「reactive etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface working method is for performing reactive ion etching to the base material 1 made of the silicon carbide, and films 3 and 4 including at least one etching suppressing element selected from an element group including Ni and at least one etching accelerating element selected from an element group including W are turned to etching masks.例文帳に追加

本発明に係る表面加工方法は、シリコンカーバイドからなる基材１に反応性イオンエッチングを行う表面加工方法であって、Ｎｉを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング抑制元素と、Ｗを含む元素群から少なくとも１つ選択されるエッチング促進元素とを含む膜３，４をエッチングマスクとするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon carbide mold includes forming a dry etching mask having an opening and comprising tungsten silicide on a silicon carbide substrate, and then dry-etching the silicon carbide substrate by a reactive ion etching method using a single fluorine-containing gas or a mixture gas of the fluorine-containing gas and oxygen gas as an etching gas.例文帳に追加

炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 - 特許庁

Furthermore, in the etching method, reactive gases corresponding to the respective membranes of the masks may be prepared in advance and discharged continuously in a switching manner as well as reactive gas-soluble liquid may be provided in the atmosphere of the reactive gases.例文帳に追加

また、上記課題を解決するためのエッチング方法としては、各マスクの膜質に対応した反応性ガスを予め用意し、前記反応性ガスを連続して切り替えて吐出すると共に、当該反応性ガス雰囲気中に前記反応性ガスを溶解可能な液体を供給することを特徴とするものであっても良い。 - 特許庁

To provide a cleaner for a semiconductor substrate by which a clean substrate surface can be obtained without leaving a reactive product at etching on the surface of the semiconductor substrate while securing high etching rate, and its cleaning method.例文帳に追加

高いエッチングレートを確保しながら、エッチング時の反応生成物を半導体基板表面に残すことなく、清浄な基板表面を得ることができる半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The step of forming the source wiring 95 includes a step of forming a conductor film on the source contact electrode 92 and a step of processing the conductor film by etching the conductor film in a reactive ion etching.例文帳に追加

ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。 - 特許庁

When a resist pattern layer 104 is thus formed on a silicon oxide layer 103, the silicon oxide layer 103 is selectively etched using the resist pattern layer 104 as a mask by well known dry etching (reactive ion etching).例文帳に追加

これらのように、酸化シリコン層１０３の上にレジストパターン層１０４を形成したら、よく知られたドライエッチング（反応性イオンエッチング）により、レジストパターン層１０４をマスクとして酸化シリコン層１０３を選択的にエッチングする。 - 特許庁

The interface film 13 is less reactive to the oxidant alone than the film 12 to be etched and then reacts indirectly to the oxidant through oxidation reaction to O_3, and etching is carried out.例文帳に追加

界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 - 特許庁

After development, with the resist remaining on the surface of the master disk set as a mask, the surface of the master disk is subjected to reactive ion etching to manufacture a master disk for an information recording medium.例文帳に追加

現像後、原盤の表面に残存したレジストをマスクとして、原盤表面をリアクティブイオンエッチングを行い、情報記録媒体用原盤を作製する。 - 特許庁

Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加

他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces a processing amount of a non-processed film when selectively processing a processed film and the non-process film in a reactive ion etching (RIE) method.例文帳に追加

加工膜と非加工膜をＲＩＥ法で選択的に加工するときに、非加工膜の加工量を低減させる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment device is preferably a parallel flat plate reactive ion etching(RIE), the RIE device is preferably a type to impress a high frequency power to each of two electrode plates facing.例文帳に追加

プラズマ処理装置はＲＩＥ装置が好ましく、ＲＩＥ装置は対向する２つの電極板の各々に高周波電力を印加する方式が好ましい。 - 特許庁

Nonresonant light for the reactive gas is used as the light, so etching proceeds only with the near-field light generated in the local region of the projection portion 21.例文帳に追加

光として、反応性ガスに対する非共鳴光を用いているため、凸部２１の局所領域で発生する近接場光によってのみ、エッチングが進行する。 - 特許庁

Subsequently the magnetic recording layer 13a is etched with reactive ion etching under heating by using gaseous chlorine in a vacuum, and using the etched first mask layer 14a as a mask.例文帳に追加

その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 - 特許庁

After the formation of an interlayer insulation film 6, the interlayer insulation film 8 is etched by reactive ion etching with a resist pattern 8 as a mask so as to form the connection hole (Figure 1 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜６の形成後、接続孔を形成すべくレジストパターン８をマスクとして、反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜８のエッチングを行なう（図１（ａ））。 - 特許庁

When a resist pattern 15 is formed after the exposure, reactive ion etching is carried out to a part exposed by the resist pattern to the whole surface of a photoresist master set to form a pattern 17.例文帳に追加

露光後、レジストパターン１５が形成されると、フォトレジスト原盤の全面に対して、レジストパターンにより露出した部分にリアクティブイオンエッチングを行い、パターン１７を形成する。 - 特許庁

A method of producing a thin-film transistor is provided, in which thin film transistor components of SiO2 or metal film are formed on a quartz substrate 10 by reactive ion etching technique.例文帳に追加

反応性イオンエッチング技術を用いて石英基板１０上に、ＳｉＯ_2 や金属膜からなる薄膜トランジスタ構成要素を形成する、薄膜トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The through-hole insulator 11 is selectively etched by a reactive ion etching method to the height of a bottom part 19 of the dishing part 17 of the through-hole conductor 5.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法によって、スルーホール絶縁体１１を、スルーホール導電体５のディッシング部１７の底部１９の高さになるまで、選択的にエッチングする。 - 特許庁

Then, a resist is formed on the region where the TFT1 is present, and subjected to reactive ion etching using a mixture gas of CF4 gas and oxygen gas (with 10% volume concn. of CF4).例文帳に追加

次いで、ＴＦＴ１の個所にレジストを形成して、ＣＦ_４ガスと酸素ガスと混合ガス（ＣＦ_４の体積濃度１０％）を用いて、反応性イオンエッチングを行う。 - 特許庁

By using the resist film 13 as a mask, reactive ion etching is performed and made to progress as far as the lower side silicon oxide film 12 through the apertures 53.例文帳に追加

レジスト膜１３をエッチングマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、開口部５３を通して下側の酸化シリコン膜１２までエッチングを進行させる。 - 特許庁

A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加

垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of forming an insulating film 4 so as to embed scratches 3a, 3b occurring on the surface of the film 2 at this polishing time, and then etching back under the condition where an etching selection ratio of the film 4 to the film 2 becomes '1' by reactive ion etching until the film 2 is exposed.例文帳に追加

この研磨時に層間絶縁膜２の表面に生じるスクラッチ３ａ、３ｂを埋め込むように絶縁膜４を形成した後、層間絶縁膜２に対する絶縁膜４のエッチング選択比が１になる条件で反応性イオンエッチングにより層間絶縁膜２が露出するまでエッチバックを行う。 - 特許庁

After a sheet 16 is stuck to the whole surface of a semiconductor Si wafer 11 on the pattern forming side, chemical etching is performed to the no-pattern forming side (rear surface side) of the Si wafer 11 to the bottom face of a step 15 formed by performing reactive ion etching.例文帳に追加

半導体Ｓｉウエハ１１のパターン形成側全面に、シート１６を貼り付けた後、半導体Ｓｉウエハ１１の非パターン形成側（裏面側）に対して、リアクティブイオンエッチングを行って形成した段差１５の底面までケミカルエッチングを行う。 - 特許庁

When the recipe of plasma cleaning treatment is set, a decision is made whether the recipe is for the plasma etching (PE) system or the reactive ion etching (RIE) system by means of a personal computer 15, and the limitation of plasma treatment is read from an internal memory if the recipe is for the RIE system.例文帳に追加

プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

Next, an opening part 8 is formed on an oxidized film 6a formed on the other surface in the thickness direction of the main substrate 1 to be used for a mask, and the through-holes 4a, 4b are formed by a reactive ion etching.例文帳に追加

次に、主基板１の厚み方向の他面に形成した酸化膜６ａに開口部８を形成してマスクに用い、反応性イオンエッチングにより貫通孔４ａ，４ｂを形成する。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide device, in which a wafer is prevented from being damaged in an RIE (reactive ion etching) step and from being stuck to a stage and automatic conveyance of the wafer is made feasible.例文帳に追加

ＲＩＥ工程でのウェハの破損防止、ステージへの張り付き防止及びウェハの自動搬送を可能とした光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

The amorphous silicon film 24 and the SiN film 22 are used as masks, and the silicon substrate 20 is subjected to RIE(reactive ion etching), thereby forming trenches 25 for element isolation.例文帳に追加

そして、このアモルファスシリコン膜２４とＳｉＮ膜２２とをマスクにしてＲＩＥによりシリコン基板２０のエッチングを行い、素子分離用のトレンチ２５を形成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a plasma etching device using a simple method, for suppressing the adhesion and deposition of the reactive produce of a material to be etched, such as an Al-family deposit to a quartz bell jar.例文帳に追加

簡便な方法で、石英ベルジャへのAl系堆積物等の被エッチング材料の反応生成物の付着、堆積を抑制することができるプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a master mold high in the uniformity of a recess of an uneven pattern containing a wide recess and a narrow recess in manufacturing the master mold using a reactive ion etching method.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を用いたマスターモールドの製造において、広幅凹部および狭幅凹部を含む凹凸パターンの凹部の均一性の高いマスターモールドを製造することを可能とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device manufacturing method for producing less electromigration and stress migration by removing a reactive product after forming an aluminum wire with dry-etching.例文帳に追加

ドライエッチングによるアルミニウム配線形成後、反応生成物を除去することにより、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの少ない、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加

本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム（Ｙｂ）が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁

The core 44 is formed by performing reactive ion etching to a core layer 10 with oxygen pressure set to a considerably higher pressure 5Pa than usual.例文帳に追加

コア４４は、チャンバ内の酸素の圧力を通常よりも相当に高い圧力である５Ｐａに設定して反応性イオンエッチングをコア層１０に対して行うことによって形成される。 - 特許庁

A vertical trench in a silicon wafer 18 for forming a storage capacitor in a DRAM is etched in a reactive ion etching method to form an outline thereof with multiple waists 26 and 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭの蓄積_キャパシタの形成に利用されるシリコンウエーハ１８における垂直トレンチは、多重ウエスト２６，３０を有する輪郭を有するように、反応性イオンエッチングによってエッチングされる。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁

By forming the furnace tube 5 of quartz and etching the surface layer portion of the furnace tube with a hydrogen fluoride (HF) solution or carrying out gas phase etching with a highly reactive gas to quartz, the average weight concentration is set to be 2 ppm or less, then dehydration and sintering are carried out.例文帳に追加

また、炉心管５を石英で形成し、炉心管表層部をフッ化水素（ＨＦ）溶液によりエッチング、または、石英と反応性の高いガスにより気相エッチングすることにより、平均重量濃度を２ｐｐｍ以下にして脱水、焼結を行なう。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a reactive ion etching step to form grooves in a semiconductor by partly removing the surface of the semiconductor by reactive ion etching, and a small-angle ion milling step to partly remove the bottom of the groove by emitting an ion beam to the bottom of the groove in an inclined direction at a zero degree or higher and 45 degrees or lower with respect to the bottom thereof.例文帳に追加

半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for etching a metal oxide film where metal and oxygen are bonded using the mixture of reducing gas having properties for reducing the metal oxide film and nonreactive to that metal, and reactive gas having properties for etching that metal as the etching gas.例文帳に追加

金属と酸素が結合した金属酸化膜を還元する性質を有し、かつ、前記金属と非反応の性質を有する還元性ガスと、前記金属を蝕刻する性質を有する反応性ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いて、前記金属酸化膜をエッチングする工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

By using a method of dry etching which uses a reactive gas with high processing accuracy for etching and by controlling the etching depth d larger than the thickness (t) of the transparent film 11, the height (h) of disk-like protrusions 13 can be made uniform, fluctuation in the volume of the protrusions 13 can be suppressed and the size of the microlenses 14 after the heat treatment is made uniform.例文帳に追加

エッチングに加工精度の高い反応性ガスを用いたドライエッチング法を用い、エッチングの深さｄが透明膜１１の厚さｔより深くなるようにすることにより、円板状の突起１３の高さｈを一定にすることができ、突起１３の体積変動が抑えられ、熱処理後のマイクロレンズ１４のサイズが均一となる。 - 特許庁

An opening 141, which becomes broader toward end part at which the width of the tapered part of the silicon core 103 decreases in extended direction, is formed on a resist film 104, and the silicon core 103 exposed at the opening 141 is processed by a heretofore known reactive ion etching method, for example, a dry etching method using fluorocarbon based gas and hydrocarbon based gas as etching gases.例文帳に追加

シリコンコア１０３が延在している方向の幅が、テーパ部の細くなる先端部に行くほど広くなる開口部１４１をレジスト膜１０４に形成し、公知の反応性イオンエッチングにより、例えば、フッ化炭素系ガスおよび炭化水素系ガスをエッチングガスとしたドライエッチングにより、開口部１４１に露出したシリコンコア１０３を加工する。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the insulating film is irradiated with reactive plasma having an action of chemically etching the insulating film, and the surface of the insulating film irradiated with the plasma is irradiated with inert gas ion for sputter etching to process a cross section of the connection hole into a forward tapered shape.例文帳に追加

その後、絶縁膜の表面に、絶縁膜を化学的にエッチングする作用を有する反応性プラズマを照射し、プラズマが照射された絶縁膜の表面に不活性ガスのイオンを照射してスパッタエッチングすることにより、接続孔の断面を順テーパーに加工する。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

To reduce differences in dimension due to difference in pattern density on the surface by using a mixed gas, in which reducing gas is added to reactive etching gas consisting of oxygen containing gas and halogen containing gas in dry etching process of a metal thin film.例文帳に追加

微細なパターンを形成する手段としてのドライエッチングにおいて、面内のパターンの疎密の違いに起因する寸法差を小さくするドライエッチング方法、この方法を利用して得たフォトマスクおよびその作製方法、ならびにこのフォトマスクを用いて得た半導体回路およびその製作方法の開発。 - 特許庁