「memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element such as a NAND flash memory element for removing any factor disturbing the high charge transmission of metallic wiring, and for preventing the damage of the surface of metallic wiring, and for achieving the high speed operation of a semiconductor memory element.例文帳に追加

金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a data instantaneous updating method for a flash memory, capable of avoiding the loss of data caused by the problem of an electric charge in the floating gate of a flash memory, shortening a data recovery time in starting, and raising reliability in the flash memory and safety of the data.例文帳に追加

フラッシュメモリの浮遊ゲートにおける電荷の問題によりデータがなくなるのを回避し、起動時のデータ回復時間を短縮することができ、フラッシュメモリの信頼性とデータの安全性を向上させるため、フラッシュメモリのデータ即時更新方法を提供する。 - 特許庁

To prevent system trouble from being generated caused by damage of a data such as a command code transferred to a memory pool, and to easily monitor a rearing-out frequency of the data such as the command code from a NAND type flash memory, as to a data transfer method and device to the memory pool.例文帳に追加

メモリプールへのデータ転送方法及び装置に関し、メモリプールへ転送する命令コード等のデータの破壊によるシステムの不具合の発生を防ぎ、また、命令コード等のデータのＮＡＮＤ型フラッシュメモリからの読み出し回数を容易に監視可能にする。 - 特許庁

To provide a designing method capable of preventing the read of wrong data by reducing the apparent shift quantity of a threshold value concerning a non-volatile semiconductor memory circuit provided with a non-volatile memory cell (memory cell) for storing data corresponding to the level of a threshold voltage.例文帳に追加

しきい値電圧の高低によりデータを記憶する不揮発性記憶素子（メモリセル）を含む不揮発性半導体記憶回路において、見かけ上のしきい値のシフト量を小さくして誤ったデータの読み出しを防止できる設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic code transfer method to a high-speed memory, improving execution operation speed by dynamically detecting a function having high access frequency or a function having a very long execution time, arranging a memory resource to the memory capable of dynamically operating at high speed, and performing transfer.例文帳に追加

アクセス頻度の高い関数や実行時間が多大な関数を動的に検出して、動的に高速動作可能なメモリへメモリ資源を配置、転送してすることにより実行動作速度を向上させる高速メモリへの動的コード転送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control method for a semiconductor memory device and a semiconductor memory device in which a period of pre-charge performed after finish of continuous access operation can be shortened without deteriorating restore-voltage for memory cells and delaying a data access time.例文帳に追加

メモリセルへのリストア電圧の劣化や初期のデータアクセス時間の遅れを伴うことなく、連続アクセス動作の終了後に行なわれるプリチャージ期間を短縮することが可能な半導体記憶装置の制御方法および半導体記憶装置を提供すること - 特許庁

To provide a device of structure that drawing wiring from a hole and a memory cell forming a resistance variation layer and wiring of circuits around the memory cell, etc. are almost simultaneously formed using the memory cell of 1T1R type; and to provide a simplified method of manufacturing the same.例文帳に追加

１Ｔ１Ｒ型のメモリセルを用いて、抵抗変化層を形成するホールとメモリセルからの引き出し配線およびメモリセル領域の周辺の回路などの配線をほぼ同時に形成できる構成の装置およびその簡素化された製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dead lock detecting method for surely detecting a memory block aquiring state and dead lock other than the memory block aquiring state, and for reducing memory use quantity, and for reducing a load to be imposed on a CPU.例文帳に追加

本発明の課題は、メモリブロック獲得状態及びメモリブロック獲得状態以外のデッドロックを確実に検出することができ、メモリ使用量を低減させ且つＣＰＵに与える負荷を軽減せしめるデッドロック検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a data encoding circuit, a data encoding method, and a data recording apparatus which can secure the real time property of recording operation even by a memory low in dynamic clock by reducing the number of times of access to a memory, and can make power consumption low and the cost of the memory low simultaneously.例文帳に追加

メモリへのアクセス回数を減少させることで、動作クロックの低いメモリによっても記録動作のリアルタイム性を確保でき、同時に、省電力化およびメモリの低価格化を図り得るデータ符号化回路、データ符号化方法、データ記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device for reducing the chip size by removing a common source line, sharing a source selection transistor from which two memory blocks are applied with voltage via the source selection line, and its programming method and reading method.例文帳に追加

共通ソースラインを除去し、２つのメモリブロックがソース選択ラインを介して電圧の印加を受けるソース選択トランジスタを共有して、チップサイズを減らす不揮発性メモリ装置ならびにそのプログラム方法および読取り方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a ferroelectric memory which reduces a thermal load for restoring the characteristics of a ferroelectric capacitor, and to provide the manufacturing method of a semiconductor device and the ferroelectric memory as well as the semiconductor device employing the manufacturing methods.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの特性を回復するための熱負荷を低減することができる強誘電体メモリの製造方法、半導体装置の製造方法、及びこの製造方法を用いた強誘電体メモリ、半導体装置を提供する。 - 特許庁

AUTHENTICATED ENCRYPTION METHOD AND APPARATUS, AUTHENTICATED ENCRYPTION PROGRAM, MEMORY MEDIUM HAVING AUTHENTICATED ENCRYPTION PROGRAM STORED THEREON, AUTHENTICATED DECRYPTION METHOD AND APPARATUS, AUTHENTICATED DECRYPTION PROGRAM, AND MEMORY MEDIUM HAVING AUTHENTICATED DECRYPTION PROGRAM STORED THEREON例文帳に追加

認証付暗号方法及び装置及び認証付暗号プログラム及び認証付暗号プログラムを格納した記憶媒体及び認証付復号方法及び装置及び認証付復号プログラム及び認証付復号プログラムを格納した記憶媒体 - 特許庁

To provide a programming memory for enabling a fast operation of a phase-change memory including a phase-change element changed between an amorphous state (reset state) and a crystal state (set state), and a reading method corresponding to the programming method.例文帳に追加

アモルファス状態（リセット状態）と結晶状態（セット状態）との間で遷移する相変化素子を有する相変化メモリに対する、高速動作を可能とするプログラム方法と、このプログラム方法に対応した読み出し方法とを提供する。 - 特許庁

To provide an image printing unit capable of restraining the memory capacity needed for a printing buffer to a small degree while corresponding to a high printing density, an image printing method, an image printing system, a label producing system, a label producing method and a memory medium.例文帳に追加

高印刷密度に対応しつつ、必要とする印刷バッファのメモリ容量を小さく押さえることができる画像印刷装置、画像印刷方法、画像印刷システム、ラベル作成システム、ラベル作成方法および記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a molecular memory, which contrives the improvement of a recording density by making a part or the whole of components of a memory system so as to have the construction of molecular scale, and its process system as well as process method.例文帳に追加

メモリシステムの一部または全部の構成要素を分子スケールの構造にすることにより記憶密度の向上をはかった分子メモリとそのプロセスシステム及びプロセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a program method of a flash memory device provided with first and second bit lines to which a plurality of memory cells for storing multi-bit data indicating one of a plurality of states are connected.例文帳に追加

複数の状態のうちのいずれか１つを示すマルチビットデータを記憶するための複数のメモリセルが接続された第１及び第２ビットラインを具備したフラッシュメモリ装置のプログラム方法が提供される。 - 特許庁

This method (400) has the steps of: reading data from the memory (402); shifting the data in advance of the processing (404); processing the data (406); and shifting the data reversely before returning the data to the memory (408).例文帳に追加

本方法（４００）は、メモリからデータを読み出し（４０２）、処理に先だってデータをシフトさせ（４０４）、データ（４０６）を処理し（４０６）、メモリに戻す前にデータを逆にシフトさせるステップ（４０８）を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device which can suppress bird's beak near an end of a floating gate and reducing a manufacturing cost, and to provide the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

フローティングゲートの端部付近でのバーズビークが抑制できると共に、製造コストを安くすることができる不揮発性半導体記憶装置の製造方法及び不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a video signal processing device and method that allow improvement of latency while reducing a data amount when accessing to an external memory and frequencies of accessing to the external memory, and to provide a video signal decoding device.例文帳に追加

外部メモリに対してアクセスする頻度及びデータ量を低減でき、レイテンシを改善することが可能な映像信号処理装置及び方法、並びに映像信号復号装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a producing method therefor, with which write time can be shortened by setting a plurality of thresholds of a memory cell transistor with the same number of times of write.例文帳に追加

同じ書き込み回数でメモリセルトランジスタの複数の閾値を設定することにより、書き込み時間を短縮化できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an architecture capable of avoiding an error by previously carrying out a predictive diagnosis of a defective memory cell having a small margin in an SRAM block with an acceleration test, and to provide a defective memory cell predictive diagnosis method.例文帳に追加

ＳＲＡＭブロック内のマージンの小さい不良メモリセルを加速試験によって事前に予知診断を行い、エラーを回避できるアーキテクチャーおよび不良メモリセル予知診断方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for programming a non-volatile memory cell of which a current value of a current flowing in a cell is controlled through a current limiter coupled to a source node of a memory cell.例文帳に追加

セルの中を流れる電流の電流値が、メモリーセルのソース・ノードに結合した電流リミッターを通して制御される不揮発性メモリー・セルをプログラムするための方法と装置を提供する。 - 特許庁

As a control mode, a mode for inhibiting the discharge of specified data held in the cache memory 11 and a mode for discharging the data held in the cache memory 11 with an ordinary method are provided.例文帳に追加

制御モードとしては、キャッシュメモリ１１で保持される特定のデータの追い出しを禁止するモードと、キャッシュメモリ１１で保持されるデータを通常の方法で追い出すモードとが設けられている。 - 特許庁

To provide a memory device capable of attaining speed-up of processing by reduction in access to an auxiliary memory device and protection of data to power supply interruption, and to provide a cache control method and a cache control program.例文帳に追加

補助記憶装置へのアクセス低減による処理の高速化と、電源断に対するデータ保護を図ることができるメモリ装置、キャッシュ制御方法、およびキャッシュ制御プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a NAND type nonvolatile semiconductor memory device that uses a position of charge held in a memory in a direction perpendicular to a channel as an information amount, and a method of driving the same.例文帳に追加

メモリセル内に保持する電荷の、チャネルに対して垂直方向の位置を情報量として利用するＮＡＮＤ型の不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to an apparatus and method capable of uniformly using the space of a nonvolatile memory and storing, in storing data to the nonvolatile memory, data having similar characteristics in adjacent free blocks.例文帳に追加

不揮発性メモリの空間を均等に使用することができ、不揮発性メモリにデータを保存するとき、特性が類似するデータを互いに隣接したフリーブロックに保存し得る装置及び方法に関する。 - 特許庁

According to this invention, when a phase change layer is formed by the above forming method upon the manufacture of a phase change semiconductor memory, its memory properties are improved, further, the manufacturing process is simple, and cost can be reduced.例文帳に追加

本発明によれば、相変化半導体メモリの製造時に前記形成方法で相変化層を形成すれば、メモリ特性が向上し、また、製造工程が簡単でコストが低減できる。 - 特許庁

When an amount of data to be collected is smaller than a capacity of the internal memory 13b in the embodiment 1, a method makes external transfer unnecessary by eliminating waste in the memory resource of the embodiment 1.例文帳に追加

この発明の実施例１では収集するデータ量が内部メモリ１３ｂの容量より少ないとき、実施例１のメモリのリソースの無駄をなくすことで、外部転送の必要をなくす方法を示す。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a redundancy method of this memory in which repair efficiency can be increased by enabling repair separating respectively banks, blocks, and column address groups depending on a form of defect.例文帳に追加

本発明は、不良の形態によってバンク、ブロック、及びコラムアドレスグループ別にリペアできるようにすることによってリペア効率を増加できる半導体メモリ装置並びに装置のリダンダンシー方法を提供する。 - 特許庁

Then a gradation conversion means 203 converts the monochrome halftone data stored in the memory means 204 into monochrome pseudo-halftone data, using for example, error diffusion method, and stores it in the memory means 204.例文帳に追加

次いで、階調変換手段２０３は、記憶手段２０４に格納されたモノクロ中間調データをモノクロ擬似中間調データに例えば誤差拡散法を用いて変換し、記憶手段２０４に格納する。 - 特許庁

To provide a printing device which can change the printing requirements as required when printing a document file memorized in an external memory such as USB memory, and a printing method for a printing device.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ等の外部メモリに記憶された文書ファイルの印刷において、印刷条件を適宜変更することができる印刷装置、および印刷装置の印刷方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of sufficiently maintaining a write-in state by improving electric charge maintenance characteristics even left at the time of high temperature, and to provide a manufacturing method of the semiconductor memory device.例文帳に追加

電荷保持特性を向上することで高温放置時などでも書き込み状態を十分に維持できる半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an IC card 2 capable of efficiently executing garbage collection for optimizing a variety of storage areas in a nonvolatile memory 25, and to provide a memory control method in the IC card 2.例文帳に追加

不揮発性メモリ２５における各種の記憶領域を最適化するためのガーベージコレクションを効率的に実行することできるＩＣカード２およびＩＣカード２におけるメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method that makes possible to eliminate an input and output register when makes a selection of to use or not to use a nonvolatile memory unit with initialization data when a backup memory unit becomes abnormal.例文帳に追加

バックアップメモリ異常時、初期化データを蓄えた不揮発メモリを使用するかどうかの選択を行う際、従来不可欠であった設定スイッチ用Ｉ／Ｏレジスタの削除が可能とする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device, a host device, a server device, an authentication system, and an authentication method, which can prevent illegal access to the memory device even when a secret key for authenticating the host device is leaked.例文帳に追加

ホスト装置の認証用秘密鍵が漏洩した場合であってもメモリ装置への不正なアクセスを防止することが可能なメモリ装置、ホスト装置、サーバ装置、認証システム、および認証方法を提供する。 - 特許庁

In the method for distributing the moving picture using the mobile phone 3, the mobile phone 3 utilizes a memory card 31 provided to the mobile phone 3 as a cache memory to download moving picture data and reproduces and displays the moving picture data.例文帳に追加

携帯電話機３を用いた動画像配信方法では、携帯電話機３に備わっているメモリカード３１をキャッシュメモリとして利用して動画像データをダウンロードして再生表示している。 - 特許庁

To provide a memory management device and a management method for reducing the time required for shutdown and start-up, and for storing data with high safety under the consideration of the characteristics of a non-volatile memory.例文帳に追加

シャットダウン及び起動に要する時間を短縮可能であり、不揮発性メモリの性質を考慮した安全性の高いデ—タの保管が可能なメモリ管理装置と管理方法を提供する。 - 特許庁

In the method and system for measuring the resistance of a resistive memory element, in order to measure the resistance of the resistive memory element, first, a data write pulse is applied, and then a resistance read pulse is applied.例文帳に追加

抵抗メモリ素子の抵抗測定方法及び抵抗測定システムにおいて、前記抵抗メモリ素子の抵抗測定のために、まず、データ書き込みパルスを印加した後、抵抗読み取りパルスを印加する。 - 特許庁

To provide a method of writing for a nonvolatile semiconductor memory device, which enables a significant increase in additional cycling capability by suppressing write disturb which is erroneous write into a write-prohibited memory cell.例文帳に追加

書き込み禁止メモリセルへの誤書き込みである書き込みディスターブを抑止して大幅な追加書き込み回数の増加を可能にする不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and a system for managing a memory in a network processing system for providing the allocation of a physical memory section inside a network processor connected to a control point processor by a bus.例文帳に追加

バスによって制御点プロセッサに結合されたネットワーク・プロセッサ内の物理メモリ区域の割り振りを提供する、ネットワーク処理システムにおけるメモリを管理する方法およびシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a method of driving the same, which prevent data stored in memory cells from being corrupted when powered on, even when an external voltage is used for bit lines and plate lines as it is.例文帳に追加

外部電圧そのままビット線およびプレート線に用いる場合であっても、電源投入時にメモリセルに格納されたデータを破壊しない半導体記憶装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory of which a particular partial block is not used and a block continuously recorded with data does not need to be managed by software, and to provide a method for rewriting the data in the memory.例文帳に追加

本発明では、特定のブロックを偏って使用することなく、また、データが連続して記録されたブロックをソフトウェアで管理する必要がないフラッシュメモリ及びそのデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a column gate control method in a semiconductor memory device and a semiconductor memory device which can surely execute the write/ mask operation without mal-function of a sense amplifier during the write/mask operation.例文帳に追加

ライト・マスク時にセンスアンプを誤動作させることなく確実にライト・マスク動作を実行させることができる半導体記憶装置におけるコラムゲートの制御方法及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high speed, high integration memory element comprising a CNT having high conductivity and a high heat dissipation rate, and a memory cell having an excellent charge storage capacity and free from erroneous operation, and its fabricating method.例文帳に追加

高い伝導度と高い熱放出度を有するＣＮＴと、電荷貯蔵能力に優れたメモリセルとを備え、誤動作のない高速、高集積のメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obstructing undesirable programming in a MRAM device so that disablement of programming owing to scattered magnetic field of a memory cell being adjacent to a selection memory cell can be surely and simply obstructed.例文帳に追加

散乱磁場による、選択メモリセルに隣接しているメモリセルのプログラミング不能を、確実に且つ簡単に阻止できるような、ＭＲＡＭ装置における望ましくないプログラミングを阻止する方法を提供する。 - 特許庁