| 意味 | 例文 |
memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14053件
To provide a phase-change memory device comprising a phase-change substance layer including phase-change nano particles and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a shape memory alloy tube which has a coated film layer with high adhesion properties on its internal periphery surface.例文帳に追加
内周面に密着性の高い被覆層を有する形状記憶合金チューブの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a data writing/reading system, a memory device, a method, and a computer-readable medium.例文帳に追加
データを書き込み及び読み取りするシステム、メモリ装置、方法、およびコンピュータで読み取り可能な媒体を提供すること。 - 特許庁
INFORMATION OUTPUTTING DEVICE, IMAGE OUTPUTTING DEVICE, IMAGE OUTPUTTING SYSTEM, ERROR CONTROLLING METHOD FOR IMAGE OUTPUTTING DEVICE, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
情報出力装置、画像出力装置、画像出力システム、画像出力装置のエラー制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
To provide a magnetoresistive memory device having a three- dimensional cell laminated structure suitable for high integration and a method for manufacturing it.例文帳に追加
高集積化に適した3次元のセル積層構造を持つ磁気抵抗メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data transfer method to a high-speed host device in a disk array device with a large-capacity cache memory.例文帳に追加
大容量のキャッシュメモリを搭載するディスクアレイ装置において、高速なホスト装置へのデータ転送方法を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor storage device and a method of manufacturing the same capable of improving insulating characteristics of a memory cell.例文帳に追加
メモリセルにおける絶縁特性が向上する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
According to such a method, the decrypted mask drawing data is prevented from remaining in the management server 22 and the operation memory 23a.例文帳に追加
このような方法によれば、復号化されたマスク描画データが管理サーバ22、演算メモリ23aに残ることはない。 - 特許庁
SYSTEM AND DEVICE FOR FINANCIAL TRANSACTION MANAGEMENT AND FINANCIAL TRANSACTION INSTRUCTING DEVICE, AND THEIR CONTROL METHOD AND COMPUTER-READABLE MEMORY例文帳に追加
金融取引管理システム、金融取引管理装置、金融取引指示装置及びそれらの制御方法、コンピュータ可読メモリ - 特許庁
To provide a nonvolatile ferroelectric memory device and a driving method capable of minimizing a chip cycle time.例文帳に追加
チップサイクルタイムを最小化することができる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for integrating a nonvolatile memory and a high performance logic circuit network in the same semiconductor chip.例文帳に追加
不揮発性メモリ及び高性能論理回路網を同じ半導体チップにおいて集積する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and device for reducing a size and a memory bandwidth required about a display list.例文帳に追加
表示リストに関して必要とされるサイズ及びメモリ帯域幅を低減するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁
LOGIC AND METHOD FOR ATOMICAL TESTING, SETTING OR CLEARING OF ONE OR MORE BIT STORED IN MEMORY LOCATION例文帳に追加
メモリ・ロケーションに記憶された1つまたは複数のビットのアトミカルなテスティングおよびセッティングまたはクリアリングの論理及び方法 - 特許庁
To provide a phase transition memory element provided with a phase transition substance layer including phase transition nano-particles and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
相転移ナノ粒子を含む相転移物質層を備える相転移メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device hardly causing interference between memory cells even if they are miniaturized; and a method for manufacturing thereof.例文帳に追加
微細化してもメモリセル間の干渉が少ない不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a system, a method and a program capable of developing and drawing a virtual frame even with a small memory capacity.例文帳に追加
少ないメモリ容量でも仮想フレームを展開し描画することができるシステム、方法およびプログラムを提供する。 - 特許庁
USING ORDER SETTING METHOD OF WORKING TOOL, USING ORDER SETTING PROGRAM OF WORKING TOOL AND MEMORY MEDIUM MEMORIZING THEM例文帳に追加
加工工具の使用順序設定方法、加工工具の使用順序設定プログラム及びこれを記憶した記憶媒体 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory having no short-circuiting between an upper and a lower electrode, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
上部及び下部電極がショートしない強誘電体メモリ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
STRUCTURAL MEMBER USING MAGNETIC SHAPE-MEMORY ALLOY COMPOSITE MATERIAL AND METHOD FOR NONDESTRUCTIVE INSPECTION AND RESTORATION OF DAMAGE OF MEMBER例文帳に追加
磁性形状記憶合金複合材料を用いた構造部材と該部材の損傷の非破壊検査および修復方法 - 特許庁
To provide a driving method of a semiconductor memory which increases signal differences while reducing the amplitude of the bit line potential.例文帳に追加
ビット線電位の振幅を小さくしながら、信号差を増大可能な半導体記憶装置の駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a contact plug of a semiconductor element in which a source/drain contact plug, such as a NAND flash memory is formed.例文帳に追加
ナンドフラッシュメモリ等のソース/ドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子のコンタクトプラグ製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a testing method for a non-volatile memory in which reliability is kept, a cycle time is shortened, and a manufacturing cost is reduced.例文帳に追加
信頼性を維持しつつ、サイクル時間短縮およびコスト削減を図った、不揮発性メモリ検査方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a particle moving type display device having improved display characteristics, display stability and memory properties.例文帳に追加
表示特性、表示安定性およびメモリ性が向上した粒子移動型表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for a credit card and debit card transaction terminal including a processor, a display, and a memory.例文帳に追加
プロセッサ、ディスプレイ及びメモリを含むクレジットカード及びデビットカード取引端末のための方法と装置を提供する。 - 特許庁
To provide an image processing device which can reduce the number of times of access to an image memory, and to provide a method for processing an image.例文帳に追加
画像メモリのアクセス回数を削減することができる画像処理装置および画像処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile memory device having a high integration degree, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は、集積度が高い不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that achieves a high density of memory region, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
メモリ領域の高密度化を図ることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To reduce the time for calculating a repair method for repairing a defective cell of a main memory cell array using a spare cell array.例文帳に追加
メインメモリセルアレイの不良セルをスペアセルアレイで救済する救済方法を算出する時間を短縮すること。 - 特許庁
To provide a multiple pulse generation device and a pulse generation method for generating a plurality of pulses by using a memory element.例文帳に追加
メモリ素子を用いて複数個のパルスを生成しうる多重パルス生成装置及びパルス生成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for preventing agglomeration of a variable resistance memory device and achieving a temperature stability thereof.例文帳に追加
抵抗可変メモリ・ディバイスのアグロメレーション防止および温度安定性を実現する方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus and method which eliminates memory waste caused by incompatibility in data format.例文帳に追加
データフォーマットの互換性がないことによって生じるメモリの浪費を解決した画像処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE CAPABLE OF ADJUSTING BIT LINE SENSING MARGIN TIME FOR TEST MODE, ITS BIT LINE SENSE AMPLIFYING METHOD AND CONTROLLER例文帳に追加
テストモード用ビットラインセンシングマージン時間の調節が可能なメモリ装置、そのビットラインのセンス増幅方法及び制御装置 - 特許庁
FERROELECTRIC CAPACITOR AND FERROELECTRIC MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD OF BOTH ELEMENTS例文帳に追加
強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリの製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ - 特許庁
To provide an ideal steel frame joining method in an steel structure or the like using a specified iron based shape memory alloy.例文帳に追加
特定の鉄系形状記憶合金を用いた理想的な鋼構造物等における鉄骨接合法を提供する。 - 特許庁
MEMORY CELL, METHOD OF CLEARING INFORMATION STORED IN THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE APPARATUS WITH THE SAME例文帳に追加
メモリセル、このメモリセルに記録された情報の消去方法、及びこのメモリセルを備える不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
To provide a ferroelectric memory where high reliability is obtained without increasing the area of a capacitor, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
キャパシタの面積を増加させずに高い信頼性が得られる強誘電体メモリとその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory element which has one transistor and one resistor as a data storage means, and its driving method.例文帳に追加
1つのトランジスタとデータ貯蔵手段として1つの抵抗体を備えるメモリ素子及びその駆動法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor memory device and a word line addressing method in which neighboring word line are discontinuously addressed are disclosed.例文帳に追加
隣合うワードラインが非連続的にアドレッシングされる半導体メモリ装置及びワードラインアドレッシング方法が掲示される。 - 特許庁
To provide an easily operable information processor, a control method thereof and a computer-readable memory.例文帳に追加
装置の操作を容易に実行することができる情報処理装置及びその制御方法、コンピュータ可読メモリを提供する。 - 特許庁
ESTIMATION METHOD AND PROGRAM FOR COATING FILM IRREGULARITY, COMPUTER READABLE MEMORY MEDIUM AND ESTIMATION DEVICE FOR COATING FILM IRREGULARITY例文帳に追加
塗膜ムラの予測方法、塗膜ムラ予測プログラム、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体及び塗膜ムラ予測装置 - 特許庁
To provide a method and apparatus for generating current-voltage characteristic information for a non-volatile memory bit cell.例文帳に追加
不揮発性メモリビットセルに対する電流−電圧特性情報を生成するための方法および装置を提供する。 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING LOCAL CONTROL GATE ON A PLURALITY OF ISOLATED WELL REGIONS AND RELATED METHOD AND SYSTEM例文帳に追加
複数の分離されたウェル領域上のローカルコントロールゲートを含む不揮発性メモリ装置及び関連する方法とシステム - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING ACTUAL WRITE LATENCY AND ACCURATELY ALIGNING START OF DATA CAPTURE WITH ARRIVAL OF DATA AT MEMORY DEVICE例文帳に追加
実ライトレイテンシーを測定しデータキャプチャの開始をデータのメモリ装置への到着に正確にアライメントする方法および装置 - 特許庁
To provide a sensing circuit of a ferroelectric memory improved for shortening an access time and a detecting method.例文帳に追加
アクセス時間を短縮するべく改良された強誘電体メモリの検知回路、並びに検知方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加
抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁
CLIENT SERVER SYSTEM, DRIVER INSTALLING METHOD, MEMORY MEDIUM STORING PROGRAM READABLE BY COMPUTER, AND PROGRAM例文帳に追加
クライアントサーバシステムおよびドライバインストール方法およびコンピュータが読み取り可能なプログラムを格納した記憶媒体およびプログラム - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING RESISTANCE MATERIAL AND INNER ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME例文帳に追加
抵抗物質および内部電極を使用する不揮発性メモリ装置、これの製造方法、およびこれを含むプロセシングシステム - 特許庁
TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAME例文帳に追加
トランジスタ、及び、同トランジスタの製造方法、及び、不揮発性記憶素子、及び、同記不揮発性記憶素子を備えた半導体装置 - 特許庁
To obtain a semiconductor memory element for obtaining high-speed and low power characteristics, and a method for manufacturing this.例文帳に追加
本発明は、高速及び低電力の特性が得られる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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