの不良ビットを冗長ビットで代替した場合に、モールド樹脂を浸透してきた水分によって金属製ヒューズに起因する動作不良を起さないようにしたヒューズ構造を有する半導体集積回路装置およびそのような半導体集積回路装置のヒューズを切断するヒューズ切断装置を提供する。 - 特許庁

A frequency setting value for changing the frequency of a clock signal oscillated from an oscillation circuit 13 is stored in the nonvolatile memory 15 provided outside an LSI, when the frequency setting value is read from a clock signal with the initially set frequency oscillated from the oscillation circuit 13, it is stored in a dummy register 11.例文帳に追加

ＬＳＩの外部に設けられた不揮発性メモリ１５に、発振回路１３から発振されるクロック信号の周波数を変更するための周波数設定値が記憶されており、その周波数設定値が、発振回路１３から発振される初期設定された周波数のクロック信号によって読み出されると、ダミーレジスタ１１に格納される。 - 特許庁

The internal circuit 10 mounted on an LSI 100 includes an address controller 106 which monitors whether or not addresses of bus lines 111 and 112 are addresses in a predetermined specific address area while the CPU 101 executes the program stored in the external memory 20 and notifies the CPU of addresses in the specific address area when detecting them.例文帳に追加

ＬＳＩ１００に搭載された内部回路１０が、ＣＰＵ１０１での、外部メモリ２０に格納されたプログラムの実行中に、バスライン１１１，１１２のアドレスが、あらかじめ定められた所定のアドレス領域内のアドレスであるか否かをモニタし、所定のアドレス領域内のアドレスを検出したときにＣＰＵに通知するアドレスコントローラ１０６を含む。 - 特許庁

An inside state analyzing part 105 for evaluation is loaded on an LSI, and a detecting circuit 203 provided inside the inside state analyzing part 105 detects inside state transition based on inside state transition information stored in a memory 201, and a control circuit 202 judges the state detection based on the detected result of the detecting circuit 203, and outputs the judged result.例文帳に追加

ＬＳＩに評価用の内部状態解析部１０５を搭載し、内部状態解析部１０５の内部に設けられた検出回路２０３が、メモリ２０１に格納された内部状態遷移情報に基づいて内部状態遷移を検出し、制御回路２０２が、検出回路２０３の検出結果に基づいて状態検出判定を行って判定結果を出力する。 - 特許庁

The LSI module 1 is constituted by integrally molding a circuit part 3 at a time by directly arranging and directly wiring circuit components such as a CPU 4, a memory chip 5, and a peripheral circuit chip 6, on a base substrate formed of a thermoplastic resin film 16 and then laminating and pressing them, housing the circuit 3 in a case 2, and arranging a heat radiating mechanism 7 and a connector 9.例文帳に追加

ＬＳＩモジュール１を、熱可塑性樹脂フィルム１６で構成されるベース基板にＣＰＵ４，メモリチップ５や周辺回路チップ６などの回路部品を直接配置すると共に配線を直接施し、それらを積層し加圧及び加圧することで回路部３を一括で一体成形し、その回路部３をケース２に収納して放熱機構部７とコネクタ９と配置して構成する。 - 特許庁