「n type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR, N-TYPE INORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor.例文帳に追加

前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。 - 特許庁

The semiconductor substrate 11 is formed of an n-type semiconductor.例文帳に追加

半導体基板１１は、Ｎ型の半導体からなる。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

The vertical junction field effect transistor 1a includes an n+-type drain semiconductor part 2, an n-type drift semiconductor part 3, a p+-type gate semiconductor part 4, an n-type channel semiconductor part 5, and an n+-type source semiconductor part 7.例文帳に追加

本発明に係る縦型ＪＦＥＴ１ａは、ｎ^＋型ドレイン半導体部２と、ｎ型ドリフト半導体部３と、ｐ^＋型ゲート半導体部４と、ｎ型チャネル半導体部５と、ｎ^＋型ソース半導体部７とを備える。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND N-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンド - 特許庁

An n-type semiconductor layer 102 is formed on the upper of an n^+-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

Ｎ^+ 型半導体基板１０１の上面にＮ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

A second n-type semiconductor region 22 is formed on one main surface of an n^+-type semiconductor substrate 52.例文帳に追加

Ｎ^＋半導体基板５２の一方の主面に、第２Ｎ型半導体領域２２を形成する。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のＮ＋型の半導体基板２上に、低濃度のＮ−形の半導体層３を形成する。 - 特許庁

A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

Ｎ型の第１の半導体層30と接するようにＮ型の第２の半導体層32が形成されている。 - 特許庁

The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND FORMING METHOD OF N-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

半導体素子、半導体発光素子およびｎ型半導体の形成方法 - 特許庁

The semiconductor element is provided with an n-type gallium nitride compound semiconductor and an electrode forming an ohmic contact with such semiconductor.例文帳に追加

極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region 12 is constituted of an n^- semiconductor region 12a, an n buffer region 12b, and an n^+ semiconductor region 12c.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１２は、ｎ- 半導体領域１２ａ、ｎバッファ領域１２ｂ、ｎ^+ 半導体領域１２ｃから構成される。 - 特許庁

An n-electrode is connected to the undersurface of the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板の下面にｎ電極が接続されている。 - 特許庁

A trench 12 is formed to a semiconductor substrate 4 with a p-type semiconductor region 1, an n-type semiconductor region 2 and an n^+-type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１とＮ型半導体領域２とＮ^＋型半導体領域３とを有する半導体基板４にトレンチ１２を設ける。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared which is such that an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer are stacked on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板上にＮ型の半導体層とＰ型の半導体層が積層した半導体基板を用意する。 - 特許庁

An N-type semiconductor layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, and a P-type semiconductor layer 3 is formed on the N-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体基板１の表面にＮ−型半導体層２を形成し、その上層にＰ型半導体層３を形成する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11 between the n^+-type semiconductor region 14A and the n^+-type semiconductor region 14C, an n^--type semiconductor region 14B is formed whose electric resistance is higher than that of the n^+-type semiconductor region.例文帳に追加

ｎ+型半導体領域１４Ａとｎ+型半導体領域１４Ｃとの間の半導体基板１１には、ｎ+型半導体領域より電気抵抗が高いｎ-型半導体領域１４Ｂが形成されている。 - 特許庁

In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、ｎ型半導体領域と、ｎ型半導体領域におけるｎ＋領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

また，Ｎ−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のＮ型不純物を拡散して，浅いＮ＋型半導体を形成する。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 in which an n^- type drift layer 6 and an n^+ type semiconductor layer 7 are sequentially formed on an n^+ type substrate 5 is prepared.例文帳に追加

Ｎ^+型基板５の上に順にＮ^-型ドリフト層６、Ｎ^+型半導体層７が形成された半導体基板１を用意する。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、ｎ型半導体領域８Ｂと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｃを形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor 2 is formed by epitaxial growth on an n-type low-resistance board 1, and trenches 4 are formed on the n-type semiconductor 2.例文帳に追加

ｎ型低抵抗基板１の上にｎ型半導体２をエピタキシャル成長させ、そのｎ型半導体にトレンチ４を形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２１の表面にｎ型半導体２２を形成し、ｎ型半導体２２の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

The soft recovery diode includes an n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 13 formed on the n^+ type semiconductor substrate 12, an n^- type base layer 14 formed on the n^- type base layer 13, and an n^+ type anode layer 15 formed on the n^- type base layer 14.例文帳に追加

ｎ^＋型半導体基板１２と、上記ｎ^＋型半導体基板１２上に形成されたｎ^−型ベース層１３と、上記ｎ^−型ベース層１３上に形成されたｎ^−型ベース層１４と、上記ｎ^−型ベース層１４上に形成されたｐ^＋型アノード層１５とを備える。 - 特許庁

The semiconductor substrate 20 has a p-type semiconductor substrate 11, an insulation film 12, an n^--type semiconductor region 13 formed on the film 12, an n^+-type semiconductor region 14, and a p^+-type semiconductor region 15 opposite to the n^+-type semiconductor region 14 through the n^--type semiconductor region 13.例文帳に追加

半導体基体２０は、Ｐ型半導体基板１１と、絶縁膜１２と、絶縁膜１２上に形成されたＮ^−型半導体領域１３と、Ｎ^＋型半導体領域１４と、Ｎ^−型半導体領域１３を介してＮ^＋型半導体領域１４と対向するＰ^＋型半導体領域１５とを有する。 - 特許庁

ELECTRONIC ELEMENT CONTAINING N-TYPE ORGANIC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ｎ型有機半導体単結晶を含む電子素子 - 特許庁

N-TYPE ZINC ANTIMONY-BASED COMPOUND THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体 - 特許庁

CHARACTERISTIC CONTROL METHOD FOR N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型酸化物半導体の特性制御方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING n-TYPE DIAMOND例文帳に追加

ｎ型ダイヤモンドを用いた半導体デバイス - 特許庁

III-N TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｎ系化合物半導体装置 - 特許庁

n-TYPE SEMICONDUCTOR DIAMOND AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド及びその製造方法 - 特許庁

Ge-DOPED N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｇｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体 - 特許庁

N-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE例文帳に追加

ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体 - 特許庁

GROWTH METHOD OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING N-TYPE ALUMINUM-NITRIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｎ型窒化アルミニウムの製造方法及び半導体素子 - 特許庁