「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a plasma treating device capable of maintaining reproducibility and reliability of a process at a low cost over a long period time without producing secular change on etching characteristics by controlling a temperature of a reactor inside and a deposition state of a reactive organism to a wall face.例文帳に追加

リアクタ内部の温度と壁面への反応性生物の堆積状態を制御して、エッチング特性に経時的な変化を生じさせることなく、プロセスの再現性・信頼性を、長期間にわたって低コストで維持できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a plastic optical waveguide which can manufacture a core part easily without generating cracks on both sides of the core and which can manufacture an optical waveguide in which an optical transmission loss value is stable and which has a low optical transmission loss in core formation by RIE (Reactive Ion Etching) while using a heat resistive resin.例文帳に追加

耐熱性樹脂を用いながら、ＲＩＥによるコア形成において、コア部の両サイドにクラックを生じないでコア部を設計通りに容易に作製でき、光損失値が安定した低損失な光導波路作製法を提供することにある。 - 特許庁

This composition comprising a polymer having at least one kind of silicon, germanium and tin, and a protective group grafted on the skeleton of the polymer is useful as a resist, has a sensitivity to the radiation for forming an image, and exhibits an enhanced resistance to reactive ion etching.例文帳に追加

シリコン、ゲルマニウム、スズのうちの少なくとも１種類を有する重合体と、重合体の骨格にグラフトさせた保護基を含む組成物は、レジストとして有用であり、像形成する放射に感度を有するとともに、強化された耐反応性イオン・エッチング性を示す。 - 特許庁

The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

Furthermore, the reactive product is dissociated into a solid material, which is to be etched, and the original etching gas.例文帳に追加

処理室１１から排出されるガスや反応生成物あるいは未反応のまま排出されるガスをフィルターやサイクロン等の分離手段５０に導き、エッチングガスと反応生成物とに分離し、さらに、反応生成物をかい離させて、被エッチング材の固形物と元のエッチングガスに別ける。 - 特許庁

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁

The means 4 for plasma discharge treatment is capable of selectively conducting the cleaning treatment for cleaning by bringing the excited inert gas into contact with the base material L, the film deposition treatment for depositing the film by bringing the excited inert gas and the plasmatized reactive gas into contact with the base material L, and the etching treatment for etching by bringing the excited inert gas into contact with the base material L.例文帳に追加

プラズマ放電処理手段４は、励起不活性ガスを基材Ｌに接触させることによって洗浄を行う洗浄処理と、励起不活性ガスおよびプラズマ化した反応性ガスを基材Ｌに接触させることによって製膜する製膜処理と、励起不活性ガスを基材Ｌに接触させることによってエッチングを行うエッチング処理とを、選択的に行う。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

Plural layers 5a-5c for constituting the GMR element 5 are formed on the shield gap layer 4a, a part of the thickness direction of the plural layers 5a-5c is etched by reactive ion etching, the remaining part is etched by ion milling and the GMR element 5 is formed.例文帳に追加

ＧＭＲ素子５を構成する複数の層５ａ〜５ｃはシールドギャップ膜４ａの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層５ａ〜５ｃの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、ＧＭＲ素子５が形成される。 - 特許庁

When a quartz substrate 11 having a pattern of a light shielding film 12 formed on the surface is subjected to etching by using reactive gas plasma, the thickness of the quartz substrate 11 is determined so that the transmittance for the high frequency voltage which transmits through the quartz substrate 11 is ≥80%.例文帳に追加

表面に遮光膜１２によるパターンが形成された石英基板１１を反応性ガスプラズマを利用してエッチングする際、石英基板１１の厚さを、当該石英基板１１を透過する高周波電圧の透過率が８０％以上になる様に設定する。 - 特許庁

In the master optical disk using RIE (reactive ion etching), a resist stored in air at a room temperature is subjected to exposure and development for 200 to 400 hours, preferably 350 hours to make a pattern in which the end of a land projects, and the RIE is carried out by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ＲＩＥを用いた光ディスク原盤作製において、２００時間から４００時間、望ましくは３５０時間以上、室温、空気中で保管したレジストに対して露光、現像を行うことで、ランドの端部が突出したパターンを作製し、そのレジストパターンをマスクとしてＲＩＥを行う。 - 特許庁

In the laminate of the protective film formed on the wafer and the die attach film, the protective film is formed by executing plasma processing using a reactive gas to the surface of a resin film formed from a resin composition containing two or more kinds of resins of different etching rates.例文帳に追加

ウエハ上に形成された保護膜とダイアタッチフィルムとの積層体であって、前記保護膜が、エッチングレートの異なる２種以上の樹脂を含む樹脂組成物から形成される樹脂膜の表面に反応性ガスを用いたプラズマ処理を施して成ることを特徴とする積層体。 - 特許庁

To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.例文帳に追加

多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁

To make the shape of the branching point of a core so that the radiation loss is reduced, relating to a method for manufacturing a Y-branching optical waveguide which is made of a polymer resin material and manufactured by using the techniques of stacking, photo-lithography, and reactive ion etching.例文帳に追加

本発明は積層技術、フォトリソグラフィー技術、反応性イオンエッチング技術を使用して高分子樹脂材料製のＹ分岐光導波路デバイスを製造する方法に関し、コアの分岐点の個所を放射損失の改善がなされた形状となるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a vent gas detoxifying method which can safely and efficiently detoxify a vent gas containing a reactive halogen or a halogen compound gas left in the piping of a cylinder cabinet for supplying gas to an etching apparatus used in the production of semiconductors and liquid crystals, a CVD apparatus, or the like.例文帳に追加

半導体・液晶製造に用いられるエッチング装置やＣＶＤ装置などにガスを供給するシリンダーキャビネットの配管内に残留する反応性の高いハロゲン又はハロゲン化合物ガスを含有するベントガスを、安全に且つ高効率で無害化できるベントガスの除害方法を提供すること。 - 特許庁

In order to make a part of the 2 film (oxide film) 3 at the upper part of the drain regain be about 10 nm in thickness, it is etched by RIE(reactive ion etching, etc.), in a mixed gas of CS4, Ar, and CHF3, to form a tunnel gate oxide film 10.例文帳に追加

次に、ドレイン領域の上部のＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部を、約１０ｎｍ厚にするため、ＲＩＥ（反応性イオンエッチングなど）によりＣＦ_4、ＡｒおよびＣＨＦ_3の混合ガスをでＳｉＯ_2膜（酸化膜）３の一部をエッチングし、トンネルゲート酸化膜１０を形成する。 - 特許庁

Forming the recessed part 20 by reactive etching so as to extend across the oxide film 3 to the interior of the active layer 4, less causes three-dimensional stress concentration to occur on a boundary face between the oxide film and the active layer, less causing cracks, etc. to occur in the boundary face between the oxide film and the active layer.例文帳に追加

凹部２０を、反応性エッチングにより酸化膜３を越えて活性層４の内部まで延長して形成することにより、酸化膜／活性層界面で３次元的な応力集中が起こり難くなり、酸化膜／活性層界面にクラック等が入り難くなる。 - 特許庁

In the laminated film, pretreatment by reactive ion etching (RIE) is applied to at least one side of a polyethylenenaphthalate (PEN) substrate 1, a transparent primer layer 2 is laminated on the surface of the pretreated substrate, and an inorganic compound layer 3 is laminated on the transparent primer layer.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなる基材１の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、前記前処理を施した基材面上に透明プライマー層２を積層し、前記透明プライマー層上に無機化合物層３を積層することを特徴とする積層フィルム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device of a micro pillar array element capable of precisely forming a fine pillar array structure at low cost by using a reactive ion etching method on a polymer material of polymethyl methacrylate (PMMA), poly carbonate (PC), etc. and the micro pillar array element used for a micro fluid chip, etc.例文帳に追加

ＰＭＭＡやＰＣ等のポリマー材料に対して、反応性イオンエッチング法を用いて、正確に微細なピラーアレイ構造を安価に形成することができるマイクロピラーアレイ素子の製造方法と製造装置並びにマイクロ流体チップ等に用いるマイクロピラーアレイ素子を提供する。 - 特許庁

The fine pillar structure is formed on the polymer material by carrying out dry-etching under the condition of process pressure of the reactive ion by mixed gas of more than 0.01 Pa and less than 0.2 Pa by using the mixed gas of oxygen or inactive gas mainly with oxygen and halogen containing gas.例文帳に追加

酸素もしくは酸素を主体とした不活性ガスやハロゲン含有ガスとの混合ガスを用いて、これら混合ガスによる反応性イオンのプロセス圧力を０．０１Ｐａ以上０．２Ｐａ以下の条件にして、ドライエッチングを行い、ポリマー材料に微細なピラー構造を形成する。 - 特許庁

A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加

レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ_4＋Ｏ_2ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ_2ＣＯ_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.例文帳に追加

例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The second resist 24d is treated by photo lithography, the intermediate insulation film 22d and the first resist 20d are treated by reactive ion etching, and the protection film 18d is wet-etched in order, thus forming a contact hole in the protection film 18d without exposing the thin-film metallic resistance 16 in a plasma.例文帳に追加

第２レジスト２４ｄに対するフォトリソグラフィー、中間絶縁膜２２ｄ及び第１レジスト２０ｄに対するリアクティブイオンエッチング、保護膜１８ｄに対するウエットエッチングを順次行うことにより薄膜金属抵抗１６をプラズマに晒すことなく保護膜１８ｄにコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

An aluminum oxide vapor deposition layer of aluminum oxide expressed by the general formula of AlOx (X is 1.5-1.7) is formed on a plasma-pretreated layer formed by applying pretreatment by reactive ion etching (RIE) using plasma on at least one surface of a substrate of a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面にプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理によって設けられているプラズマ前処理層上に、一般式ＡｌＯｘで表され、Ｘが１．５〜１．７の範囲である酸化アルミニウムからなる酸化アルミニウム蒸着層を設ける。 - 特許庁

The laminated film is obtained by subjecting at least one side of a substrate made of polyethylene terephthalate (PET) to preparatory treatment by reactive ion etching (RIE), laminating a primer layer on the treated surface of the substrate, laminating an inorganic compound layer on the primer layer, and laminating a gas-barrier coat layer on the inorganic compound layer.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）による前処理を施し、この前処理を施した基材面上にプライマー層を積層し、このプライマー層上に無機化合物層を積層し、この無機化合物層にガスバリア被覆層を積層する。 - 特許庁

The first mask layer 14 and the magnetic recording layer 13 are etched with reactive ion etching under heating by using a mixed gas composed of gaseous chlorine, gaseous argon, and gaseous oxygen in a vacuum, and using the second mask layer 15a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask.例文帳に追加

真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.例文帳に追加

シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁

Characteristically, a water-repellent treatment layer 4 is provided by applying water-repellent treatment to one side of a base material 2 which is composed of a transparent polymeric material; a thin film 3 of an inorganic compound is formed on the other side of the base material; and the water-repellent treatment is performed by using plasma, particularly in a reactive ion etching mode, in fluorine gas.例文帳に追加

透明性を有する高分子材料からなる基材２の一方の面に撥水処理を施し撥水処理層４を設け、その基材の反対面に無機化合物の薄膜３を形成してなり、前記撥水処理がフッ素ガス中でブラズマ、特にリアクティブイオンエッチングモードのプラズマを用いて行われたことを特徴とする。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

To obtain a satisfactory accuracy of the etching depth by measuring the isotope percentage of a reactive gas by the mass analysis such as quadrupole mass analysis or plasma emission analysis.例文帳に追加

半導体装置製造時のエッチング工程において、同一材料の途中までの溝形成での処理進行状況をインラインで観測する方法を提供し、また従来のエッチング終了検出法で問題であったエッチング停止に対し正確な判定ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.例文帳に追加

トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a polyethylene naphthalate (PEN)/polyethylene terephthalate (PET) co-extrusion film and a vapor deposition layer consisting of a metal or an inorganic compound of 5-100nm thickness is provided on the treated surface of the co-extrusion film to constitute the high performance barrier film.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）／ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）共押し出しフィルムの少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする高性能バリアフィルムである。 - 特許庁

In the reactive ion etching device, including a grounded housing 2, a flat plate electrode 13 disposed in the housing 2 to apply a high-frequency voltage, and a plate member 5 covering a plurality of substrates 4 disposed on the flat plate electrode 13, the plate member 5 is grounded.例文帳に追加

アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 - 特許庁

The inorganic vapor deposition layer of the metal or the inorganic oxide and an organic vapor deposition layer of a 1,3,5-triazine derivative are formed in turn on at least one side of the plastic film substrate, and reactive ion etching (RIE) treatment using plasma is applied to the organic vapor deposition layer.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、金属または無機酸化物からなる無機物蒸着層と１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層とを順次設けると共に、当該１，３，５−トリアジン誘導体からなる有機物蒸着層にはプラズマを利用したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理を施す。 - 特許庁

In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.例文帳に追加

酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程を行うＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

In a parallel plate reactive ion etching system, a matching box housing a matching circuit is positioned under a cathode assembly accessory mechanism attached to the external wall surface of a cathode-side vacuum chamber, within an extent containing the center axis line passing through a cathode and an anode, so that an earthing route may become symmetrical with respect to a substrate on the cathode.例文帳に追加

本平行平板式反応性イオンエッチング装置においては、陰極と陽極とを通る中心軸線を含む範囲内でしかもアース経路が陰極上の基板に対して対称形となるように、マッチング回路を収納したマッチングボックスを、陰極側の真空チャンバーの外壁面に取付けられた陰極組立体付属機構の下側に位置決めされる。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁