「n type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor light-emitting element comprises an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and a light-emitting part.例文帳に追加

実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

A laser element structure composed of an N-type semiconductor 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor 14 is formed on a semiconductor board 11.例文帳に追加

半導体基板１１上には、ｎ型半導体部１２と、活性層１３と、ｐ型半導体部１４とからなるレーザ素子構造体が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer structure 22, an N-type semiconductor layer 27, a light-emitting layer 28 and a P-type semiconductor layer 29 are laminated successively from the substrate 21 side.例文帳に追加

半導体積層構造２２は、ｎ型半導体層２７と、発光層２８と、ｐ型半導体層２９とが、基板２１側から順に積層されている。 - 特許庁

An insulator 103 made of a resin material is formed to the side face of a bipolar semiconductor 210 comprising a p-type semiconductor 205 and an n-type semiconductor 206.例文帳に追加

Ｐ型半導体部２０５とＮ型半導体部２０６とでなる２極半導体部２１０の側面に樹脂材料で絶縁部１０３を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, metal or metal nitride layers 18 and 19 which differ from each other are respectively provided on an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置に於いて、Ｎ型半導体層上とＰ型半導体層上とに異なる金属ないしは金属珪化物の層を設ける。 - 特許庁

In this semiconductor laser, n-type semiconductor layers 22-24, an active layer 25, and p-type semiconductor layers 26-28 are successively laminated upon a substrate 11.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層２２〜２４、活性層２５およびｐ型半導体層２６〜２８が順次積層されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor laminate structure 2 is formed by laminating an n-type semiconductor layer 11, a luminescent layer 10, and a p-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１、発光層１０、およびｐ型半導体層１２を積層して構成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the step of forming a first N-type semiconductor diffused layer 6 in a shallow region (small sectional area) on a P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の浅い領域（断面積が小さい）に第１Ｎ型半導体拡散層６を形成する。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

Since heat is transported from the silicon semiconductor 101 side to outside in the N-type material 102, the silicon semiconductor 101 is cooled.例文帳に追加

N型材料１０２では熱がシリコン半導体１０１側から外側に輸送されるため、シリコン半導体１０１が冷却される。 - 特許庁

A third N^+-type semiconductor region 9 is provided, where the third N^+-semiconductor region has a plurality of island-like sections 9' in a sectional shape.例文帳に追加

断面形状において複数の島状部分9´を有するＮ^+形の第３の半導体領域９を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing diffusion of In to the surface of an N-type ohmic electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

N型オーミック電極の表面へのInの拡散を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor light receiving element forming a PIN structure having a p-type semiconductor layer, a low resistance n-type semiconductor layer, and a high resistance n-type semiconductor layer; the high resistance n-type semiconductor layer is formed on the surface forming the p-type semiconductor layer so as to be surrounded in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｐ型半導体層と、低抵抗Ｎ型半導体層と、高抵抗Ｎ型半導体層とを有してなり、ＰＩＮ構造が形成された半導体受光素子において、前記Ｐ型半導体層が形成された表面上に前記高抵抗Ｎ型半導体層が前記Ｐ型半導体層に囲まれるように形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 11 is formed on an n^+-type substrate 1, and a trench 12 is formed on the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋型基板１の上にＰ型半導体層１１を形成し、Ｐ型半導体層１１にトレンチ１２を形成する。 - 特許庁

An intermediate layer is formed at a prescribed region on the surface of the p-type nitride semiconductor region, and then an n-type or i-type semiconductor region is formed.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面の所定領域に、中間層を形成して、その後にｎ型又はｉ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 of a P type, for example, includes a P+type element isolation region 12 adjoining an N--type semiconductor layer 11.例文帳に追加

例えばＰ型の半導体基板１０には、Ｎ−型の半導体層１１と隣接するＰ＋型の素子分離領域１２が形成されている。 - 特許庁

On the other hand, an N+-type semiconductor layer 10 is formed on the front surface of the second N-well 3 and a second resistance electrode 16, connected electrically to the N+-type semiconductor layer 10 through the contact hole CH4 formed in the interlayer insulating film 11 on the N+-type semiconductor layer 10, is formed.例文帳に追加

また、第２のＮウエル３の表面にＮ＋型半導体層１０が形成され、Ｎ＋型半導体層１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホールＣＨ４を介して、Ｎ＋型半導体層１０に電気的に接続された第２の抵抗電極１６が形成されている。 - 特許庁

An electrode plate for connecting the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element alternately in series is interposed between the heat exchange substrates 1, 2 and the cascade semiconductor element, and between the p-type semiconductor element and the n-type semiconductor element of the cascade semiconductor element.例文帳に追加

熱交換基板１，２とカスケード半導体素子との間、カスケード半導体素子のＰ型半導体素子及びＮ型半導体素子との間には、Ｐ型半導体素子及びＮ型半導体素子を交互に直列接続する電極板が介在している。 - 特許庁

The semiconductor layer 54 includes a p-type semiconductor region 54A and an n-type semiconductor region 54B, which are arranged to confront each other in a first direction in a laminated face, and an intrinsic semiconductor region 54C formed between the p-type semiconductor region 54A and the n-type semiconductor region 54B.例文帳に追加

半導体層５４は、積層面内において第１の方向に互いに対向するように配置されたｐ型半導体領域５４Ａおよびｎ型半導体領域５４Ｂと、ｐ型半導体領域５４Ａとｎ型半導体領域５４Ｂとの間に形成された真性半導体領域５４Ｃとを含む。 - 特許庁

The light-emitting element array is a surface light emitting element of a thyristor structure including a p-type semiconductor substrate, a first p-type semiconductor layer 14, a second n-type semiconductor layer 16, a third p-type semiconductor layer 18, and a fourth n-type semiconductor layer 20.例文帳に追加

発光素子アレイは、ｐ型の半導体基板と、第１のｐ型の半導体層１４と、第２のｎ型の半導体層１６と、第３のｐ型の半導体層１８と、第４のｎ型の半導体層２０とを有する、サイリスタ構造の面発光素子である。 - 特許庁

The conductive thin film layer has a p-type organic semiconductor thin film containing a p-type semiconductor and an acceptor, and a n-type semiconductor thin film provided on the anode side with respect to the p-type organic semiconductor thin film while containing a N-type semiconductor and a donor such as alkaline metal or alkaline earth metal.例文帳に追加

導電体薄膜層は、Ｐ型半導体とアクセプタとを含むｐ型有機半導体薄膜と、ｐ型有機半導体薄膜よりも陽極側に設けられ、Ｎ型半導体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属などのドナーとを含むｎ型有機半導体薄膜とを有する。 - 特許庁

Each of the plurality of regions 15a includes a p-type semiconductor layer 16 formed on the active layer 12 and an n-type semiconductor layer 17 formed on the p-type semiconductor layer 16, and the p-type semiconductor layer 16 and the n-type semiconductor layer 17 mutually constitute a tunnel junction.例文帳に追加

複数の領域１５ａのそれぞれは、活性層１２上に設けられたｐ型半導体層１６と、ｐ型半導体層１６上に設けられたｎ型半導体層１７とを含み、ｐ型半導体層１６及びｎ型半導体層１７が互いにトンネル接合を構成する。 - 特許庁

A luminescent thyristor L includes a distribution Bragg reflection layer 81 and a semiconductor layer 60 (a structure of a p-type first semiconductor layer 82, an n-type second semiconductor layer 83, a p-type third semiconductor layer 84, and an n-type fourth semiconductor layer 85 laminated in sequence) on a p-type substrate 80.例文帳に追加

発光サイリスタＬは、ｐ型の基板８０上に、分布ブラッグ反射層８１と半導体層６０（ｐ型の第１半導体層８２、ｎ型の第２半導体層８３、ｐ型の第３半導体層８４およびｎ型の第４半導体層８５が順に積層された構造）とを備えている。 - 特許庁

An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ｐ型半導体層３、４を形成し、ｐ型半導体層上に、ｎ型半導体層５を形成した後、レーザ・アブレーションを用いて、所定のパターンで、ｎ型半導体層を除去し、ｐ型半導体層を露出させて、電極パターンを形成する。 - 特許庁

The solid state image sensor 10 has such a structure as a P type semiconductor layer 1, an N type semiconductor layer 2, a P type semiconductor layer 3, and an N type semiconductor layer 4 are laid sequentially in layers from the surface of a P type semiconductor substrate 5 toward the inside thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１０は、Ｐ型半導体基板５の表面からその内部に向かって、Ｐ型半導体層１、Ｎ型半導体層２、Ｐ型半導体層３、Ｎ型半導体層４がこの順に重層された構造となっている。 - 特許庁

An optical waveguide core 102 is constructed by laminating: a p-type semiconductor layer 121; an n-type semiconductor layer 122; an insulating layer 123; a modulation layer 124 composed of a p-type semiconductor; an insulating layer 125; a p-type semiconductor layer 126; and an n-type semiconductor layer 127.例文帳に追加

光導波路コア１０２は、ｐ型半導体層１２１、ｎ型半導体層１２２、絶縁層１２３、ｐ型半導体からなる変調層１２４、絶縁層１２５、ｐ型半導体層１２６、ｎ型半導体層１２７が積層されて構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a semiconductor element 30 having a P-type well 9 and an N-type diffusion layer 2 to be formed on the P-type well 9; and a P-type diffusion resistance 40 to be formed on the N-type well 8.例文帳に追加

本発明による半導体装置１００は、Ｐ型ウェル９とＰ型ウェル９上に形成されるＮ型拡散層２とを備える半導体素子３０と、Ｎ型ウェル８上に形成されるＰ型拡散抵抗４０とを具備する。 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor region 16 is charged positive because electrons of atoms of the high-concentration n-type impurity are drawn to a collector electrode 33.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型不純物原子の電子がコレクタ電極３３に引きつけられるため、ｎ^＋型半導体領域１６は正に帯電する。 - 特許庁

An n-type embedding layer 101 and an n-type epitaxial layer 102 are formed on the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にＮ型埋め込み層１０１及びＮ型エピタキシャル層１０２を形成する。 - 特許庁

An N-type diffusion layer (CCD transfer channel) 4 is selectively formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１の表面に選択的にｎ型拡散層（ＣＣＤ転送チャンネル）４を形成する。 - 特許庁

A trench 8 is also formed in a depth reaching the n^- type drift layer 6 from the surface of the n^+ type semiconductor layer 7.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型半導体層７の表面からＮ^-型ドリフト層６に至る深さのトレンチ８を形成する。 - 特許庁

A first conductor layer 101 is an n-type semiconductor layer that has 4H-SiC as a main composition, and includes n-type impurities.例文帳に追加

第１導電体層１０１は、４Ｈ−ＳｉＣを主組成とし、Ｎ型不純物を含むＮ型半導体層である。 - 特許庁

To obtain low resistance between an n-type electrode and an n-type layer composed of a III nitride-system compound semiconductor.例文帳に追加

ｎ型電極とIII族窒化物系化合物半導体からなるｎ型層と間に更なる低抵抗化を得る。 - 特許庁

Consequently, an n- type impurity region can be formed between the channel forming region and the n+ type impurity region of the semiconductor layer.例文帳に追加

この結果、半導体層において、チャネル形成領域と、ｎ+ 型不純物領域との間に、ｎ- 型不純物領域を形成することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, n-type drain regions 7 and 7' arranged inside are formed to surround n-type source regions 8 and 8'.例文帳に追加

半導体装置は、その内部に設けられたｎ型ドレイン領域７，７’が、ｎ型ソース領域８，８’を取り囲むように形成される。 - 特許庁

A plurality of n-type first semiconductor regions 9 are formed, by providing a plurality of trenches 13 in an n-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

ｎ型の複数の第１半導体領域９は、ｎ型の単結晶シリコン層に複数のトレンチ１３を設けることにより形成される。 - 特許庁

The element has an n-type GaN layer having 3 μm or less in the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層は、３μｍ以下のｎ型ＧａＮ層を含む。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, a first N-type conductive region 2 and second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 are formed.例文帳に追加

半導体基板１００に第１Ｎ型導電領域２、第２Ｎ型導電領域１１，１２，１３，１４，１５，１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laminate 100 comprises an n-type contact layer 104 consisting of an n-type AlGaN contacted with the transparent electrode 102.例文帳に追加

半導体積層体１００は、透明電極１０２と接するｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型コンタクト層１０４を含んでいる。 - 特許庁

As a result, it is possible to enhance the isolation breakdown strength between the N-type well region 20 and an N-type semiconductor substrate 5.例文帳に追加

その結果、Ｎ型ウェル領域２０とＮ型の半導体基板５との間の分離耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

An n type ZnO-based compound semiconductor layer doped with n type impurity is grown on a substrate in the direction of positive c axis.例文帳に追加

基板上に、ｎ型不純物をドープしたｎ型ＺｎＯ系化合物半導体層を＋ｃ軸方向へ結晶成長させる。 - 特許庁

In predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2, N-type impurity regions 5 and P-type impurity regions 4 are formed.例文帳に追加

Ｎ^-半導体層２の所定の領域では、Ｎ型不純物領域５とＰ型不純物領域４が形成されている。 - 特許庁