「read/ write memory」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

READ/WRITE DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY CARD例文帳に追加

半導体メモリーカード読み書き装置 - 特許庁

WRITE/READ CIRCUIT FOR DRAM MEMORY例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリ用の書き込み／読み出し回路 - 特許庁

SERIAL ACCESS MEMORY AND DATA-WRITE/READ-METHOD例文帳に追加

シリアルアクセスメモリおよびデータライト／リード方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE AND DATA WRITE AND READ METHOD FOR THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

メモリ装置及びこれのデータ書き込み及び読み出し方法 - 特許庁

CONCURRENT READ AND WRITE MEMORY OPERATIONS IN SERIAL INTERFACE MEMORY例文帳に追加

シリアルインターフェースメモリの同時読み出し及び書き込みメモリ動作 - 特許庁

The read module reads data in a modify-write area and in a write-back area from a flash memory at the time of data read-modify-write operation.例文帳に追加

リードモジュールは、データの書き込み動作時に、フラッシュメモリから書き換え領域及び書き戻し領域のデータを読み出す。 - 特許庁

If a write-segment pointer and a read-segment pointer identify the same memory segment, and the read-data pointer is greater than the write-data pointer, the memory is selected.例文帳に追加

書き込みおよび読み出しが同じメモリセグメントで読み出しポインタが書き込みポインタよりも大きい場合、メモリが選択される。 - 特許庁

Following the operation result, an asynchronous write control part 0107 executes write control of a line memory 0110 at the time of use of frame memory 0102, and a synchronous write control part 0108 executes write control at the time of non-use thereof, and a line memory read control part 0109 executes read-out.例文帳に追加

この演算結果に従い，フレームメモリ0102使用時は非同期ライト制御部0107が，未使用時は同期ライト制御部0108がラインメモリ0110の書き込み制御を行い，読み出しはラインメモリ・リード制御部0109が行う。 - 特許庁

DATA READ METHOD, DATA WRITE METHOD, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

データ読出方法、データ書込方法、及び半導体記憶装置 - 特許庁

Consequently, the semiconductor memory device finishes write or read operation.例文帳に追加

その結果、半導体記憶装置は書込または読出動作を終了する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DATA WRITE AND READ METHOD THEREOF例文帳に追加

半導体メモリ装置及びその装置のデータの書き込み及び読み出し方法 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PERFORMING READ OPERATION DURING WRITE OPERATION例文帳に追加

書き込み動作中に読み出し動作を行う半導体不揮発性メモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY HAVING HIGH BAND WIDTH READ-OUT AND WRITE-IN ARCHITECTURE例文帳に追加

高帯域幅読出し及び書込みア—キテクチャを有する不揮発性メモリ - 特許庁

READ/WRITE DEVICE WITH SPECIAL FUNCTION FOR FLASH MEMORY CARD例文帳に追加

フラッシュメモリカード用特殊機能付きリードライト装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR READ OPERATION AND WRITE OPERATION IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

半導体メモリ装置における読み出し及び書き込み方法及び装置 - 特許庁

MEMORY FOR PACKET COMMUNICATION AND DATA WRITE/READ METHOD USED FOR THE SAME例文帳に追加

パケット通信用メモリ及びそれに用いるデータ書込み読出し方法 - 特許庁

READ/WRITE CONTROL METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の読み出し／書き込み制御方法 - 特許庁

MULTIVALUE WRITE AND READ METHOD FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の多値書き込み及び読み出し方法 - 特許庁

To simultaneously read and write data by different memory banks.例文帳に追加

異なるメモリバンクでデータの読み出し及び書き込みを同時に実行する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND ITS DATA WRITE/READ METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置およびその記憶データ書き込み・読み出し方法 - 特許庁

A memory write completion signal outputted from a memory write means is outputted to a memory read means and to a CPU.例文帳に追加

メモリ書き込み手段から出力されるメモリ書き込み完了信号を、メモリ読み出し手段とＣＰＵとに出力する。 - 特許庁

The data write (ordinary write) and data read-out (ordinary read-out) to and from the ordinary memory cell region, and the data write (redundancy write) to the FROM region are performed from an ordinary memory cell region side.例文帳に追加

通常メモリセル領域に対するデータ書込（通常書込）およびデータ読出（通常読出）と、ＰＲＯＭ領域に対するデータ書込（冗長書込）とは、通常メモリセル領域側から行なう。 - 特許庁

A CPU 24 can write data in a flash memory 22 and read written data in a flash memory 22.例文帳に追加

ＣＰＵ２４は、フラッシュメモリ２２にデータを書き込み、また、書き込んだデータを読み出すことができる。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN AND READ-OUT METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの書き込み及び読み取り方法 - 特許庁

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

A memory controller comprises a read/write memory 109 to temporarily store address management information.例文帳に追加

メモリコントローラ１１０に読み書きメモリ１０９を設け、アドレス管理情報を一時記憶する。 - 特許庁

To obtain a cache memory circuit having an independent read bus and write bus regarding a cache memory circuit etc., used to provide short term, high speed storage for instruction words or data words.例文帳に追加

独立したリードバスおよびライトバスを有するキャッシュメモリ回路を得る。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING WRITE TO MEMORY CELL AND READ FROM MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルへの書き込みおよびメモリセルからの読み出しを行うためのシステムおよび方法 - 特許庁

The memory array can be used as a memory by adding a read/write circuit.例文帳に追加

読出し及び書込み回路を追加することにより、メモリアレイはメモリとして使用できる。 - 特許庁

Or, a nonvolatile memory of high write speed and low read speed is adopted for the write cache, and a nonvolatile memory of high read speed and low write speed is adopted for the read cache.例文帳に追加

あるいはまた、ライトキャッシュにはライト速度が速くリード速度が遅い不揮発性メモリを、リードキャッシュにはリード速度が速く、ライト速度が遅い不揮発性メモリを採用する。 - 特許庁

These memory blocks are divided into banks (BNKA, BNKB), the data write/read for each of the memory blocks is executed on the bank by bank basis, and parallel executions for the write/read and internal transfer for the write/read are performed.例文帳に追加

これらのメモリブロックをバンク（ＢＮＫＡ，ＢＮＫＢ）に分割し、メモリブロック個々にデータの書込／読出をバンク単位で行ない、書込／読出の並行実行および書込／読出と内部転送を行なう。 - 特許庁

The write control part 201 and the read control part 202 respectively accept write and read access from a function module to the memory module.例文帳に追加

ライト制御部およびリード制御部は、それぞれ機能モジュールからメモリモジュールへのライトおよびリードアクセスを受け付ける。 - 特許庁

To access (write, read and write/read) for a multi-bit memory at high speed.例文帳に追加

多ビットのメモリに対してのアクセス（書き込み、読み出し、書き込み／読み出し）を高速に行うことができるようにする。 - 特許庁

The data card 2 restricts read/write processing from/to a memory 26 of the reader/writer 3 according to the read/write authority by the authority data.例文帳に追加

データカード２は、前記権限データによる読み書き権限に従い、リーダライタ３のメモリ２６に対する読み書き処理を制限する。 - 特許庁

This IC card is provided with an arithmetic processing part 5, a volatile memory 2, a read only non-volatile memory 3 and a read/write enabling non-volatile memory 4.例文帳に追加

演算処理部５、揮発性メモリ２、読み出し専用不揮発性メモリ３及び読み出し書き込み可能不揮発性メモリ４を具備する。 - 特許庁

The read memory and the write memory of each random access memory device are updated respectively in relation to a spare read memory in common to read memories of all parallel branches and a spare write memory in common to write memories of all parallel branches.例文帳に追加

本発明は、各ランダムアクセスメモリ装置の読取りメモリと書込みメモリが、それぞれ、並列な全てのブランチの読取りメモリに共通である予備読取りメモリおよび並列な全てのブランチの書込みメモリに共通である予備書込みメモリに関連して更新されることを特徴とする。 - 特許庁

A part (Write block) which is frequently overwritten and a part (Read block) which is frequently read without being overwritten coexist in a storage area, so that Read-Write frequency information with respect to a specific block address of the disk drive is held by a cache memory a controller managing the RAID group has.例文帳に追加

記憶領域には、頻繁に書換えが行われる部分（Writeブロック）と、書換えが行われずに読出しされる機会が多い部分（Readブロック）が存在するため、ＲＡＩＤグループを管理するコントローラが持つキャッシュメモリに、ディスクドライブの特定ブロックアドレスに対するRead-Write頻度情報を保持する。 - 特許庁

When the buffer (9) is full, the read instruction saving means (13) generates a write instruction for writing the read instruction into a main memory (8), and sends to the main memory (8) the write instruction for writing the read instruction from a read instruction write/read generating means (16) after a write pointer (14) generates a write address of the main memory (8).例文帳に追加

バッファ（９）が一杯の場合には、リード命令退避手段（１３）でリード命令を主記憶装置（８）に書き込む命令を生成、ライトポインタ（１４）で主記憶装置（８）のライトアドレスを生成した後、リード命令書込／読出生成手段（１６）からリード命令を書き込むための命令を主記憶装置（８）に送出する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROL DEVICE, DATA WRITE-IN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND READ-OUT METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びメモリ制御装置、不揮発性メモリ装置のデータ書き込み方法及び不揮発性メモリ装置のデータ読み出し方法 - 特許庁

MEMORY CARD, HOST DEVICE, CERTIFICATE ISSUE DEVICE, MEMORY CONTROLLER, MEMORY CHIP, MANUFACTURING METHOD OF MEMORY CARD, AND DATA READ-WRITE METHOD例文帳に追加

メモリカード、ホスト装置、証明書発行装置、メモリコントローラ、メモリチップ、メモリカードの製造方法、およびデータ読み書き方法 - 特許庁

A memory circuit includes a memory array and a memory control circuit, and write-in and read-out of memory information are performed.例文帳に追加

メモリ回路は、メモリアレイとメモリ制御回路とを有して記憶情報の書き込みと読み出しが行われる。 - 特許庁

To improve accuracy of bit line reference voltage to read and write data in a memory capacitor MC in a memory in which a differential sense amplifier SA is connected to a pair of bit lines, for example, a ferroelectric memory to read and write data in a memory capacitor MC.例文帳に追加

メモリキャパシタＭＣにおけるデータの読み書きのため、差動型センスアンプＳＡがビット線対と接続されているメモリたとえば強誘電体メモリにおいて、ビット線参照電圧の精度を高める。 - 特許庁

To the memory cell 11, a read word line part 15, a write word line part 16 for the memory cell, a read bit line part 17 for the memory cell and a write bit line part 18 for the memory cell are added.例文帳に追加

また、メモリセル１１に対してリードワードライン部１５、メモリセルのライトワードライン部１６、メモリセルのリードビットライン部１７及びメモリセルのライトビットライン部１８を付加する。 - 特許庁

The semiconductor memory includes: first and second read/write amplifier; a first bit line group connected selectively to the first read/write amplifier; and a second bit line group connected selectively to the second read/write amplifier.例文帳に追加

半導体メモリは、第１および第２のリード／ライトアンプと、該第１のリード／ライトアンプに選択的に接続される第１のビット線群と、第２のリード／ライトアンプに選択的に接続される第２のビット線群とを備える。 - 特許庁

To provide a write and read circuit of a variable length packet, which can read and write packets with high memory efficiency and can immediately read and write the next packet, when abolishment of packets is generated.例文帳に追加

高いメモリ使用効率でパケットを読み書きすることができ、且つパケットの廃棄が発生した場合に、次のパケットを直ちに読み書きすることが可能な可変長パケットの書き込み及び読み出し回路を提供する。 - 特許庁