「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the structure, a contact protection layer is inserted on a p-type contact layer, and, by subjecting an insulating film to thermal processing after subjecting it to RIE, an opening for contact can be formed without inclusion of reactive ions in the p-type contact layer that causes the contact resistance to increase and without causing resistance of the p-type contact layer to increase by etching.例文帳に追加

本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.例文帳に追加

本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the polymer optical waveguide substrate comprising the processes of forming a polymer optical waveguide laminated body on a silicon substrate, removing the unnecessary part by performing the reactive ion etching via a resist pattern containing positive type silicon, and exfoliating the resist containing the silicon, is characterized in that an exfoliation liquid containing amino alcohol is used as an exfoliation liquid of the resist containing silicon.例文帳に追加

シリコン基板上に、ポリマー光導波路積層体を形成し、ポジ型シリコン含有レジストパターンを介して反応性イオンエッチングを行って不要部を除去し、次いでシリコン含有レジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、シリコン含有レジストの剥離液としてアミノアルコール含有剥離液を使用することを特徴とする方法。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate having high corrosion resistance without being corroded to the depths even if it is exposed to a reactive gas or halogen gas over a long period of time and preventing the coming off of ceramic particles from the surface and the generation of particles caused by attaching of the ceramic particles to a treating substance such as a silicon wafer even when the treating substance is placed on the surface and treated by etching for example.例文帳に追加

長期間に渡って反応性ガスやハロゲンガスに曝され続けても、その深部まで腐食されることがなく耐腐食性に優れるとともに、その表面にシリコンウエハ等の被処理物を載置してエッチング等の処理を施しても、その表面からセラミック粒子が脱落し、上記シリコンウエハ等の被処理物に付着してパーティクルが発生することがないセラミック基板を提供する。 - 特許庁

The transparent barrier film including a carbon deposition layer having a thickness of 0.5 to 10 nm at least on one face of the substrate comprising a plastic material and laminating an aluminium oxide layer having a thickness of 3 to 500 nm thereon, the transparent barrier film in which the carbon deposition face of the substrate is a treated face utilizing plasma of a reactive ion etching (RIE) mode, and its production method are provided.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、厚さ０．５〜１０ｎｍのカーボン蒸着層を有し、その上に厚さ３〜５００ｎｍの酸化アルミ層を積層した透明バリアフィルムや上記基材のカーボン蒸着面がリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した処理済みの面である透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).例文帳に追加

半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリア性フィルム１１は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム１１１と、前記基材フィルム１１１の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層１１２と、前記易接着層１１２上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層１１３とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

Here, a mixed gas fluorine atom and oxygen atom used as a reactive gas, a metal film other than a connection hole is etched with each layer substantially at the same etching speed at 150°C or above or 150-250°C of a semiconductor substrate.例文帳に追加

この接続孔内部及び層間絶縁膜上に少なくとも２層以上からなる金属膜を形成した後、接続孔以外の金属膜をエッチング除去するエッチング方法において、反応性ガスとして、フッ素原子を含むガスと、酸素原子を含むガスとの混合ガスを用い、半導体基板温度を１５０℃以上あるいは１５０〜２５０℃の条件で接続孔以外の金属膜を各層とも実質的に同じエッチング速度でエッチングする。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁