| 例文 |
optical methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 43410件
In the manufacturing method of optical retardation film, a polymer film continuously supplied is allowed to proceed in the longitudinal direction of the polymer film while both ends of the polymer film are held and, at the same time, the polymer film is stretched in a direction different from the proceeding direction in the stretching zone.例文帳に追加
連続的に供給される高分子フィルムの両端を保持して、該高分子フィルムの長手方向に進行させつつ、延伸ゾーンにおいて進行方向とは異なる方向に延伸する位相差フィルムの製造方法であって、延伸ゾーン出側のフィルム幅をＷｏ、延伸ゾーン距離をＬ、高分子フィルムの両端を保持する把持具の速度比をαとした時、下記式（１）を満たす条件で高分子フィルムを延伸することを特徴とする位相差フィルムの製造方法（ただし、α＜１．３）。 - 特許庁
The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加
基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
One method for reducing artifacts transferred to a medium includes steps of: determining values of intensity versus pulse width variations for each ribbon of the modulator based upon empirical data; weighting the determined values according to a predetermined weighting factor dependent upon physical, optical, chemical and structural characteristics of a printing plate to yield an image on the printing plate having minimum visible artifacts; and applying the weighted values to ribbon drivers of the modulator.例文帳に追加
メディアに移されるアーチファクトを低減するためのひとつの方法には、経験的データに基づいてモジュレーターの各リボンに対する光度対パルス幅の変動の値を決定すること、視覚的アーチファクトを最小限にした印刷版上の画像を生じるために、印刷版の物理的・光学的・化学的・構造的特性により事前に決定された加重係数に基づいて、その決定された値に重み付けを行なうこと、重み付けをした値をモジュレーターのリボン・ドライバーに適用すること、のステップが含まれる。 - 特許庁
The method of manufacturing the optical power generation element having a substrate 50 and a metal electrode layer 51 provided on the substrate 50 includes a supercritical fluid state-forming step of forming a supercritical fluid state of a silicon halide compound, and a silicon polycrystal layer-forming step of forming the silicon polycrystal layer on the metal electrode layer 51 provided on the substrate 50, by carrying out plasma discharge under the formed supercritical fluid state of the silicon halide compound.例文帳に追加
基板５０と基板５０上に設けた金属電極層５１を有する光発電素子の製造方法であって、ハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態を形成する超臨界流体状態形成工程と、形成されたハロゲン化ケイ素化合物の超臨界流体状態においてプラズマ放電を行い、基板５０上に設けた金属電極層５１上にシリコン多結晶層を形成するシリコン多結晶層形成工程と、を有することを特徴とする光発電素子の製造方法。 - 特許庁
To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加
短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁
The method and device integrates between theory, characterization methodology and integrated production methodologies that allow for the control of fabrication and the generation of structures that has not been fabricated or whose fabrication cannot be controlled before the realization of such integrated and interconnected methodologies of simulation, production and characterization that has not been applied to guide the fabrication techniques of micro and/or nano optical components before the inventive step.例文帳に追加
本方法及び装置は、理論と特性決定方法と統合された生成方法とを統合し、このことにより、本発明に係る進歩の以前にはマイクロ及び／又はナノ光学的構成要素の加工技術をガイドするために適用されたことのなかったシミュレーション、生成及び特性決定の統合されかつ相互に関連されたこのような方法を実現するまでは加工が不可能であった、又はその加工の制御が不可能であった構造物の加工及び生成の制御を可能にする。 - 特許庁
To provide a semiconductor substrate with ceramics and its manufacturing method wherein a heat can be efficiently radiated from a semiconductor element; properties superior in heat radiation, optical transparency, mechanical strength or the like can be obtained; a problematic warpage of the substrate or chip can be reduced while the complicated manufacturing process and an increase in cost are suppressed; and cleavage and dicing during formation of the semiconductor substrate into chips can be eased.例文帳に追加
半導体素子の熱を効率的に放熱することができ、放熱特性、光透過性及び機械的強度等に優れたセラミックス付き半導体基板及びセラミックス付き半導体チップを得ることができ、更に特に問題となる基板又はチップの反りを、製造プロセスの複雑化及び高コスト化を抑制しつつ、低減することができ、更にまた、半導体基板からチップにするときの劈開及びダイシング加工を容易にすることができるセラミックス付き半導体基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the optical film includes: a rubbing step of rubbing the surface of an oriented film formed on a long plastic film F, on the surface of which the oriented film is formed, by a rubbing roll 4; an application step of applying a liquid crystal molecule to the rubbed surface of the oriented film; and a fixing step of fixing the applied liquid crystal molecule.例文帳に追加
表面に配向膜が形成された長尺のプラスチックフィルムＦの配向膜表面をラビングロール４によって擦るラビング処理工程と、配向膜表面に液晶性分子を塗布する塗布工程と、液晶性分子を固定する固定工程とを含む光学フィルムの製造方法であって、ラビング処理工程において、金属表面を有する搬送ベルト３によってフィルムを支持して搬送すると共に、フィルムを支持する搬送ベルトの下面を支持しラビングロールに対向するように複数のバックアップロール５を配設し、以下の式（１）で定義されるラビング強度ＲＳを２３００ｍｍ以上に設定する。 - 特許庁
The method has a characteristic wherein the optical processing step has furthermore a step of generating an image enabling image analysis of the feeble light.例文帳に追加
特定の刺激用物質により発現が誘導されるような遺伝子のプロモーター領域に対して発現可能に連結されたレポーター遺伝子を導入した細胞を含む試料を撮像手段の撮像視野内に配置する工程と、前記試料に前記刺激用物質を接触させて刺激を行なう工程と、刺激に応答した細胞において発現した前記のレポーター遺伝子が生ずる検出可能なシグナルを前記撮像手段により光学イメージングするとともに、前記レポーター遺伝子が生ずるシグナルの量を定量的に決定する光学的処理工程とを備え、前記光学的処理工程が微弱光を画像解析可能な画像を生成する工程をさらに有することを特徴とする。 - 特許庁
The lens system designing method is characterized by calculating a high order aberration by expressing the high order aberration coefficient of the lens system that is rotation symmetrical relative to an optical axis, as a polynomial using three suffixes and expressing the three suffixes as the powers of corresponding rotation invariants.例文帳に追加
光軸に対して回転対称なレンズ系における入射瞳面上の座標値と物体面上の座標値による３個の回転不変量をＵ，Ｖ，Ｗとし、この回転不変量のそれぞれの冪乗数をｉ，ｊ，ｋとし、光学系の物体面上の位置または像面上の位置の光軸からの距離をｙ_sとし、光学系の入射瞳面上の位置または射出瞳面上の位置の光軸からの距離をｙ_tとし、光学系の物体面上の位置または像面上の位置の光軸からの距離ｙ_sと３個の回転不変量Ｕ，Ｖ，Ｗに対する収差係数をＡ_ijkとし、光学系の入射瞳面上の位置または射出瞳面上の位置の光軸からの距離ｙ_tと３個の回転不変量Ｕ，Ｖ，Ｗに対する収差係数をＢ_ijkとしたとき、光学系の収差ｙを次式 - 特許庁
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