「n type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).例文帳に追加

ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁

The pickup lens for the short-wavelength type semiconductor laser is formed by using an acrylic resin having ≥90% light transmittance at 405 nm, ≥85% light transmittance at 405 nm after light resistance tests, ≥110°C deformation temperature under load and ≤1.2% moisture absorption rate without substantially containing an N-substituted maleimide compound and an aromatic vinyl compound.例文帳に追加

４０５ｎｍの光線透過率が９０％以上、耐光性試験後の４０５ｎｍの光線透過率が８５％以上、荷重たわみ温度が１１０℃以上、且つ吸湿率が１．２％以下であり、且つＮ−置換マレイミド化合物および芳香族ビニル化合物を実質的に含有しないアクリル樹脂を用いて、短波長型半導体レーザー用ピックアップレンズを形成する。 - 特許庁

In the accessary composed of a noble metal base material 1 for wearing by allowing at least a part of the accessary to contact a skin, while embedding the n-type germanium semiconductor 3 into the base material 1, at least a part of the accessary in contact with the skin is exposed so that at least a part of other parts of the accessary is in contact with the base material 1.例文帳に追加

貴金属基材１からなり、少なくとも一部を皮膚に接触させて着装する装身具において、ｎ‐型ゲルマニウム半導体３を基材に埋め込むとともに、その皮膚に接触する部分の少なくとも一部を露出させ、他の部分の少なくとも一部を貴金属に接触させた構造とした健康装身具とする。 - 特許庁

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted.例文帳に追加

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。 - 特許庁

In the case that the subcollector layer 41, a collector layer 42, a base layer 43 and an emitter layer 44 are grown in a gas phase on a GaAs substrate 2 by using an MOCVD method and the semiconductor wafer 1 for manufacturing HBT is manufactured, an n-type GaAs layer is grown on the GaAs substrate 2 as the sub-collector layer 41 by making a V/III ratio 20 or less.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を２０以下として成長させるようにした。 - 特許庁

In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode.例文帳に追加

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたｐ型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたｎ型不純物が注入されているというものである。 - 特許庁

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁

The source drain electrodes 150 comprise silicon germanium layers 111 formed at respective recessed parts 100a provided in the n-type semiconductor region 100, at least to the depth of a channel region from the bottom part thereof, carbon doped silicon germanium layers 112 formed thereupon and containing carbon and germanium of concentration lower than the germanium concentration of the silicon germanium layers, and metal silicide layers 115 formed thereupon.例文帳に追加

ソースドレイン電極１５０は、ｎ型半導体領域１００に設けられた各リセス部１００ａに、その底部から少なくともチャネル領域の深さにまで形成されたシリコンゲルマニウム層１１１と、その上に形成され、炭素とシリコンゲルマニウム層のゲルマニウム濃度よりも低いゲルマニウムとを含むカーボンドープドシリコンゲルマニウム層１１２と、その上に形成された金属シリサイド層１１５とから構成される。 - 特許庁

This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｔｅからなる原料を溶融する第１のステップと、該第１のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のｐ型、若しくはｎ型半導体材料を得る第２のステップと、該第２ステップで得られたｐ型、若しくはｎ型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第３ステップと、該第３ステップで得られた単結晶をｐ型、若しくはｎ型半導体材料で被覆焼成する第４ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

When an n^+-type region 15 which will become the source is formed away from the trench 5 located below the portion 7a of the gate electrode 7 which is positioned on the surface of the semiconductor substrate 4, the overlapping amount of the upper portion 7a of the gate electrode 7 with respect to the side wall 5a of the trench should be 0.3 μm or above.例文帳に追加

ゲート電極７の形状を、その断面がＴ字となるように、トレンチ５の内部から半導体基板４の表面に至って形成された形状とし、ソースとなるＮ^＋型領域１５をトレンチ５から離れた位置であって、ゲート電極７における半導体基板４の表面上に位置する部分７ａの下に配置した構造とした場合、ゲート電極７の上方部７ａのトレンチ側壁５ａに対するオーバラップ量を０．３μｍ以上とする。 - 特許庁

Between an anode 101 and a cathode 106, a first layer 102 containing a light emitting substance, a second layer 103 containing an N type semiconductor, a third layer 104 composed of a transparent conductive film, and a fourth layer 105 containing a hole transport medium are provided sequentially wherein the cathode has a layer containing a reflective metal.例文帳に追加

本発明は、陽極１０１と、陰極１０６との間に、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体を含む第４の層１０５と有し、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体となる材料を含む第４の層１０５、陰極１０６が順に設けられており、陰極は反射金属を含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁

In this image forming method, at least electrification, exposure, development with toner and transfer are repeated by rotating an electrophotographic sensitive body having the intermediate layer between a conductive supporting body and a photoreceptive layer, and the intermediate layer incorporates the N type semiconductor particles and binder, then the variation coefficient of the shape factor of the toner is ≤16% and the number variation coefficient in number particle size distribution thereof is ≤27%.例文帳に追加

導電性支持体と感光層の間に中間層を有する電子写真感光体を回転させ、少なくとも帯電、露光、トナーによる現像、転写を繰り返す画像形成方法において、前記中間層がＮ型半導体粒子とバインダーを含有し、前記トナーは形状係数の変動係数が１６％以下であり、かつ個数粒度分布における個数変動係数が２７％以下であることを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁