「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile memory device including one switching element and one resistor, and provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

一つのスイッチング素子と一つの抵抗体とを含む不揮発性メモリ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method to add an annotation to contents stored in a medium (20) having memory (32) is provided.例文帳に追加

本発明の１つの態様は、メモリ（３２）を有する媒体（２０）を帯びる内容の注釈を付ける方法を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method for minimizing the use of a memory and/or the consumption of electric power in a display controller circuit.例文帳に追加

ディスプレイコントローラ回路におけるメモリの使用及び／又は電力の消費を最小限にするための簡単な方法。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device and its control method by which reliability of read operation can be improved.例文帳に追加

読み出し動作信頼性を向上できる不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an improved method of manufacturing a magnetic data track necessary for building a magnetic shift register memory device.例文帳に追加

磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスを構築するために必要な磁気データ・トラックを製造する改良した方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuse-free circuit, a fuse-free semiconductor integrated circuit, a fuse-free non-volatile memory system, and a fuse-free method.例文帳に追加

ヒューズフリー回路、ヒューズフリー半導体集積回路、ヒューズフリー不揮発性メモリ装置、及びヒューズフリー方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shape-memory polybutylene terephthalate film laminate, as well as the laminate and its application.例文帳に追加

形状記憶性を有するポリブチレンテレフタレートフィルム積層体の製造方法及び積層体とその用途を提供する。 - 特許庁

To provide a method of protecting access to a memory and other computer resources made by executing a process and a thread.例文帳に追加

プロセスおよびスレッドを実行することによるメモリおよび他のコンピュータリソースへのアクセスを保護する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an erasure method for a flash EEPROM which erases a memory cell by controlling accumulation of electric charge.例文帳に追加

電荷の蓄積を制御することによりメモリセルを消去するフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去方法を提供する。 - 特許庁

In this reception synchronization method, a signal strength detection section 15 detects some of peaks and timing values of a 1st frame and a memory 16 stores them.例文帳に追加

信号強度検出部１５は、第１フレームのピーク値、タイミング値をいくつか検出してメモリ１６に記憶する。 - 特許庁

To obtain a non-volatile memory and an operation method in which read-out operation of a bit line for replacement can be performed appropriately and quickly.例文帳に追加

置換用ビット線の読み出し動作を適切かつ迅速に行える不揮発性メモリおよび動作方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element including ruthenium electrode and its manufacturing method for maintaining a large capacitance.例文帳に追加

大きいキャパシタンスを確保するためにルテニウム電極を含む半導体メモリ素子とその製造方法とを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CONTAINER EQUIPPED WITH LID BODY MADE OF SHAPE MEMORY POLYBUTYLENE TEREPHTHALATE FILM LAMINATE AND CONTAINER WITH LID BODY例文帳に追加

形状記憶ポリブチレンテレフタレートフィルム積層体製蓋体を備えた容器の製造方法及び係る蓋体付き容器 - 特許庁

METHOD OF FORMING MEMORY CELL INCLUDING CAPACITOR THAT INCLUDES STRONTIUM TITANATE BASED DIELECTRIC LAYER, AND DEVICE OBTAINED THEREFROM例文帳に追加

チタン酸ストロンチウムベースの誘電体層を有するキャパシタを備えたメモリセルの形成方法およびそれから得られるデバイス - 特許庁

SUPERLATTICE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SOLID-STATE MEMORY INCLUDING THE SUPERLATTICE DEVICE, DATA PROCESSING SYSTEM, AND DATA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

超格子デバイス及びその製造方法、並びに、超格子デバイスを含む固体メモリ、データ処理システム及びデータ処理装置 - 特許庁

FLASH MEMORY DEVICE HAVING FUNCTION OF SELECTIVELY CHANGING PRECHARGE VOLTAGE FOR SENSING NODE, AND READ OPERATION METHOD THAREOF例文帳に追加

センシングノード用プリチャージ電圧を選択的に変更する機能を有するフラッシュメモリ装置及びその読出し動作方法 - 特許庁

To provide a memory access method which inputs data in a data stream system and outputs the data in a data block system.例文帳に追加

データストリーム方式でデータを入力し、データブロック方式でデータを出力するメモリのアクセス方法を提供する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING SEAMLESS SELF-REFRESH FOR DIRECTED BANK REFRESH OF VOLATILE MEMORY例文帳に追加

揮発性メモリの指示された（ｄｉｒｅｃｔｅｄ）バンクリフレッシュのためのシームレスセルフリフレッシュを提供する方法およびシステム - 特許庁

DATA TRANSFER RATE CONTROLLER FOR PERFORMING SETTING RELATED WITH MEMORY ACCESS, INFORMATION PROCESSOR, CONTROL METHOD, PROGRAM AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加

メモリアクセスに関する設定を行うデータ転送レート制御装置、情報処理装置、制御方法、プログラム、及び記録媒体 - 特許庁

STORAGE SYSTEM FOR DIRECTLY AND REDUNDANTLY WRITABLE NONVOLATILE MEMORY WITHOUT NEEDING USE OF REDUNDANT FIELD, AND WRITING METHOD THEREFOR例文帳に追加

直接重複書き込み可能で冗長フィールドの使用不要の非揮発性メモリの保存システム及びその書き込み方法 - 特許庁

To provide a direct tunneling semiconductor memory with a small cell size and excellent flatness, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

セルサイズが小さく、平坦性の良い直接トンネル型半導体記憶装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING INCREASED CONTACT AREA BETWEEN BOTTOM ELECTRODE CONTACT LAYER AND PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

下部電極コンタクト層と相変化層とが広い接触面積を持つ相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

In the method, a first plurality of electronic images are captured in the camera 10 and a memory 112 of the camera 10 is filled to the full capacity.例文帳に追加

この方法では、第１の複数の電子画像をカメラ１０に取り込み、カメラ１０のメモリ１１２を一杯に満たす。 - 特許庁

GERMANIUM PRECURSOR, GST THIN FILM FORMED BY UTILIZING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE THIN FILM AND PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたＧＳＴ薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子 - 特許庁

PHYSICAL COORDINATE TRANSFORMATION SYSTEM OF PHYSICAL ADDRESS OF MEMORY CELL, COORDINATE TRANSFORMATION METHOD AND RECORDING MEDIUM STORING COORDINATE TRANSFORMATION PROGRAM例文帳に追加

メモリセルの物理アドレス物理座標変換システム、座標変換方法及び座標変換プログラムを格納した記録媒体 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE, PHASE-CHANGE MEMORY INITIALIZATION METHOD AND INITIALIZATION CONTROL PROGRAM USED FOR THE SAME, AND PORTABLE ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子機器、該電子機器に用いられる相変化メモリ初期化方法及び初期化制御プログラム、並びに携帯用電子機器 - 特許庁

To provide a semiconductor device with flash memory cells and its manufacturing method which improves the yield with high reliability.例文帳に追加

歩留まりが向上して信頼性の高いフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for dynamically regulating a refresh rate of a memory module according to a computer system condition.例文帳に追加

コンピュータシステムの状態に応じてメモリモジュールのリフレッシュレートを動的に調節する方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

This method is used to provide a charge storage layer of a nonvolatile memory having a higher nanocrystal density.例文帳に追加

この方法は、より高いナノ結晶密度を有する不揮発性メモリの電荷格納層を提供するために使用され得る。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING HIGH-SPEED ADDRESS ACCESS TO MEMORY SPACE FROM COMPARATIVELY SMALL ADDRESS SPACE例文帳に追加

比較的に小さなアドレス空間からメモリ空間に高速アドレスアクセス（ａｄｄｒｅｓｓ）するための方法及び装置 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR AVOIDING LIE BLOCK CAUSED BY COLLISION OF INVALID TRANSACTION IN UNEQUAL MEMORY ACCESS SYSTEM例文帳に追加

不均等メモリ・アクセス・システム内で無効化トランザクションの衝突によって生じるライブロックを避けるための方法およびシステム - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a test mode in which defect of a boosting circuit system can be specified and its test method.例文帳に追加

昇圧回路系の不良特定を可能としたテストモードを有する半導体メモリ及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

METHOD, INTEGRATED CIRCUIT, SYSTEM AND COMPUTER PROGRAM FOR INITIALIZING PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, USING DIRECT MEMORY ACCESS例文帳に追加

直接メモリ・アクセスを使用してプログラマブル論理装置を初期化するための方法、集積回路、システム及びコンピュータ・プログラム - 特許庁

To provide a semiconductor storage device which tests a memory cell at a high speed with high precision and to provide a method therefor.例文帳に追加

高速かつ高精度にメモリセルを試験することができる半導体記憶装置およびその試験方法を提供する。 - 特許庁

DUTY CYCLE CORRECTION CIRCUIT CORRECTING DUTY CYCLE OF DATA, ITS METHOD, MEMORY INTEGRATED CIRCUIT WITH THE DUTY CYCLE CORRECTION CIRCUIT例文帳に追加

デ—タのデュ—ティサイクルを補正するデュ—ティサイクル補正回路及びその方法、デュ—ティサイクル補正回路を有するメモリ集積回路 - 特許庁

The method includes a memory circuit, and if requested, a signal processing circuit which is resident in the peripheral equipment.例文帳に追加

本手法は、メモリ回路、及び所望があれば周辺装置に常駐する信号処理回路を設けることを含む。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY CELL HAVING CELL DIODE AND BOTTOM ELECTRODE SELF-ALIGNED WITH EACH OTHER, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

互いに自己整合的に形成されたセルダイオード及び下部電極を有する相変化記憶セル及びその製造方法 - 特許庁

SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT COMPRISING QUANTUM POINT BETWEEN GATE ELECTRODE AND SINGLE ELECTRONIC STORAGE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a structure for supplying hydrogen easily and efficiently, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

水素供給が容易かつ効率的な構造を有する半導体記憶装置と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

CRYSTALLOGRAPHICALLY ALIGNED FERROELECTRIC FILM USABLE AS MEMORY AND METHOD FOR CRYSTALI,OGRAPHICALLY ALIGNING PEROVSKITE FILM例文帳に追加

メモリで利用可能な結晶学的に整列した強誘電性膜、およびペロブスカイト膜を結晶学的に整列する方法 - 特許庁

The method has steps (S21, S22) performing write before erasing for each memory cell and steps (S23, S24) performing erasing.例文帳に追加

各メモリセルに対して、消去前書き込みを行うステップ（Ｓ２１，Ｓ２２）と、消去を行うステップ（Ｓ２３，Ｓ２４）とを有する。 - 特許庁

WIRED-OR TYPE PAGE BUFFER HAVING CACHE FUNCTION, NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

キャッシュ機能を有するワイアードオアタイプのページバッファとこれを含む不揮発性半導体メモリ装置、およびその駆動方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory of which the miniaturization can be attained by decreasing the number of pads, and its testing method.例文帳に追加

パッドの少数化により小型化を可能とすることができる半導体装置及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁

FERROELECTRIC MATERIAL OR HIGH DIELECTRIC MATERIAL OR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THEM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電体材料あるいは高誘電体材料又はこれらを用いた半導体記憶装置及びその製造方法 - 特許庁

An economical double port memory can be used by a method and a system which interleave in a parallel turbo decoder.例文帳に追加

並列のターボ復号機中でインターリーブする方法とシステムによって、経済的な二重ポートメモリの使用を可能にした。 - 特許庁