「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated memory device which can prevent deterioration in performance of the refresh operation of a first memory caused by influence of a heat radiated from other memories different from the first memory in a plurality of memories, and to provide its refresh operation control method.例文帳に追加

複数のメモリの内の第１メモリとは異なる他のメモリが放出する熱の影響を受けて、第１メモリのリフレッシュ動作の性能が劣ることを防止することができる積層型メモリ装置及びそのリフレッシュ動作制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for erasing a NAND flash memory, which prevents an influence on the memory cells of word lines adjacent to word lines subjected to data erasure and simultaneously erases data in the memory cells of at least one word lines in a short period.例文帳に追加

データ消去するワード線に隣接するワード線のメモリセルへの影響を防止しかつ短時間で少なくとも１本のワード線のメモリセルのデータを同時に消去することができるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの消去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory access control device which achieves reduction of a data transfer amount and a memory usage amount, and reduces a load of an image processing device, to thereby improve a processing throughput of a whole system, and also to provide such a memory access control method.例文帳に追加

データ転送量とメモリ使用量の削減、及び画像処理装置における負荷を軽減してシステム全体の処理スループットの向上を実現できるメモリアクセス制御装置及びそのようなメモリアクセス制御方法を提供すること。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell to be read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell to be read with a reference current that can be dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory, and its fabricating method, in which deterioration of the characteristics is suppressed even if a semiconductor memory element of microsize is fabricated in the plane of a semiconductor substrate and recording operation of 2 bits per unit memory element is ensured.例文帳に追加

半導体基板面内における半導体記憶素子のサイズの微細化を行っても、特性の劣化が少なく、かつ、単位記憶素子あたり２ビットの記録の動作が可能な不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling flash memory access in a memory system configured to use concurrent operation in different flash memory arrays and allowing performance to be easily changed in systems supporting concurrent flash operations in different flash arrays.例文帳に追加

異なるフラッシュメモリアレイでの同時オペレーションを使用するように構成されたメモリシステムで、フラッシュメモリアクセスを制御し、異なるフラッシュアレイでの同時フラッシュオペレーションをサポートするシステムで、性能を簡単に変更できるようにする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for highly reliable memory control which allow the device having a memory mounted to operate normally without malfunctioning when source voltage is interrupted during the writing of data to the memory and later recovers to a specific value.例文帳に追加

メモリにデータを書込み中に電源電圧が切断され、その後、所定値に復帰した場合、上記メモリが搭載された装置が誤動作せず、正常に稼動することのできる信頼性の高いメモリ制御装置およびメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a ferroelectric non-volatile semiconductor memory capable of effectively preventing the characteristic deterioration of a memory cell and peeling from an electrode of a ferroelectric layer even when heat is applied to the memory cell in a manufacturing process.例文帳に追加

製造プロセスにおいてメモリセルに熱が加えられた場合にあっても、メモリセルの特性劣化や強誘電体層の電極からの剥離を効果的に防止し得る強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method or a corresponding device for controlling memory access in which the certain number of standby states is determined about a central controller (CPU) for performing memory access to memory devices (FLASH/ROM, RAM, IO module).例文帳に追加

本発明は、メモリ装置（ＦＬＡＳＨ／ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＩＯモジュール）にメモリアクセスするために、中央制御装置（ＣＰＵ）についてある数の待ち状態が決定される、メモリアクセスを制御するための方法もしくは対応する装置に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device, in which the increasing of chip size can be prevented and an arranging method for the device by preventing the increment of the number of column selection signal lines arranged between memory cell array blocks, even if the capacity of a memory cell array block is increased.例文帳に追加

メモリセルアレーブロックの容量が増加してもメモリセルアレーブロック間に配置されるコラム選択信号ラインの数が増加しないようにすることによりチップサイズの増加を防止できる半導体メモリ装置並びに装置の配置方法を提供する。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell being read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell being read with the reference current dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、上記読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

The method for mounting the circuit comprises the steps of providing a recess on a board 10a, mounting a chip size-packaged(CSP) memory IC 11 in the recess, and mounting a memory IC 13 by a TSOP on the board 10a so as to cover the memory IC 11 and an upper part of the recess.例文帳に追加

基板１０ａに凹部を設け、その凹部内にチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）されたメモリＩＣ１１を実装し、かつ、ＴＳＯＰによるメモリＩＣ１３を、メモリＩＣ１１及び凹部の上部にそれを覆うように基板１０ａ上に実装する。 - 特許庁

To provide a rewritable nonvolatile memory 1 in which the decision precision of a data sum check on a memory is increased by stabilizing the memory state of a unused 2nd data storage area 2B in a data storage area 2 and its abnormality deciding method.例文帳に追加

データ格納領域２で使用されていない第２データ格納領域２Ｂのメモリ状態を安定させて、メモリのデータサムチェックの判定精度を高めることができる書換え可能な不揮発性メモリ１およびその異常判定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a system for managing memory, which can effectively utilize the unutilized capacity of more than a half of the memory during the execution of an application program when the memory is reserved and guaranteed for executing the application program run on a computer system.例文帳に追加

計算機システム上で動作するアプリケーションに対して、実行に必要なメモリの獲得を予約によって予め保証した場合、実行時にシステムのメモリに余裕があっても、予約分以上のメモリを利用できないため、メモリ使用効率が悪い。 - 特許庁

The method of manufacturing the shape memory alloy has a shape memory step S1 of immersing an alloy material into a molten alkali metal having a shape memory temperature capable of forming a high temperature phase stable at a temperature higher than a temperature at which a martensitic phase is stable.例文帳に追加

この形状記憶合金の製造方法は、マルテンサイト相が安定な温度よりも高温で安定な高温相を形成可能な形状記憶温度の溶融アルカリ金属に、合金材料を浸漬する形状記憶工程Ｓ１を有する。 - 特許庁

The driving method of a nonvolatile memory device includes: a step in which a structural position of a memory cell to be driven is determined; and a step in which driving is made under driving conditions, which correspond to the distribution of threshold voltages which belong to the memory cell, according to the result of the determination.例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の駆動方法は、駆動されるメモリセルの構造的な位置を判別するステップと、前記判別結果により、前記メモリセルに属したしきい電圧の分布に応じる駆動条件で駆動するステップと、を含む駆動方法。 - 特許庁

A method includes a process for generating a first order vector corresponding to a first entry in an operation order queue that corresponds to a first memory operation and a process for preventing a subsequent memory operation from completing until the first memory operation completes.例文帳に追加

１つの第１メモリ操作に対応する操作順序キュー内の第１エントリに対応する１つの第１順序ベクトルを発生する工程と、第１メモリ操作が完了するまで、１つの後のメモリ操作を完了させないようにする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a cache memory device which can smoothly freeze ≥2 ways without decreasing the throughput of a cache memory although its circuit constitution is simple and realize a cache memory function complying with needs and its control method.例文帳に追加

簡素な回路構成を備えながらも、キャッシュメモリのスループットを低下させることなく２以上のウエイを対象に円滑なフリーズ処理が実行でき、ニーズに対応したキャッシュメモリ機能が実現できるキャッシュメモリ装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a shape memory alloy, for securely improving corrosion resistance of the shape memory alloy without deteriorating its shape memory effect and biocompatibility, and can suppress elution of Ni ions causing a metal allergy.例文帳に追加

形状記憶効果や生体適合性を損なうことなく確実に耐食性を向上することができ、金属アレルギーの原因となるＮｉイオンの溶出を抑制することが可能な形状記憶合金の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a memory system which perform standing-by in low power consumption when there is no need for read/write access and perform access without a delay when read/write access is required, and to provide a refresh control method for a semiconductor memory device.例文帳に追加

リードライトアクセスが必要ないときに低消費電力で待機すると共に、リードライトアクセスが必要になったときに遅滞なくアクセスできる半導体記憶装置、メモリシステム及び半導体記憶装置におけるリフレッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mobile communication terminal which has a function of facilitating the management of the memory dials of an enormous number of matters capable of easily recognizing the memory dials registered by mistake, a memory dial management method, and a storage medium having the program recoded therein.例文帳に追加

誤って登録されているメモリダイヤルが容易に認識でき、膨大な件数のメモリダイヤルの管理を容易にする機能を搭載した移動体通信端末、メモリダイヤル管理方法およびそのプログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a memory test system and method, in which the burden put on the user who sets a fail memory is reduced, also a cause of abnormality can be investigated in a short time as well.例文帳に追加

フェイルメモリの設定を行うユーザの負担軽減を図るとともに、異常時の原因究明を短時間で行うことができるメモリ試験システム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for printing variable data which add a performance required for optimizing a raster image processor (RIP) memory that employs memory bands in a page edition process.例文帳に追加

ページ編集プロセス内のメモリバンドを用いた、ラスタイメージプロセッサ（ＲＩＰ）メモリの最適化に要求される性能を追加する、可変データ印刷のための方法及び装置に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which is capable of supplying a stable voltage to a memory and communicating wirelessly in writing data into a memory, and a driving method thereof.例文帳に追加

メモリへのデータの書き込みを行う際に、メモリへの安定した電圧の供給を行うことができ、なおかつ無線での通信が可能な半導体装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for managing frame memory by which encoding can be controlled easily by realizing a frame synchronizer having a small frame memory capacity, when nonstandard video signals are inputted.例文帳に追加

非標準映像信号が入力された場合に、少ないフレームメモリ量でフレームシンクロナイザを実現し、符号化制御が容易なフレームメモリ管理方法及びフレームメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, and a control method therefor, in which the write operation of a multilevel data is controlled in consideration of the influence of capacity between floating gates of adjacent memory cells.例文帳に追加

隣接するメモリセルのフローティングゲート間容量の影響を考慮して多値データの書き込み動作を制御する不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁

A device, a system, a method, and a product work for detecting an input/output access action associated with a configuration memory address and a first memory address bit size.例文帳に追加

装置及びシステム、及び方法並びに製品は、コンフィギュレーションメモリアドレス及び第一のメモリアドレスビットサイズに関連される入力／出力アクセス動作を検出するために動作する。 - 特許庁

To provide a method for recording a novel non-volatile solid-state magnetic memory so as to provide the novel non-volatile solid-state magnetic memory which can be put to practical use by power saving.例文帳に追加

省電力で実用に供することのできる新規な不揮発性固体磁気メモリを提供すべく、前記新規な不揮発性固体磁気メモリに対する記録方法を提供する。 - 特許庁

When the write-in mask information signal has contents that a present write-in operation is not to be masked, data are written in proper memory cells in the memory circuit by the conventional method.例文帳に追加

書込みマスク情報信号が現在の書込み動作をマスクすべきでないという内容の時は、データを従来の方法によってメモリ回路内の適切なメモリセルに書込む。 - 特許庁

To provide a page buffer circuit of a flash memory device, in which a fail of programming operation can be reduced, and to provide a program operation method thereof, while allowing a memory cell determined to be programmed in a previous program verification process to be verified again in a next program verification process.例文帳に追加

前のプログラム検証過程でプログラムされたと判定されたメモリセルが次のプログラム検証過程で再検証できるようにし、プログラム動作のフェールを減少させる。 - 特許庁

To improve the transmission method for transmitting a designated part of map information stored in a 1st map information memory device to a 2nd map information memory device.例文帳に追加

第１の地図情報記憶装置に記憶された地図情報の指定された一部の地図情報を第２の地図情報記憶装置に転送する方法を改善することを目的とする。 - 特許庁

The program rewriting method has a first rewriting process for inputting a first rewriting program 19 to the electronic appliance 10 through the external memory connection terminal 13a, and storing it into the program storing memory 15.例文帳に追加

外部メモリ接続端子１３ａを介して第１の書き換え用プログラム１９を電子機器１０に入力しプログラム格納用メモリ１５に格納する第１の書き換え工程を備える。 - 特許庁

In this memory control method, when the CPU specifies the protection area based on the control information, the access control means prohibits the control of the program stored in the non-volatile memory.例文帳に追加

このメモリ制御方法は、ＣＰＵが制御情報に基づいて保護領域を特定した場合、アクセス制御手段は不揮発性メモリに記憶されるプログラムの制御を禁止する。 - 特許庁

To provide a titanium oxide particle that can exhibit conventionally nonexistent novel physical properties, an optical information recording medium, a method for producing the same, and a magnetic memory and charge storage memory using the same.例文帳に追加

従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン粒子、光情報記録媒体及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ及び電荷蓄積型メモリを提供する。 - 特許庁

To provide an electronic device that enforces a preventive function for unauthorized use because of the leakage of the content stored in the external memory such as a memory card or the like, and to provide a method and a program for preventing the unauthorized use.例文帳に追加

メモリカード等の外部メモリの保管内容の漏洩による不正利用に対しての防止機能の強化を図った電子機器、不正利用防止方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a memory management method suitable for updating software by a differential file to a nonvolatile memory wherein write is performed by a block unit, and portable terminal equipment using it.例文帳に追加

ブロック単位に書き込みが行われる不揮発性メモリに対する差分ファイルによるソフト更新に適したメモリ管理方法およびこれを用いた携帯端末装置を提供する。 - 特許庁

To achieve hardware configuration and a method for handling of data for compensating for the limited number of eliminations which is a disadvantage of a flash memory for materializing an auxiliary storage device by using the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを用いて補助記憶装置を実現する際に、フラッシュメモリの欠点である消去回数の制限を補うハード構成とデータの扱い方に関する発明である。 - 特許庁

To provide a semiconductor circuit in which a necessary memory capacity is automatically produced and a power supply circuit can be easily optimized when the memory core of a DRAM is obtained, and to provide its inspection method.例文帳に追加

必要なメモリ容量を自動生成してＤＲＡＭのメモリコアを得る際の電源回路の最適化を容易に行なえる半導体回路およびその検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device by which occurrence of oxygen defect can be prevented in a ferroelectric material, and to provide the ferroelectric memory device.例文帳に追加

強誘電体材料において酸素欠損が発生することをより確実に防止できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

The copyright protecting method comprises a step of storing a copy indicator in a memory card, and the copy indicator is associated with a decoding copyright of content stored in the memory card.例文帳に追加

著作権保護方法は、コピーインジケータをメモリーカードに保存するステップを備え、前記コピーインジケータは前記メモリーカードに格納されているコンテンツの解読著作権に対応付けられている。 - 特許庁

The circuit and the method are used to control the data input output operations of the semiconductor memory so as to change the data input output width during reading/writing and active memory operations.例文帳に追加

読出し／書き込み、及び活性的なメモリ動作の間に、データ入出力幅を変更させるために半導体メモリ装置のデータ入出力動作を制御する回路及び方法である。 - 特許庁

MICROPROCESSOR FOR UTILIZING IMPROVED BRANCH CONTROL INSTRUCTION, BRANCH TARGET INSTRUCTION MEMORY, INSTRUCTION LOAD CONTROL CIRCUIT, METHOD FOR MAINTAINING INSTRUCTION SUPPLY TO PIPE LINE, BRANCH CONTROL MEMORY AND PROCESSOR例文帳に追加

改良された分岐制御命令を利用するためのマイクロプロセッサ、分岐目標命令メモリ、命令ロード制御回路、パイプラインへの命令供給維持方法、分岐制御メモリ、およびプロセッサ - 特許庁

To provide a display control unit capable of preserving a lookup table with a small memory capacity, and a method of generating the lookup table from the data preserved in the small memory capacity.例文帳に追加

ルックアップテーブルを少ない記憶容量で保存することができる表示制御装置及び少ない記憶容量で保存されたデータからルックアップテーブルを生成する方法を提供する - 特許庁

To provide a control method of an adaptive hybrid density memory storage device suitable for locating a file data in a storage device, and also to provide an adaptive hybrid density memory storage device.例文帳に追加

ファイルデータを記憶装置の中に配置することに適用される適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置の制御方法、および適応ハイブリッド密度メモリ記憶装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a memory protection method by which the capacity of a memory is reduced while preventing the copying of data between tasks in an operating system(OS) having a page management mechanism, the necessity of excess copying operation is eliminated and data is protected.例文帳に追加

ページ管理機構を持つＯＳにおいて、タスク間でのデータコピーをなくしたまま、メモリ量を小さくして、かつ余分なコピー動作が不要で、データ保護を行うメモリ保護方法を得る。 - 特許庁