「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To accurately control a groove depth in a method for manufacturing a stamper for an optical disk substrate using RIE (Reactive Ion Etching).例文帳に追加

ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた光ディスク基板用スタンパの製造方法において、正確な溝深さ制御を可能とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal line of an inductor which is suitable for removing polymer produced in UTM reactive ion etching.例文帳に追加

ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

An intermediate layer pattern 13a is formed by subjecting the intermediate layer 13 to reactive ion etching by using the upper resist pattern 14a as a mask.例文帳に追加

この上層レジストパターンをマスクとして中間層に反応性イオンエッチングが施され、中間層パターン１３ａが形成される。 - 特許庁

The hard mask of a circular dot pattern is formed on a silicon substrate (100), and a circular silicon pillar is formed by reactive ion etching.例文帳に追加

シリコン基板（１００）上に円形ドットパターンのハードマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより円形状のシリコンピラーを形成する。 - 特許庁

To provide a reactive ion etching apparatus that is adaptable to a fine work smaller 0.3 μm width, without substantially changing the structures of a cathode-coupled etching apparatus and a three-electrode etching apparatus, which are used conventionally.例文帳に追加

本発明の課題は、従来用いられてきた陰極結合型エッチング装置及び３電極型エッチング装置の構造を実質的に変えることなく０．３μｍ幅以下の微細加工に対応できる反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

Then a mixture of gas including carbon and fluoro-compound is supplied as an etching gas into the chamber for the reactive ion etching, and CH2F2 gas is introduced as a factor for increasing etching selective ratio between the material film and a lower film.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチング用チャンバ内にエッチングガスとして 炭素及びフルオロを含む混合ガスを供給し、物質膜と下部膜との間のエッチング選択比を増加させるための選択比増加ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガスを供給する。 - 特許庁

The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.例文帳に追加

単結晶アルミナ表面に窒素を含む化合物からなるエッチングマスクを形成する工程と、単結晶アルミナをエッチングマスクを用いてホウ素と塩素を含むプラズマによる反応性イオンエッチングを行う工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a reactive ion etching device capable of facilitating etching in microfabrication on a width of 0.3 μm or smaller without causing etch stop by using magnetic neutral loop discharge.例文帳に追加

本発明の課題は、0.3μｍ幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁

In this case a flow rate of a coolant at a base member for supporting the silicon wafer is changed during the reactive etching, and then the outline is obtained because of a change in temperatures of the silicon wafer during the etching.例文帳に追加

この輪郭は、エッチングの間にシリコンウエーハの温度を変化するために、反応性イオンエッチングの間にシリコンウエーハを支持する基礎部材における冷媒の流速を変化することによって得られる。 - 特許庁

Then, there is no possibility that the lower electrode is etched by plasma when plasmatizing reactive gas for dry etching to form a pattern of the piezoelectric thin film by etching the piezoelectric thin film by the plasma.例文帳に追加

従って、ドライエッチング用の反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマにより圧電体薄膜をエッチングして圧電体薄膜のパターンを形成する際に、下部電極がプラズマによりエッチングされるおそれがない。 - 特許庁

The method of manufacturing a solar battery comprises a step of forming a concavity and a convexity on the surface of a polysilicon substrate by a reactive ion etching method using first etching gas comprising H_2O.例文帳に追加

Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

Thereafter, a reactive ion etching process is used to form the pins in the silica wafer by etching away a predetermined amount of the top surface from the silica wafer that is not covered by the photoresist material.例文帳に追加

その後、シリカウエハからフォトレジスト材で覆われていない上面のあらかじめ定められた量をエッチング除去することによりシリカウエハにピンを形成するために、反応性イオンエッチングプロセスが用いられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a more stable and efficient working stage of a recording gap and a magnetic core of a thin film magnetic head utilizing reactive etching.例文帳に追加

反応性エッチングを利用した薄膜磁気ヘッドの記録ギャップ及び磁気コアの加工工程をより安定的に、かつ効率的なものにすること。 - 特許庁

To provide a method for in-situ cleaning of walls of a reactive ion etching chamber to remove contamination, e.g. copper containing contamination from the walls.例文帳に追加

銅含有汚染物などの汚染物を壁から除去するために、反応性イオンエッチングチャンバの壁をその場洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In this case, since the etching stops at the front surface of the stopper film 7, generation of reactive products such as TiF and AlF can be controlled.例文帳に追加

このとき、ストッパー膜７の表面でエッチングがストップするので、ＴｉＦやＡｌＦなどの反応生成物の発生を抑制することができる。 - 特許庁

In the plasma working device 1, the surface of a work is subjected to working by utilizing reactive etching by low temperature plasma under pressurization or under atmospheric pressure.例文帳に追加

加圧又は大気圧下での低温プラズマによる反応性エッチングを利用して加工物の表面を加工するプラズマ加工装置１である。 - 特許庁

Masks 12, 14 are arranged on an SiO2 substrate 10, having a refractive index of 1.444, the substrate 10 is etched reactive ion etching(RIE) method (a).例文帳に追加

屈折率１．４４４のＳｉ０_２基板１０上にマスク１２，１４を配置し、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法により基板１０をエッチングする（ａ）。 - 特許庁

Through reactive ion etching, the power supply film 12 in a region exposed from the plating film 15 is removed, and a desired wiring pattern 16 is obtained.例文帳に追加

ついで、反応性イオンエッチングによりメッキ被膜１５から露出した領域の給電膜１２を除去し、所望の配線パターン１６を得る。 - 特許庁

This treatment system 10 comprises a reactive species generator generating reactive gaseous specifies for chemically removing the deposited materials from the components of the chamber by etching and a process chamber 11 having at least one component which is exposed to the reactive spices and coated with a fluoropolymer.例文帳に追加

本処理システム10は、堆積した材料をチャンバコンポーネントから化学的にエッチング除去するための反応ガス種を発生させる反応種発生器と、その反応種に暴露される少なくとも一つのフッ素重合体被覆されたコンポーネントを有するプロセスチャンバ11とを含む。 - 特許庁

The apparatus includes a reactive species generator adapted to generate a reactive gas species for chemically etching the accumulated material from chamber components, and a processing chamber having at least one component with a mirror polished surface which is exposed to the reactive species.例文帳に追加

本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。 - 特許庁

In a cleaning method, a cleaning etching gas is used for removing a film stuck to a wall of a reactive tube 16 and a part in the reactive tube 16 of a reduced CVD system 10.例文帳に追加

本クリーニング方法は、クリーニング用エッチングガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置の反応管の壁及び反応管内に設けられた部品の壁に付着した被クリーニング膜をエッチング除去するガスクリーニング方法である。 - 特許庁

A gas in which an Ar+CH_4 gas is added to a reactive gas is used as an etching gas when an insulating film formed on a sample is etched by changing the reactive gas into plasma while applying a high-frequency voltage to the sample.例文帳に追加

反応性ガスをプラズマ化するとともに試料に高周波電圧を印加して、試料に形成された絶縁膜をエッチングする際に、エッチングガスとして反応性ガスにＡｒ＋ＣＨ_４ ガスを添加したガスを用いる。 - 特許庁

The anisotropic etching method includes a crystal anisotropic etching step for performing crystal anisotropic etching of a substrate having a mask of a prescribed shape on the surface under prescribed conditions, by reactive ion etching using a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8, or a mixed gas containing SF_6 and C_4F_8 and O_2.例文帳に追加

異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。 - 特許庁

To provide a wet etching method that enables uniform wet etching by sufficiently suppressing the retention of "bubbles generated by reactive generated gas" on a surface of a semiconductor wafer even when patterns formed by wet etching are reduced in size.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing device forms the mask layer in the shape of islands with a second etching gas chemically reactive with the mask layer so as to expose a part of the substrate.例文帳に追加

そして、製造装置は、マスク層に対して化学反応を示す第二のエッチングガスで、マスク層を島状に形成し、基板の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

Moreover, an SF_6 gas is introduced, and the electrical insulation films 12 on the bottom faces of the grooves 16 are removed through reactive ion etching to expose the silicon of the substrate 7.例文帳に追加

更にＳＦ_6ガスを導入して、反応性イオンエッチングにより、溝１６の底面の電気絶縁膜１２を除去し、基板７のシリコンを露出させる。 - 特許庁

A light-sensitive mask 510 is formed to cover a desired sensor are therewith, and reactive ion etching (RIE) is performed to transfer a pattern of the light-sensitive mask 510 onto a low order ARC layer 508.例文帳に追加

光電性マスク510を形成して所望のセンサ領域を覆い、リアクティブ・イオン・エッチング（RIE）を実行して、光電性マスク510のパターンを下位のARC層508上に移す。 - 特許庁

Next, the shading film 15 on the photodiode is removed by reactive ion etching containing sulfur hexafluoride and chlorine but not containing oxygen.例文帳に追加

次に、フォトダイオード上の遮光膜１５を六弗化硫黄と塩素とを含み酸素を含まないエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去する。 - 特許庁

The diffraction grating layer 41 is etched by the reactive ion etching using the hydrogen gas at the thus determined flow, whereby forming a pattern 12a of a diffraction grating 12.例文帳に追加

決定された流量の水素ガスを用いた反応性イオンエッチングによって回折格子層４１をエッチングし、回折格子１２のパターン１２ａを形成する。 - 特許庁

On the basis of the conversion difference D1 and the correlation data, a flow of a hydrogen gas used for the reactive ion etching of the diffraction grating layer 41 is determined.例文帳に追加

その変換差Ｄ１と相関データとに基づいて、回折格子層４１の反応性イオンエッチングのための水素ガスの流量を決定する。 - 特許庁

Then, the magnetic layer 26 is selectively etched by reactive ion etching with the second layer 27b as a mask, and the first layer 27a is formed.例文帳に追加

次に、第２の層２７ｂをマスクとして、反応性イオンエッチングによって磁性層２６が選択的にエッチングされて、第１の層２７ａが形成される。 - 特許庁

Then, a silicon mask 50a and the DLC film 42 are simultaneously etched through reactive ion etching (RIE), by using the mixed gas of tetrafluorocarbon (CF4) and oxygen.例文帳に追加

次に、テトラフルオロカーボン（ＣＦ_４）と酸素との混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、シリコンマスク５０ａとＤＬＣ膜４２とを同時にエッチングする。 - 特許庁

A load chamber 102 introducing a wafer W is connected to an RIE apparatus 1 performing reactive ion etching treatment to the wafer W via a gate valve 101.例文帳に追加

ウエハＷを導入するロード室１０２とウエハＷをリアクティブ・イオン・エッチング処理するＲＩＥ装置１とが、ゲートバルブ１０１を介して接続されている。 - 特許庁

Then the sectional area of the magnetic pole part layer 11a obtained by the reactive ion etching is slightly etched by ion milling to remove deposited materials.例文帳に追加

次に、反応性イオンエッチングによって得られた磁極部分層１１ａの断面をイオンミリングによってわずかにエッチングして、付着物を除去する。 - 特許庁

After a magnetic layer is formed on a flat substrate, a portion of the magnetic layer is removed by a reactive ion etching method and a dielectric layer is formed thereon.例文帳に追加

平坦な基板上に磁性層形成後、反応性イオンエッチング法で磁性層の一部を除去し、かつその上に誘電体層を形成する。 - 特許庁

A microwave is introduced from a waveguide 16 into the ion gun chamber 13 to ionize the reactive etching gas, and the etalon substrate 11 is etched for a prescribed time.例文帳に追加

そして、導波管１６よりイオン銃室１３内にマイクロ波導入し、反応性エッチングガスをイオン化して、エタロン基板１１を所定時間だけエッチングする。 - 特許庁

The stamper has a form corresponding to the fine pattern, and is formed by decreasing the reactive ion etching rate to about 1/3 of the normal process.例文帳に追加

スタンパは、上記微細パターンに対応する形状を有し、製造時に反応性イオンエッチングのレートを、通常の１／３程度に落として形成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the device having 3-dimensional tapered structure, after a core 2 is formed on a substrate 1, an etched surface 2a is formed by etching a part of the core 2 with reactive ion etching, and also grooves 3 are formed on the surface of the core 2 which is not etched.例文帳に追加

基板１上にコア２を形成後、反応性イオンエッチングによりコア２の一部のエッチングを行い、エッチング面２ａを形成すると共に、エッチングされていないコア２の表面に溝３を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film element in which the generation of any damage can be suppressed by allowing stable etching to progress even at the time of forming the thin film element by using reactive ion etching on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に反応性イオンエッチングを用いて薄膜素子を形成する場合においても安定なエッチングを進行でき、ダメージの発生が抑制された薄膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, both sides of the layer structure are removed by dry etching with a reactive ion etching device while its variable applied current is alternately changed between 0 V and 500 V, so that the sectional shape of the active layer may become trapezoidal, that is, the lower side of the substrate is shorter than the upper side thereof.例文帳に追加

次に、これらの層構造の両側部を除去するドライエッチングを、印加電圧が可変の反応性イオンエッチング装置を用い、印加電圧を０Ｖと５００Ｖとの間で交互に変化させて行う。 - 特許庁

With use of the mask and an RIE(reactive ion etching) method, removal of resist using an oxygen gas, etching of the film 3 and removal of a silylation layer 8 formed on a resist are repeated.例文帳に追加

次に、このマスクを用いて、ＲＩＥ法により、酸素ガスを用いたレジストの除去、ＣＨＦ_3とＣＦ_4とＡｒとの混合ガスにより、層間絶縁膜３のエッチング及びレジスト表面のシリル化層８除去を繰り返す。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for precisely treating an area to be etched of a workpiece with the use of a reactive ion etching process using a carbon monoxide gas including a nitrogen-containing compound gas, as a reactant gas.例文帳に追加

含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁