「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, by using a parallel planar reactive ion etching device and making the ions of a BCl_3 gas and an N_2 gas be incident on the surface of the semiconductor 1, the exposed surface of the semiconductor 1 is etched.例文帳に追加

次に、平行平板型リアクティブイオンエッチング装置を用いて、半導体１の表面に対してＢＣｌ_3ガスとＮ_2ガスとのイオンを入射させることにより、露出した半導体１の表面をエッチングする。 - 特許庁

The method is performed by a reactive ion etching by using a mask, plasma and a fluorinated organic compound arranged on a substrate, and the fluorinated organic compound is provided in solid polymer form.例文帳に追加

この方法は基板上に配置したマスクおよびプラズマならびにフッ素含有有機化合物を用いて反応性イオンエッチングによって行われ、フッ素含有有機化合物は固体ポリマーの形態で設けられる。 - 特許庁

The step of selectively etching areas of the second region exposed by the discontinuous IrOx film includes exposing the substrate to an etchant that is more reactive with the second material than the IrOx.例文帳に追加

非連続的なＩｒＯｘ膜によって露出された第２の領域の範囲の選択的なエッチングは、ＩｒＯｘより第２の材料とよく反応するエッチャントに基板をさらすことを含む。 - 特許庁

To provide a plasma composition for dry-etching a stack of at least very chemically reactive materials for use of plasma using chlorine as a base, and a using method thereof.例文帳に追加

本発明は、塩素をベースとするプラズマの使用のために化学的に非常に反応的な少なくとも一つの物質のスタックをドライエッチングするためのプラズマ組成、及びその使用方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate the differences in levels within chips after copper plating by selectively removing the build-up segments of a projecting shape produced on the surface of a copper plating film without using lithography and reactive ion etching techniques.例文帳に追加

リソグラフィー技術や反応性イオンエッチング技術を用いることなく、銅メッキ膜表面に生じている凸状の盛り上がり部分を選択的に除去して、銅メッキ後のチップ内段差の解消を図る。 - 特許庁

To provide a two-or three-dimensional periodic structure by processing a dielectric multilayer with a reactive ion etching and forming a groove excellent in perpendicularity having a high aspect ratio with high processing efficiency.例文帳に追加

誘電体多層膜を反応性イオンエッチングにより加工し、アスペクト比が高く、垂直性の優れた溝を高い加工効率で形成し、２次元もしくは３次元周期構造体を提供する。 - 特許庁

A double refraction layer is formed on a substrate and reactive ion etching is performed after a desired patterning is performed onto the double refraction layer to form a plurality of pits having different depth in the surface of the double refraction layer.例文帳に追加

基板上に複屈折層を形成し、当該複屈折層に所望のパターニングをした後に反応性イオンエッチングを施すことによって複屈折層に深さの異なる複数のピットを形成する。 - 特許庁

According to this process, since the difference in pressure on the inside and outside of the contact hole 13 is small, a reactive product can be easily discharged with the flow of gas, and any deposit which will cause the stop of etching is never left.例文帳に追加

これによれば、コンタクトホール１３の内外の圧力差が小さいため反応生成物はガス流によって容易に排出され、エッチストップを引き起こす堆積物が溜まることはない。 - 特許庁

At normal etching, the silicon plate 7 and the vacuum reactive vessel 1 are controlled for temperature, with the silicon plate 7 acting as an insulator while controlled to the temperature of vacuum reactive vessel 1 or above, for preventing formation of a deposition film on the vacuum plane of the silicon plate 7.例文帳に追加

通常のエッチング時においては、更にこのシリコン製プレート７と真空反応容器１との温度を制御し、シリコン製プレート７を絶縁体として作用させ、且つ真空反応容器１の温度以上に制御することで、シリコン製プレート７の真空面にデポジション膜が形成されることを防止する。 - 特許庁

When through holes such as through trenches 4 are formed on one of the surfaces of the etched product by performing dry etching such as reactive ion etching, dry etching is performed while a conductor, which has a higher electrical conductivity than the etched product, is in contact with a region having through holes to be formed or a region around through holes on the other surface of the etched product.例文帳に追加

被エッチング物の一方の面側から反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを行うことにより貫通トレンチ４のような貫通孔を形成する場合に、被エッチング物の他方の面の少なくとも貫通孔の形成予定領域またはその近傍に被エッチング物よりも電気伝導度が高い導電体を接触させた状態でドライエッチングを行う。 - 特許庁

By raising temperature at the periphery of the dielectric wall during etching process, the reactive products are prevented from sticking even to the periphery of the dielectric wall 2, suppressing the occurrence of particles.例文帳に追加

そして、エッチング処理中に、誘電体壁の周縁部の温度を高めることにより、誘電体壁２の周縁部においても反応生成物が付着することが防止され、パーティクルの発生を抑制することができる。 - 特許庁

Then, a resist pattern 40 having an opening is formed at a part to form the main magnetic pole 32 and the side shield 36, reactive ion etching is performed with the resist pattern 40 as a mask, and an opening is formed on the nonmagnetic insulating film 37.例文帳に追加

次に、主磁極３２とサイドシールド３６を形成する部分に開口部を有するレジストパターン４０を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜３７に開口部を形成する。 - 特許庁

To provide an optical film having enhanced adhesiveness between a TAC (triacetyl cellulose) substrate and PVA or an optical thin film, one surface of the substrate subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

一方の面にプラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施されたＴＡＣ基材とＰＶＡ、光学薄膜との密着性を強化する光学フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the operation cost of a device for less investment in a facility, for removing injury by separating a large amount of non-reactive gas currently discharged into the air for circulation for reuse or recovery, and to save energy by reducing the load on a pump which exhausts etching gases.例文帳に追加

現在大気中へ放出されている多量の未反応ガスを分離し、循環して再使用あるいは回収することによって、装置の運転コストを低減し、除害設備への投資も軽減する。 - 特許庁

Since the reactive product that sticks to the shower plate reduces, such effects are provided as the suppression of occurrence of particles, the suppression of secular change of etching performance, and an improvement in operating rate due to the elongation of a wet-cleaning cycle.例文帳に追加

シャワープレートに付着する反応生成物が減少するため、パーティクルの発生の抑制、エッチング性能の経時変化の抑制、ウエットクリーニング周期が長くなることによる稼働率が向上する等の効果がある。 - 特許庁

A groove is cut in the surface of a silicon base material 1 by a reactive ion etching method, at a position at which a gourd ring 3 is formed, and silicon different in characteristics from the silicon base material is deposited in the groove for the formation of the guard ring.例文帳に追加

シリコン母材１表面のガードリング３を形成すべき箇所に、反応性イオンエッチングにより溝を形成し、この溝に母材と特性の異なるシリコンを堆積させて、ガードリング３を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁

Since the dielectric body consisting of ceramic having plasma resistance is installed between the cathode and the anode, the organic substance sputtered by the RIE (Reactive Ion Etching) is prevented from being stuck on the anode side.例文帳に追加

カソードとアノード間にプラズマ耐性を有したセラミックなどからなる誘電体が設置されていることで、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によりスパッタされた有機物がアノード側に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

An after-etching treatment contains a method, where a plasma or a gas which contains at least a reactive hydrogen-containing seed is brought into contact with the etched features.例文帳に追加

エッチング後の処理方法には、反応性の水素含有種の少なくとも１つを含むプラズマ、又は、反応性の水素含有種を少なくとも１つ含むガスと、エッチングされた特徴部とを接触させることを含む。 - 特許庁

Only silicon tetrachloride is used for an etching gas when a cathode is formed on a n-type semiconductor layer by removing a part of a light emitting layer and a p-type semiconductor layer in reactive-ion etching process after the n-type semiconductor layer, light emitting layer and p-type semiconductor layer are sequentially laminated on a substrate.例文帳に追加

基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層をこの順序で積層した後、発光層およびｐ型半導体層の一部を反応性イオンエッチング法により除去してｎ型半導体層上に負極を形成する際に、エッチングガスに四塩化珪素のみを用いる。 - 特許庁

A silicon single crystal ingot 20 which does not include COP (Crystal-Originated Particles) and dislocation clusters is grown by a CZ (Czochralski) method, a silicon wafer is cut out from the silicon single crystal ingot 20, and the silicon wafer as-grown is subjected to reactive ion etching, thus a grown-in defect including silicon oxide is actualized as a projection on an etching face.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

The etching resist ink is obtained from a photosetting composition obtained by emulsifying a composition, containing acid-group containing resin, a reactive prepolymer, and/or a reactive monomer and a photopolymerization initiator with an emulsifier and characterized in that the ink contains a resoluble surface active agent as the emulsifier and the acid group is substantially not neutralized.例文帳に追加

酸性基含有樹脂、反応性プレポリマーおよび／または反応性モノマー、光重合開始剤を含む組成物を、乳化剤によりエマルジョン化した光硬化性組成物から得られるエッチングレジストインクであり、乳化剤として分解性界面活性剤を含有し、かつ実質的には酸性基が中和されていないことを特徴とするエッチングレジストインクである。 - 特許庁

The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加

システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁

A magnetron reactive ion etching device 1 is equipped with a unit composed of electrodes which are opposed to each other sandwiching a semiconductor device 3 between them, a high-frequency power supply 9 which generates an electronic field on the unit of electrodes, a dipole ring magnet 23, and a switching mechanism 25.例文帳に追加

マグネトロン反応性イオンエッチング装置１は、半導体装置３を挟んで対向する電極ユニットと、電極ユニットに電界を形成する高周波電源９と、ダイポールリング磁石２３と、切換機構２５とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor element is constituted in a structure that a high-concentration B-doped semiconductor diamond layer is formed on an insulative high-pressure synthetic diamond single crystal substrate 1, and semiconductor layers 2a and 2b used as source and drain regions are formed on the substrate 1 by a reactive ion etching.例文帳に追加

絶縁性の高圧合成ダイヤモンド単結晶基板１上に、高濃度Ｂドープ半導体ダイヤモンド層を形成し、反応性イオンエッチングにより、ソース及びドレイン領域となる半導体ダイヤモンド層２ａ及び２ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a device and a method for protecting the internal component of a semiconductor treatment device such as a plasma reactor or a reactive species generator from physical damage and/or chemical damage in an etching process and/or a cleaning process.例文帳に追加

エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress the thickness of an RIE(reactive ion etching) resist film within a specific range by forming a metallic pattern having a high RIE resistance on an organic film by the lift off method, and performing RIE on the organic film by using the metallic pattern as a resist.例文帳に追加

反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etchting）を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をＲＩＥレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the silicon layer 8 is patterned with dry etching using a reactive gas with the second inorganic film 8 used as a mask, an ion 12 is implanted into the silicon substrate 2 in energy of 5 MeV to 8 MeV using the silicon layer 6 as a mask.例文帳に追加

さらに、第２の無機膜８をマスクとする反応性ガスを用いたドライエッチングによりシリコン層６をパターン化し、このシリコン層６をマスクとして、５ＭｅＶないし８ＭｅＶのエネルギーでシリコン基板２にイオン１２を注入する。 - 特許庁

Then, reactive ion etching is carried out by O_2/CF_4, the second carbon and silicon films not covered with the resist pattern for forming the projection are removed, and a third carbon film is formed on the first carbon film exposed in the removed parts.例文帳に追加

次に、Ｏ_2／ＣＦ_4による反応性イオンエッチングを行い、突起形成用レジストパターンで覆われていない第２カーボン膜及び第２シリコン膜を除去し、除去部分に露出した第１カーボン膜上に第３カーボン膜を形成する。 - 特許庁

A silicon substrate 101 is selectively etched by RIE (Reactive Ion Etching) using a silicon oxide layer 104 as a mask to form a through-hole 106 reaching one surface of the silicon substrate 101 (an interface with a buried oxide layer 102).例文帳に追加

酸化シリコン層１０４をマスクとしたＲＩＥにより、シリコン基板１０１を選択的にエッチングすることで、シリコン基板１０１の一方の面（埋め込み酸化層１０２との界面）に到達する貫通孔１０６を形成する。 - 特許庁

When high frequency power is applied from the electrode 12 to the gas 20 for electric discharge, and plasma for the gas 20 for electric discharge is generated, the solid source 18 is struck by the plasma, components of the solid source 18 are integrated into gas, and reactive etching gas is generated.例文帳に追加

電極１２から放電用ガス２０に高周波電力が印可されて放電用ガス２０のプラズマが発生すると、このプラズマにより固体ソース１８がたたかれ、固体ソース１８の成分がガス化し、反応性エッチングガスとなる。 - 特許庁

Then, after a protective oxide film 11 is formed on the inner wall of the trench 4, the film 11 formed on the bottom of the trench 4 is etched by reactive ion etching together with the substrate 1 which forms the bottom of the trench 4.例文帳に追加

次に、トレンチ４の内壁に保護酸化膜１１を形成したのち、反応性イオンエッチングによりトレンチ４の底部に配置された保護酸化膜１１をエッチングすると共に、トレンチ４の底部においてＳｉ基板１のエッチングを進める。 - 特許庁

When the surface of a material to be etched is etched by reactive ions by an etching gas, a fluorine-containing plasma is used mainly comprising a gas, containing at least fluorine atoms and mixing an inert gas, and a halogen gas with these gas containing at least fluorine atoms.例文帳に追加

被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングする際に、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いる。 - 特許庁

The objective etching method comprises alternately introducing a reactive gas and an inert gas into a reaction chamber 1 in a pulsed way, and applying a high-frequency power to a stage 4, only when introducing the inert gas into the reaction chamber 1.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガスを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周波電力を印加することを特徴とするものである。 - 特許庁

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas.例文帳に追加

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device for removing a metal bonded to the surface and sidewalls of wiring, a polymer caused by a resist and the residue of an alteration layer without thinning the wiring by etching, in post-treatment by which wiring constituted of aluminum or an aluminum alloy is formed by reactive-ion etching.例文帳に追加

リアクティブイオンエッチングを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An upper part photoresist layer 18 which is relatively thin is patterned with an improved resolution and, next, an intermediate metal or a ceramic layer 16 is stipulated by using the upper part photoresist layer 18 as a reactive ion etching(RIE) mask and the lowermost thick photoresist layer 14 is stipulated in a second RIE process by using the intermediate layer as an etching mask.例文帳に追加

改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層（１８）がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）マスクとして利用し中間金属またはセラミック層（１６）が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層（１４）が第２のＲＩＥプロセスにおいて規定される。 - 特許庁

A magnetic reproducing head 1 is provided with a stopper layer 12 having a core width length corresponding to magnetic domain control films 17 provided at both sides of a core width direction of a magneto-resistance effect film 13A between a lower part shield layer 11 and the magneto-resistance effect film 13A, the stopper layer 12 is formed by using a soft magnetic material having etching durability for reactive ion etching.例文帳に追加

磁気再生ヘッド１は、下部シールド層１１と磁気抵抗効果膜１３Ａとの間に、磁気抵抗効果膜１３Ａのコア幅方向の両側に設けられる磁区制御膜１７に対応したコア幅長さを有するストッパ層１２を備え、ストッパ層１２は、反応性イオンエッチングに対するエッチング耐性を有する軟磁性材料を用いて形成される。 - 特許庁

The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 - 特許庁

DRIE (Deep Reactive Ion Etching) is executed from the surface 153b side, the silicon substrate 153 is selectively removed by using the rough comb mask pattern 155 as a mask, and the silicon substrate 151 is selectively removed by using the comb electrode mask pattern 152a as a mask.例文帳に追加

面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。 - 特許庁

The manufacturing device etches the fine particles and a part of the surface processing layer with a first etching gas chemically reactive with the fine particles and the surface processing layer so as to form the surface processing layer in the shape of islands and exposes a part of a surface of the mask layer.例文帳に追加

そして、製造装置は、微粒子と表面加工層とに対して化学反応を示す第一のエッチングガスで、微粒子と、表面加工層の一部をエッチングして表面加工層を島状に形成し、マスク層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

Then the water repellent agent 14a entering the inside of the nozzle 2 is removed, and moreover ashing is carried out by reactive ion etching with an oxygen gas introduced from a rear face of the nozzle plate 6 so as to alter an inner wall of the nozzle 2 to be hydrophilic.例文帳に追加

次に、ノズル２の内部に入り込んだ撥水剤１４ａを除去し且つノズル２の内壁を親水性に変質させるように、ノズル板６の裏面側から酸素ガスを導入した反応性イオンエッチング処理により、アッシングを行う。 - 特許庁

By forming the dielectric layer 13 including aluminum between the silicon nitride layer 12 and the dielectric layer 14 including silicon and oxygen, the damage on the surface of the semiconductor material 10 by exposure to the high output reactive ion etching is prevented.例文帳に追加

窒化シリコン層１２と、シリコンおよび酸素から成る誘電体層１４との間にアルミニウムから成る誘電体層１３を形成することによって、高出力反応性イオン・エッチングに晒すことによる半導体物質１０表面への損傷を防ぐ。 - 特許庁