「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Wet etching is applied to the surface layer of the aluminum wire to float and peel off the reactive product.例文帳に追加

ウェットエッチングによりアルミニウム配線の表層をエッチングし、反応生成物を浮き上がらせて剥離する。 - 特許庁

The pre-cleaning process includes a wet etching cleaning process, before reactive plasma treatment is performed.例文帳に追加

事前クリーニング工程には、反応性プラズマ処理が行われる前のウェットエッチング洗浄工程も含まれる。 - 特許庁

In the end, a circuit pattern is formed by photolithography and an element having 3-dimensional tapered surfaces is obtained by etching the core 2 with the reactive ion etching.例文帳に追加

最後に、フォトリソグラフィにより回路パターンを形成し、反応性イオンエッチングでコア２をエッチングすることにより、三次元テーパ面７を有する素子を得る。 - 特許庁

The metal film 110 is selectively etched thereafter to be removed by a dry etching method such as reactive ion etching method, for example, using the resist pattern 111 as a mask.例文帳に追加

この後、レジストパターン１１１をマスクとし、例えばリアクティブイオンエッチングなどのドライエッチング法により金属膜１１０を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加

大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10％以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The device layer 43 is vertically etched by using the mask 45 as an etching mask until the internal layer 41 is exposed by a reactive ion dry etching method (Fig. C).例文帳に追加

マスク４５をマスクとしてデバイス層４３を、反応性イオンのドライエッチングにより、中間層４１が露出するまで垂直にエッチングする（図１０Ｃ）。 - 特許庁

In the surface roughening method for a semiconductor substrate to roughen the surface of the semiconductor by the reactive ion etching method, after forming an oxide film on the surface of the semiconductor substrate, perform surface roughening by the reactive ion etching method.例文帳に追加

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。 - 特許庁

Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.例文帳に追加

サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

When the tantalum cap is removed due to a fluorine reactive-ion etching, a tantalum/fluorine byproduct having low volatility remains.例文帳に追加

フッ素反応性イオンエッチングでタンタルキャップを除去すると、揮発性の低いタンタル/フッ素副生成物が残る。 - 特許庁

To reduce dispersion of surface treatment (such as etching) in a substrate surface in a dry process using a reactive gas.例文帳に追加

反応性ガスを用いたドライプロセスにおいて、基板面内での表面処理（エッチングなど）のばらつきを低減する。 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

After the sensor stack body is formed by ion milling, the hard mask may be removed by reactive ion etching.例文帳に追加

センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。 - 特許庁

When a reactive ion etching method is carried out, the semiconductor substrate 101 is kept at a temperature of 80 to 150°C.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を行っている時には、半導体基板１０１を８０乃至１５０℃にしておく。 - 特許庁

Then, the layer 4 is made flat by grinding technique and is made thinner by reactive ion etching.例文帳に追加

この中間クラッド層４を研磨技術により平坦化してから、反応性イオンエッチングにより薄くしていく。 - 特許庁

Thereafter, the SiC layer 9 is patterned by applying reactive ion etching by a SF_6 gas to the SiC layer 9.例文帳に追加

次に、ＳｉＣ層９に対してＳＦ_６ガスにより反応性イオンエッチングを施し、ＳｉＣ層９をパターニングする。 - 特許庁

To provide a glass system which behaves advantageously in the construction of a microstructure, especially in a process comprising reactive ion etching.例文帳に追加

微細構造構築時、特に反応性イオンエッチングの方法時に有利に挙動するガラス系を提供する。 - 特許庁

Through anisortopic reactive ion etching, the double-fitting opening part is formed in the composite insulation layer.例文帳に追加

異方性反応イオンエッチングで複合絶縁層において二重嵌入開口部を形成することを特徴とする。 - 特許庁

When the etching is performed, after the reactive gas is introduced from the reactive gas inlet, the flash lamp emits light to irradiate its light to the sample substrate at predetermined times.例文帳に追加

エッチングの際には、反応性ガス供給口から、反応性ガスを導入した後、フラッシュランプを発光させ、試料基板に、フラッシュランプ光を所定回数照射する。 - 特許庁

An reactive ion is formed by generating plasma in a vacuum container 12, an etching material 30 provided in the vacuum container 12 is dry-etched by the reactive ion.例文帳に追加

真空容器１２内にプラズマを発生させて反応性イオンを生成し、真空容器１２内に設けられた被エッチング材料３０を、反応性イオンによりドライエッチングする。 - 特許庁

A piezoelectric thin film wafer 1 equipped with a piezoelectric thin film 4 on a substrate 2 is manufactured by a first processing step of performing ion etching using a gas including Ar and a second processing step of performing reactive ion etching using a mixed etching gas of a reactive gas and Ar.例文帳に追加

基板２上に圧電体薄膜４を備えた圧電体薄膜ウェハ１は、Ａｒを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第１の加工工程と、反応性ガスとＡｒとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第２の加工工程とにより製造される。 - 特許庁

Then the application of dry etching to a crystal wafer 1 by an RIE (reactive ion etching) method to form nearly a cross-sectional tapered shape on the end face of the crystal element chip 1a.例文帳に追加

そして、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法により水晶ウェハ１をドライエッチングすると、水晶素子片１ａの端面に略断面テーパー形状が形成される。 - 特許庁

A II-VI compound semiconductor crystal substrate is etched at room temperature by reactive ion etching using mixed gas of methane (CH_4) and hydrogen (H_2) as etching gas.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体結晶基板を、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにて常温でエッチングを行う。 - 特許庁

Next, reactive ion etching using CH4 and H2 as an etching gas is executed to remove the part of the thin-film lamination structure except a semiconductor element forming region selectively.例文帳に追加

次に、エッチングガスとしてＣＨ_4 及びＨ_2 を用いた反応性イオンエッチングで前記薄膜積層構造の半導体素子形成領域以外の部分を選択的に除去する。 - 特許庁

Cl2, Ar and CF4, and an AlCu film 14 and a Ti/TiN film 13 are etched through a mask using the resist film by RIE(reactive ion etching).例文帳に追加

次に、前記レジスト膜をマスクとして、ＡｌＣｕ膜１４、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１３がＲＩＥによりエッチングされる。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for controlling a temperature of a semiconductor wafer during reactive ion etching and similar processes.例文帳に追加

反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Finally, the underlying film 12 is subjected to reactive ion etching with fluorine based gas and removed completely thus exposing the substrate 11.例文帳に追加

ついで、フッ素系ガスにより下地膜１２を反応性イオンエッチングして完全に除去し、基板１１を露出させる。 - 特許庁

To etch a Cu layer and a base layer by one treatment during reactive ion etching with iodine as a principal.例文帳に追加

ヨウ素を主体として反応性イオンエッチング時に、Ｃｕ層及び下地層を一回の処理でエッチングできるようにする。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

The step of forming the groove 12a in the nonmagnetic layer includes the step of taper-etching the nonmagnetic layer by reactive ion etching with an etching gas containing at least BCl_3 and N_2 among BCl_3, Cl_2 and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

According to the method for forming the contact hole of the semiconductor element using the reactive ion etching, a semiconductor substrate having at least more than one material film to be etched is mounted in the chamber for the reactive ion etching.例文帳に追加

本発明の反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法によれば、先ず、エッチングしようとする少なくとも一つ以上の物質膜を有する半導体基板を反応性イオンエッチング用チャンバ内にローディングさせる。 - 特許庁

An insulating film 20 is formed above a substrate 10, and a recess 22 is provided to the insulating film 20 by reactive ion etching or the like.例文帳に追加

基板１０の上方に絶縁膜２０が形成され、絶縁膜２０に反応性イオンエッチングなどにより凹部２２が設けられる。 - 特許庁

A high dielectric constant material may be used as a material that forms a chamber of an inductively coupled type reactive ion etching device.例文帳に追加

誘導結合型反応性イオンエッチング装置のチャンバーをなす材料として高誘電率材料を用いることもできる。 - 特許庁

The ZnSe poly crystal 1 is etched by the reactive ion etching method using chlorine gas which does not included a hydrocarbon group.例文帳に追加

ＺｎＳｅ多結晶体１を炭化水素基を含まない塩素系ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によりエッチングする。 - 特許庁

In an ICP device, a concave is formed through reactive ion etching by introducing an SF_6 gas to a substrate 7 made of silicon.例文帳に追加

ＩＣＰ装置において、シリコンからなる基板７に対し、ＳＦ_6ガスを導入して反応性イオンエッチングにより凹部を形成する。 - 特許庁

In a first step of etching a semiconductor substrate 3, anisotropic deep reactive ion etching is performed using a resist mask 59 having a large number of openings 88 of the same pattern at positions opposing to etching regions 87 independently partitioned to each other.例文帳に追加

半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The dielectric layer 13 including aluminum acts as a stop layer for etching the dielectric layer 14 including silicon and oxygen by a high output reactive ion etching.例文帳に追加

アルミニウムから成る誘電体層１３は、高出力反応性イオン・エッチングによるシリコンおよび酸素から成る誘電体層１４のエッチングのためのエッチ・ストップ層として作用する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device obtaining a good Schottky characteristic or a good ohmic characteristic even in a reactive plasma etching using an etching gas containing silicon.例文帳に追加

シリコンを含むエッチンガスを用いた反応性プラズマエッチングにおいても、良好なショットキー特性あるいはオーミック特性を得ることができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The convex spherical pattern of each resist layer is transferred to the surface of the substrate 10 by a reactive ion etching process using CF_4, as an etching gas, for forming a lens.例文帳に追加

このような状態でＣＦ_４をエッチングガスとする反応性イオンエッチング処理により各レジスト層の凸球面状パターンを基板１０の表面に転写してレンズを形成する。 - 特許庁

Masks 10 are provided in a two-dimensional array to the surface of a silicon substrate 20 by using a material having an etching rate lower than that of silicon, and reactive ion etching is carried out until the masks disappear.例文帳に追加

シリコン基板（２０）の表面に、シリコンよりもエッチング速度の遅い材料を用いて、２次元配列状にマスク（１０）を設け、マスクが消失するまで反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

At evenly scraping the surface of a silicon substrate comprising a horizontal surface and a slope an anisotropic dry-etching method, the etching condition of a reactive ion etching cycle comprising deposition and etching is set to a following condition: E1<D1, D2<E2, and D3<E3.例文帳に追加

水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。 - 特許庁