「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(183ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a method of testing a semiconductor memory device having a high degree of freedom in setting conditions of a stress test, and detecting various defects.例文帳に追加

ストレス試験の条件設定の自由度が大きく、様々な欠陥を検出可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の試験方法を提供することである。 - 特許庁

To disclose a single tunnel gate oxidation method for fabricating a NAND memory string where a gate oxide (24) of select transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物（２４）を単一の酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を開示する。 - 特許庁

To provide a memory writing system and method achieving optimization of communication efficiency and a writing speed by determining an optimum data amount per data transmission of one time to one memory writer.例文帳に追加

１つのメモリライタへの１回のデータ送信当たりの最適なデータ量を決定して通信効率と書き込み速度の最適化を可能にしたメモリ書き込みシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory for suppressing the decrease of a reading margin due to the increase of the threshold voltage of a cell in which code ion implantation is not operated, and a method for manufacturing the semiconductor memory.例文帳に追加

コードイオン注入を行わないセルの閾値電圧が高くなり読み出しマージンが小さくなることを抑制する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory adapted to inhibit a leakage current betwwen a gate electrode with sidewall insulating films and an ohmic electrode opposite to the gate electrode, and to provide a method of manufacturing the flash memory.例文帳に追加

側壁絶縁膜を有するゲート電極とゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide particular performance data that are not generally obtained by a large-scale integrated testing method by evaluating the performance characteristic of each memory cell in particular about a random access memory cell.例文帳に追加

ランダム・アクセス・メモリ・セルに関し、特に、個々のメモリ・セルの性能特性を評価し、それによって、一般に大規模統合テスト方法では得られない特定の性能データを与える。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing spectacle frame by inserting a member for the spectacle frame made of shape memory alloy to a pipe and connecting it with the pipe by utilizing a shape memory effect.例文帳に追加

形状記憶合金製の眼鏡フレーム用部材をパイプに挿入し、形状記憶効果を利用してパイプと結合させることで、眼鏡フレームを簡単に製造しうる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access controller capable of avoiding processing suppression of a processor and discarding of a request packet and capable of efficiently and reliably executing processing, and to provide a memory access control method.例文帳に追加

プロセッサの処理抑制やリクエストパケットの破棄を回避し、効率よく、かつ確実に処理を実行することができるメモリアクセス制御装置およびメモリアクセス制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of changing the direction of a current of a variable resistive element, and executing erasing (resetting) in a memory cell string unit, and its data erasing method.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流の向きを変えることができ、メモリセル列単位で消去（リセット）することができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rewritable nonvolatile memory allowing electronic equipment to always start, and to provide the electronic equipment, and a rewriting method and a rewriting program for the rewritable nonvolatile memory.例文帳に追加

電子機器が常に起動することが可能となる書き換え可能な不揮発性メモリ、電子機器、書き換え可能な不揮発性メモリの書き換え方法、及び書き換えプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device capable of reducing a leak current at an interface between a lower electrode and a ferroelectric film, and the ferroelectric memory device.例文帳に追加

下部電極と強誘電体膜との界面におけるリーク電流を低減できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

According to the programming method of the NAND flash memory device of the invention, a selection transistor is programmed by a thermal electron injection system, and a selected memory cell is programmed by using F-N tunneling.例文帳に追加

本発明のＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のプログラム方法は、選択トランジスタを熱電子注入方式でプログラムし、選択されたメモリセルをＦ−Ｎトンネルリングを用いてプログラムする。 - 特許庁

To provide a memory control device and method capable of executing an auto-refresh cycle and a memory cycle for SRAM in parallel by sharing an address bus and a data bus for SDRAM and SRAM.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭおよびＳＲＡＭのアドレスバス、データバスを共通化して、オートリフレッシュサイクルと、ＳＲＡＭに対するメモリサイクルを並行して実施可能なメモリ制御装置および方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method that can control resistance increase of a control gate, and can control unclear threshold voltage Vth of a memory cell.例文帳に追加

コントロールゲートの抵抗上昇を抑制でき、かつメモリセルのしきい値電圧Ｖｔｈボケを抑制できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processor device, an information processing apparatus, and a memory management method capable of dynamically performing memory management while improving the flexibility in design of a calculation program.例文帳に追加

計算プログラムの設計上の自由度を向上させるとともに、動的にメモリ管理を行うことができるプロセッサ装置、情報処理装置及びメモリ管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which can perform efficiently the test of a data hold characteristic of a ferroelectric nonvolatile memory highly accurately and with less samples, and its testing method.例文帳に追加

強誘電体不揮発性メモリのデータ保持特性の試験を、高精度かつ少ないサンプル数で効率的に行える半導体不揮発性記憶装置およびその試験方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device driving circuit utilizing measurement for controlling current and a method for adjusting the driving current of the phase change memory device utilizing measurement.例文帳に追加

電流を制御するために測定を利用する相変化メモリ装置駆動回路及び測定を利用して相変化メモリ装置の駆動電流を調節する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing a command cancel (CC) function on a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor device for enhancing reliability and speed of a memory system.例文帳に追加

メモリ・システムの信頼性および速度を向上させるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）半導体デバイス上でコマンド取消し（ＣＣ）機能を実行するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dynamic memory management device, a dynamic memory management method, a program, a recording medium with the program recorded thereon and a portable terminal by which garbage collection scarcely affects a task.例文帳に追加

ガーベッジコレクションがタスクに殆ど影響を与えない動的メモリ管理装置と動的メモリ管理方法、プログラムとこれを記録した記録媒体、および、携帯端末を提供すること。 - 特許庁

By the method 2 of processing, game data at that point of time are stored in a memory, the arrival of the incoming call is noticed, the game data are read from the memory after the end of a speech and the game processing is restarted.例文帳に追加

その２は、その時点におけるゲームデータをメモリに保存し、着信通知を行い、通話終了後にメモリからゲームデータを読み出しゲーム処理を再開する方法である。 - 特許庁

To provide a controller, a memory card and its control method for normally making a response to host equipment which issues a command in a sequence which is not suitable for the specifications of a memory card.例文帳に追加

メモリカードの仕様に合わないシーケンスでコマンドを発行してくるホスト機器に対して、正常に応答することが可能なコントローラ、メモリカード及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To suppress increase in time required for diagnostic processing and to diagnose the entire areas in a memory about a memory diagnostic method, a microcomputer system and a program.例文帳に追加

本発明は、メモリ診断方法、マイクロコンピュータシステム及びプログラムに関し、診断処理にかかる時間の増加を抑え、且つ、メモリ内の領域全域を診断可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a fault-tolerant address logic in which access can be performed for a main memory even when some address line can not be used, in a method addressing a solid state memory having address logic.例文帳に追加

アドレスロジックを有する固体メモリをアドレスする方法において、あるアドレスラインが使用不可能である場合であってもメインメモリにアクセス可能なフォールトトレラントなアドレスロジックを提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory and its erasing method in which the dispersion of the threshold values of memory cells after erasing can be reduced and the increment of erasing time and the like can be suppressed.例文帳に追加

消去後のメモリセルのしきい値のばらつきの低減、消去時間の増加の抑制等が可能な不揮発性半導体記憶装置及びその消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide an erasure method of a nonvolatile memory device, in which an even bit line and an odd bit line are simultaneously selected and verified when verifying the erasure of the nonvolatile memory device.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリ素子の消去を検証する時、イーブンビットラインとオードビットラインを同時に選択して検証する不揮発性メモリ素子の消去方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a non-volatile memory cell that can be driven at a low voltage and is capable of high-speed program and high-density integration, and its usage, a manufacturing method, and a non-volatile memory array.例文帳に追加

低電圧駆動および高速プログラムならびに高密度集積の可能な不揮発性メモリセルおよびその使用方法、製造方法ならびに不揮発性メモリアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a memory device with a highly versatile structure in which various kinds of memory devices can be manufactured per unit time and a stacked semiconductor substrate, and to provide a method of manufacturing them.例文帳に追加

多様な種類のメモリデバイスを単位時間あたりにより多く製造できるような汎用性の高い構造を備えたメモリデバイス、積層半導体基板、これらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive data processor of high reliability capable of preventing the reliability from getting low, even when using a memory chip having 16 bits of width, and a memory correction method therefor.例文帳に追加

低価格でありながら信頼性が高く、かつ、１６ビットの幅を持つメモリチップを使用しても信頼性が低下しないデータ処理装置及びそのメモリ訂正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory unit having a structure for improving the yield in the production process of a semiconductor memory unit by forming a contact plug in high yield, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

コンタクトプラグを高い歩留まりにて形成し、半導体記憶装置の製造過程における歩留まりを向上させる構造の半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of storing data transferred from an I/O device, a network, or a disk into a portion of the cache or other fast memory, without also writing it to the main memory is provided.例文帳に追加

本発明は、Ｉ／Ｏ装置、ネットワーク、又はディスクから転送されたデータを、メイン・メモリにも書き込むことなく、キャッシュの一部又は他の高速メモリに記憶する方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes compiling the code according to the code placement and writing the code to the memory for subsequent loading from the memory to the cache according to the code placement to further reduce power consumption at the cache.例文帳に追加

コード配置に従ってコードがコンパイルされ、キャッシュでの電力消費を更に削減するために、メモリからキャッシュへ以後ロードするコードがコード配置に従ってメモリに書き込まれる。 - 特許庁

To provide a writing circuit for a nonvolatile memory, a personal digital assistant and a data writing method for the nonvolatile memory capable of reducing electric power consumption when preventing a file system from being damaged.例文帳に追加

ファイルシステムの破壊を防ぐ場合に消費電力の低減が可能な不揮発性メモリ書き込み回路、携帯型情報端末及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory, having magnetic layers having patterns arranged finely and regularly and is capable of easily enhancing recording density, to provide a magnetic storage device, and to provide a manufacturing method of the magnetic memory.例文帳に追加

微細かつ規則的な配列パターンの磁性層を有し、記録密度の向上を容易に図ることができる磁気メモリ、磁気記憶装置及び磁気メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory resource arrangement control method, a virtual machine system and a program for enlarging and reducing a memory which can be used by a virtual machine without restarting an operating system.例文帳に追加

オペレーティングシステムの再起動をすることなく、仮想マシンで使用できるメモリの拡大縮小を可能とするメモリ資源配置制御方法、仮想マシンシステム及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To ensure stability of a memory device and eliminate insufficient power, etc., by providing a semiconductor memory device using a method of selectively driving a negative word line.例文帳に追加

選択的にネガティブワード線駆動方式を用いた半導体メモリ装置を提供してメモリ装置の安定性を確保し、かつ、パワー不足の現象などを解決することを課題とする。 - 特許庁

To provide a circuit and an operation method of the sama where data is stably input and output between a semiconductor memory device controller and a semiconductor memory device even if data phase changes.例文帳に追加

データの位相が変動しても、半導体メモリ装置コントローラと半導体メモリ装置との間で安定的にデータが入出力される回路および動作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device for accumulating and reproducing semiconductor memory image, which can normally reproduce image data in the event of a failure of a memory chip, and a data writing/reading method.例文帳に追加

メモリチップが故障した場合であっても、映像データを正常に再生することが可能な半導体メモリ映像蓄積再生装置及びデータ書込み／読出し方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a predistortion compensation circuit which has more reduced hardware configuration and surely reduces memory effect distortion in a power amplifier, and to provide a memory effect distortion compensation method for the power amplifier.例文帳に追加

より少ないハードウエア構成で確実に電力増幅器におけるメモリ効果歪みを低減できる前置歪み補償回路及び電力増幅器のメモリ効果歪み補償方法を得る。 - 特許庁

To provide an information processing system for improving system performance by suppressing reading of unnecessary instructions from an external memory, a cache memory control method, a program and a compiler.例文帳に追加

外部メモリからの不要な命令のリードを抑止することにより、システムの性能を向上することができる情報処理システム、キャッシュメモリの制御方法、プログラム及びコンパイラを提供すること - 特許庁

To provide a chip selection switching circuit and a memory structure automatic identifying method, capable of realizing terminal functions by the same program, even in the case of different memory structure.例文帳に追加

本発明は、異なるメモリ構成であっても同一のプログラムで端末機能を実現できるチップセレクト切り替え回路及びメモリ構成自動識別方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an optical buffer memory device which accumulates a string of optical pulse signals without applying electric conversion thereto and which is used at normal temperature, and also to provide an optical signal recording method to realize the optical buffer memory device.例文帳に追加

光パルス信号列を電気変換を行うことなく蓄積し、常温で使用が可能な光バッファメモリ装置及びそれを可能とする光信号記録方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device which has resistance to an error in general such as a timing error and a software error, and is guaranteed in reading a cell value correctly, and a memory read error detection method.例文帳に追加

タイミングエラーやソフトエラーなどのエラー全般への耐性を持ち、セルの値を正しく読み出すことを保証されたメモリ装置、およびメモリ読み出しエラー検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a redundancy opperating method and a redundancy opperating device capable of shortening a period of time needed for the failure recovery of a memory device, and to provide a memory testing device with the redundancy opperating device.例文帳に追加

メモリデバイスの不良救済に要する時間を短縮することができるリダンダンシ演算方法及び装置並びに当該装置を備えるメモリ試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein elements in the peripheral circuit are further microfabricated for improvement in the degree of integration without degradation in the charge retention characteristics of the memory cell, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル部の電荷保持特性を劣化させずに周辺回路部の素子の微細化、集積度の改善が可能となる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁