「n type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having N-type and P-type transistors having appropriate high operation voltages and N-type and P-type transistors having appropriate low operation voltages, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

適切な高い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタ、ならびに適切な低い動作電圧を有するＮ型およびＰ型トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser array, n-type layers composed of a nitride semiconductor and containing n-type contact layers, active layers, and p-type layers containing p-type contact layer are successively formed.例文帳に追加

窒化物半導体からなる、ｎ型コンタクト層を含むｎ型層と、活性層と、ｐ型コンタクト層を含むｐ型層と、が順に含まれた窒化物半導体レーザアレイである。 - 特許庁

To stably obtain an n-type or p-type boron-phosphide based semiconductor layer with precisely controlled carrier density by adding n-type or p-type impurities when the boron-phosphide based semiconductor layer is formed by a vapor-phase growing means.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を気相成長手段により成長する際、ｎ形またはｐ形不純物を添加して、精密に制御されたキャリア濃度のｎ形またはｐ形のリン化硼素系半導体層を安定して得る。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion element main body (11) comprises a p-type silicon semiconductor while the n-type thermoelectric conversion element main body (12) comprises an n-type silicon semiconductor.例文帳に追加

ｐ型熱電変換素子本体（１１）はｐ型シリコン系半導体により構成され、ｎ型熱電変換素子本体（１２）はｎ型シリコン系半導体により構成される。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 12, an n-type organic semiconductor film 13, a p-type organic semiconductor film 14, and a p-type transparent conductive film 15, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１２、ｎ型有機半導体膜１３、ｐ型有機半導体膜１４及びｐ型透明導電膜１５がこの順に積層されている。 - 特許庁

To achieve a fin type semiconductor device of N-type having a desired characteristics by introducing an N-type impurity into a side surface of a fin type semiconductor region to form an impurity region with low resistance.例文帳に追加

フィン型半導体領域の側面にＮ型不純物を導入して低抵抗の不純物領域を形成できるようにし、それによって、所望の特性を持つＮ型のフィン型半導体装置を実現する。 - 特許庁

An n-type transparent conductive film 16, a mixed film 17 of a p-type organic semiconductor and an n-type organic semiconductor, and a p-type transparent conductive film 18, are stacked in this sequence.例文帳に追加

ｎ型透明導電膜１６、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合膜１７及びｐ型透明導電膜１８がこの順に積層されている。 - 特許庁

First and second n-type semiconductor parts 203a and 203b are provided on the surface of the p-type semiconductor layer 202, while a p-type surface diffusion part 206 is provided between the first and second n-type semiconductors 203a and 203b.例文帳に追加

Ｐ型半導体層２０２の表面部分に、第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂをすると共に、この第１および第２Ｎ型半導体部２０３ａ，２０３ｂの間に、Ｐ型表面拡散部２０６を備える。 - 特許庁

The basic structure of this lateral J-FET includes an n-type semiconductor layer 3 consisting of an n-type impurity region, and a p-type semiconductor layer 6 consisting of a p-type impurity region.例文帳に追加

この横型ＪＦＥＴの基本的構造は、ｎ型の不純物領域からなるｎ型半導体層３と、このｎ型半導体層３の上にｐ型の不純物領域からなるｐ型半導体層とを備える。 - 特許庁

A photodiode is constituted of a P-type semiconductor substrate 1, a plurality of N-type small regions 2a-2f formed on the P-type semiconductor substrate 1, and a means 4 for connecting the plurality of N-type small regions 2a-2f.例文帳に追加

フォトダイオードは、Ｐ型半導体基板１と、Ｐ型半導体基板１に形成された複数のＮ型小領域２ａ〜２ｆと、これらの複数のＮ型小領域２ａ〜２ｆを接続する手段４とから成っている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer (n-type contact layer 20) of one PIN structure and the p-type semiconductor layer (p-type contact layer 19) of the other PIN structure both come into contact with a connection portion 30 and are electrically connected.例文帳に追加

一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor layer 1 as a medical skin treatment member is obtained by mixing the semiconductor powder in the raw material as ink, a coating material and an adhesive, and a N-type, a P-type or the mixture of the N-type and the P-type is used.例文帳に追加

経皮治療部材としての半導体層１は、インク、塗料、接着剤等としての素材に半導体のパウダーを混入させたもので、Ｎ型、またはＰ型、あるいはＮ型とＰ型とを混合させたものを用いる。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of the integrated circuit equipped with a plurality of p-type electric field effect type transistors, a plurality of n-type electric field effect type transistors, a P-type substrate contact region 6 and an N-type substrate contact region 5 on a substrate.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に、複数のｐ型電界効果型トランジスタ、複数のｎ型電界効果型トランジスタ、Ｐ型基板コンタクト領域６及びＮ型基板コンタクト領域５を備えた集積回路からなる。 - 特許庁

A collector layer 1 of a first conductivity-type (n-type) semiconductor is joined to provide a base layer 2 of a second conductivity-type (p-type), and an emitter region 3 of the first conductivity-type (n-type) is provided in the base layer 2.例文帳に追加

第１導電形（ｎ形）半導体からなるコレクタ層１と接合して第２導電形（ｐ形）のベース層２が設けられ、そのベース層２内に第１導電形（ｎ形）のエミッタ領域３が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor laser comprises on a substrate 11 an n-type cladding layer 12, an n-type guide layer 13, an i-type guide layer 14, an active layer 15, an i-type guide layer 16, an electron barrier layer 17, a p-type superlattice cladding layer 18, and a p-type contact layer 19.例文帳に追加

基板１１上にｎ型クラッド層１２，ｎ型ガイド層１３，ｉ型ガイド層１４，活性層１５，ｉ型ガイド層１６，電子障壁層１７，ｐ型超格子クラッド層１８およびｐ側コンタクト層１９を有する。 - 特許庁

An n+-type drain diffused region 2 is formed in an n-type semiconductor layer 1 on an insulating layer 11; and a drift region 1a, a p-type well diffused region 4, an n+-type source diffused layer 3 and a n+-type base diffused region 9 are formed so as to surround the diffused region 2.例文帳に追加

絶縁層１１上のｎ形半導体層１内に、ｎ^+形ドレイン拡散領域２が形成され、ドリフト領域１ａ、ｐ形ウェル拡散領域４、ｎ^+形ソース拡散領域３、ｐ^+形ベース拡散領域９がｎ^+形ドレイン拡散領域２を囲むように形成されている。 - 特許庁

The optical semiconductor device includes a semiconductor film including an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light emitting layer provided between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor layer, the conductive support provided to the side of the p-type semiconductor layer of the semiconductor film and using electrons as a carrier, and a base electrically and thermally connected to the semiconductor film via the conductive support.例文帳に追加

本発明の光半導体装置は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の間に設けられた発光層と、を含む半導体膜と、半導体膜のｐ型半導体層の側に設けられた電子をキャリアとする導電性支持体と、導電性支持体を介して半導体膜と電気的および熱的に接続された基台と、を含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting element includes an n-type nitride semiconductor layer and a nitride semiconductor active layer, has a first p-type nitride semiconductor layer between the n-type nitride semiconductor layer and the nitride semiconductor active layer, and has a second p-type nitride semiconductor layer at a side opposite to a side having the first p-type nitride semiconductor layer when viewed from the nitride semiconductor active layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層とを含み、ｎ型窒化物半導体層と窒化物半導体活性層との間に第１のｐ型窒化物半導体層を備え、窒化物半導体活性層から見て第１のｐ型窒化物半導体層がある側とは反対側に第２のｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PROTEIN SEMICONDUCTOR, PROTEIN SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-N JUNCTION, P-N JUNCTION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR CONTROLLING CONDUCTIVITY TYPE OF PROTEIN SEMICONDUCTOR例文帳に追加

タンパク質半導体の製造方法、タンパク質半導体、ｐｎ接合の製造方法、ｐｎ接合、半導体装置の製造方法、半導体装置、電子機器およびタンパク質半導体の導電型の制御方法 - 特許庁

This semiconductor device for protection against static electricity contains a P type well 11 containing a P type impurity diffusion layer 90, and an N type impurity diffusion layer 20, and an N type well 13 which is formed in the P type well 11, and contains a P type impurity diffusion layer 30 and an N type impurity diffusion layer 40.例文帳に追加

本発明の静電気保護用半導体装置は、Ｐ型不純物拡散層９０およびＮ型不純物拡散層２０を含むＰ型ウエル１１と、Ｐ型ウエル１１に形成され、Ｐ型不純物拡散層３０およびＮ型不純物拡散層４０を含むＮ型ウエル１３とを含む。 - 特許庁

The optoelectronic device includes a P-type semiconductor substrate, an N-type transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS) layer located on a surface of the P-type semiconductor substrate, and a rear electrode on another surface of the P-type semiconductor substrate.例文帳に追加

光電デバイスが、Ｐ型半導体基板と、Ｐ型半導体基板の一表面上に位置するＮ型透明非結晶酸化物半導体（ＴＡＯＳ）層と、Ｐ型半導体基板の他表面上にある後電極とを含む。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

The junction diode 11 comprises an n-type gallium nitride-based semiconductor layer 13, and a p-type gallium nitride-based semiconductor layer 15.例文帳に追加

接合ダイオード１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体層１５とを備える。 - 特許庁

The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁

Then, in the through-holes, an N type semiconductor and a P type semiconductor constituting a Peltier element are formed respectively.例文帳に追加

そして、前記貫通孔には、ペルチェ素子を構成するＮ型半導体及びＰ型半導体が各々形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The board 1 includes a p-type semiconductor board 2 containing B, and an n-type epitaxial growth layer 3 containing P, which is formed on the semiconductor board 2.例文帳に追加

基板１は、Ｂを含むＰ型半導体基板２および基板２上に設けられているリンを含むＮ型エピタキシャル成長層３からなる。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 includes a laminate 4 containing a ZnO layer 2 as an n-type semiconductor and a (Ni, Zn)O layer 3 as a p-type semiconductor.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。 - 特許庁

The functional portion includes a plurality of active layers laminated in a direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。 - 特許庁

The common terminal 6 is connected by wirings with the emitter electrode of the p-type semiconductor element 4 and the collector electrode of the n-type semiconductor element 5.例文帳に追加

共通端子６は、ｐ型半導体素子４のエミッタ電極及びｎ型半導体素子５のコレクタ電極と配線により接続される。 - 特許庁

The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁

Carrier extracting electrodes 11b and 11c are electrically connected to the p-type semiconductor layer 10b and the n-type semiconductor layer 10c.例文帳に追加

ｐ形半導体層１０ｂおよびｎ形半導体層１０ｃそれぞれにキャリア引抜用電極１１ｂ，１１ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

For a scanning electrode driving IC of a p type semiconductor substrate, a fluctuating power supply level shifter IC is manufactured with an n type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板の走査電極駆動ＩＣに対して、ｎ型半導体基板で揺動電源レベルシフタＩＣを作製する。 - 特許庁

The n-type semiconductor region is provided in the surface of the p-type semiconductor layer between the drain region and the insulator.例文帳に追加

前記ｎ形半導体領域は、前記ドレイン領域と前記絶縁体との間の前記ｐ形半導体層の表面に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electrode that is appropriately connected to both of p-type and n-type group III-V nitride semiconductor layers.例文帳に追加

Ｐ型およびＮ型III−Ｖ族窒化物半導体層の両方に対して良好に接続される電極を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

An anode electrode is connected to a p^+ type semiconductor region 6, and a cathode electrode is connected to an n^+ type semiconductor region 3.例文帳に追加

Ｐ^＋形半導体領域６にアノード電極を接続し、Ｎ^＋形半導体領域３にカソード電極を接続する。 - 特許庁

On the p-type organic semiconductor thin film 2, a metal electrode 1 is formed and on the n-type inorganic semiconductor thin film 4, a transparent electrode 5 is formed.例文帳に追加

ｐ型有機半導体薄膜２上には金属電極１、ｎ型無機半導体薄膜４上には透明電極５がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A p++ type semiconductor layer 3 and an n-type semiconductor layer 1 are laminated, and an insulating region 2 is selectively disposed on their boundary.例文帳に追加

ｐ＋＋型半導体層３とｎ−型半導体層１を積層し、その境界に絶縁領域２を選択的に配置する。 - 特許庁

The solar cell 100 includes a recoupling layer R inserted between a p-type amorphous semiconductor layer 11p and an n-type amorphous semiconductor layer 12n.例文帳に追加

太陽電池１００は、ｐ型非晶質半導体層１１ｐとｎ型非晶質半導体層１２ｎとの間に挿入された再結合層Ｒを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor hetero-junction film wherein a p-type and an n-type organic semiconductor materials are uniformly mixed and having a high energy conversion efficiency.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。 - 特許庁

In a CMOS imaging sensor 1, an N-type semiconductor layer 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ１において、Ｐ型の半導体基板１１上にＮ型の半導体層１２を形成する。 - 特許庁

The p^+-type impurity semiconductor region 11 is formed on the top surface S1 of the n-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１０の上面Ｓ１側における表層には、Ｐ^+型不純物半導体領域１１が形成されている。 - 特許庁

The emitting element has at least a GaN layer of the n-type nitride semiconductor layer or the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層またはｐ型窒化物半導体層の少なくともは少なくともＧａＮ層を有する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer 2 and a p-type nitride semiconductor layer 4 are formed while sandwiching the active layer 3 in a double hetero structure.例文帳に追加

活性層３を挟むようにしてｎ型窒化物半導体層２とｐ型窒化物半導体層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。 - 特許庁