「plasma-assisted～」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The lighting of the plasma can be assisted by the start assisting means 15.例文帳に追加

始動補助手段１５でプラズマの点灯を補助することができる。 - 特許庁

DUAL ELECTROSTATIC-CHUCK WAFER STAGE FOR PLASMA ASSISTED WAFER PROCESSING REACTOR例文帳に追加

プラズマ支援ウェハー処理反応容器の二重静電チャックウェハーステージ - 特許庁

The PACT(plasma-assisted catalytic technology) treatment by two steps can effectively decompose the gas to be treated and synthesize an efficiently utilizable gas.例文帳に追加

２段階でＰＡＣＴ処理を行なうことにより、処理対象ガスを効率的に分解し、更に有効利用可能なガスに合成する事が可能となる。 - 特許庁

To provide an improved method and apparatus relating to ion-assisted etching processing in a plasma processing system.例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるイオン支援エッチング処理に関する改良された方法及び装置を開示する。 - 特許庁

Further, for example, use of the MBE such as plasma-assisted MBE enables the much more accurate control of the thickness and the composition of the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

さらに、例えばプラズマアシストＭＢＥ等のＭＢＥを用いることによって、窒化物半導体層２の厚さおよび組成を遥かに正確に制御することができる。 - 特許庁

To provide a plasma-assisted sputter deposition system which provides the fixed sputtering rate of a target with the lapse of time, and also can make process conditions which are not varied.例文帳に追加

時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film by plasma assisted sputtering, which deposits a crystallized and highly dense thin-film on a substrate having a large area, and to provide a film-forming apparatus.例文帳に追加

大面積の結晶化膜、高緻密膜の薄膜を基板上に堆積するプラズマ支援スパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus carrying out plasma-assisted vapor deposition using a hollow cathode plasma gun 3, the apparatus giving a transparent and dense oxide film or the like while solving a problem such as degradation in the quality of a vapor deposition film due to increase in the pressure in a vapor deposition process chamber.例文帳に追加

ホローカソード型プラズマガン３を使用してプラズマアシスト蒸着を行う装置において、蒸着プロセス室の圧力上昇による蒸着膜の膜質劣化等の問題を解消し、透明で緻密な酸化物膜等が得られる蒸着装置を提供する。 - 特許庁

This method comprises arranging one or more microwave antennas along a traveling direction of the substrate to be thin-film-deposited and/or the opposite direction, in a plasma sputtering apparatus using a magnetron, and forming assisted plasma in the proximity of the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with a microwave.例文帳に追加

マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び／又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。 - 特許庁

In the method where, using a hollow cathode type plasma gun 3, plasma-assisted vapor deposition is performed to a film substrate 9 conveyed on a vapor deposition drum 5, at a preliminary stage before a vapor deposition material is vapor-deposited on the film substrate 9, electrons are taken out from the plasma by an electron acceleration electrode 2, and the substrate 9 is electrified with the electrons.例文帳に追加

ホローカソード型プラズマガン３を使用して、蒸着ドラム５上を搬送させているフィルム基板９にプラズマアシスト蒸着を行う方法は、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段に電子加速電極２によりプラズマ中から電子を取出し、該電子でフィルム基板９を帯電させることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus includes: the hollow cathode type plasma gun 3 for performing plasma-assisted vapor deposition; the vapor deposition drum 5 conveying the film substrate 9; and the electron acceleration electrode 2, at a preliminary stage before the vapor deposition material is vapor-deposited on the film substrate 9, for taking out electrons from the plasma so as to electrify the film substrate 9 with the electrons.例文帳に追加

装置としては、プラズマアシスト蒸着を行うためのホローカソード型プラズマガン３と、フィルム基板９を搬送する蒸着ドラム５と、フィルム基板９に蒸着材料を蒸着させる前段にプラズマ中から電子を取出し該電子でフィルム基板９を帯電させるための電子加速電極２を有することを特徴とする。 - 特許庁

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁