「silicides」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the surfaces of the drain and source regions 11 and 12, silicides 11s and 12s are respectively formed.例文帳に追加

これらドレイン領域１１及びソース領域１２表面にはシリサイド１１ｓ及び１２ｓが形成されている。 - 特許庁

In addition, silicides 61 and 71 are formed at intervals of 100-300 nm from an end of a depletion layer formed on the pn junction.例文帳に追加

また、シリサイド６１，７１は、ＰＮ接合に形成される空乏層の端部から１００〜３００ｎｍ程度の間隔をおいて配設される。 - 特許庁

The matrix is composed of an Ni based alloy, a Ti based alloy or the like, and the hard grains are, e.g. composed of the carbides, borides, silicides or oxides of Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W.例文帳に追加

マトリックスは、Ｎｉ基合金、Ｔｉ基合金等、硬質粒子はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの炭化物、硼化物、珪化物、又は酸化物等である。 - 特許庁

In this invention, a nano wire 1 is formed on a silicon crystal substrate 3 and composes silicides extending along a crystal orientation on the substrate from an insular nickel 2 arranged on the above substrate 3.例文帳に追加

本発明のナノワイヤ１は、シリコン結晶基板３に形成され、基板３に配置された島状ニッケル２から基板の結晶方位に沿って延びるシリサイドからなる。 - 特許庁

The resistor 31 is formed of an amorphous silicon film, on the surface of which silicides 32a, 32b are formed at connecting portions of contact plugs 5a, 5b.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜で抵抗３１を形成し、その表面部分のうちコンタクトプラグ５ａ，５ｂの接続部にシリサイド３２ａ，３２ｂを形成する。 - 特許庁

The pads 26a, 26b for applying a voltage to the individual electrode 22 formed on the Si substrate 21 are formed at least of silicides 25a, 25b.例文帳に追加

前記Ｓｉ基板２１に形成された個別電極２２に電圧を印加するためのパッド２６ａ，２６ｂが少なくともシリサイド２５ａ，２５ｂで形成されている。 - 特許庁

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides.例文帳に追加

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit that uses a process consolidation combining the substitution gate process using a three-layer hard mask consumed during the process and source/drain silicides.例文帳に追加

処理中に消費される３層ハードマスクを使用する置換ゲート・プロセスとソース／ドレイン珪化物を組み合わせるプロセス統合を使用するＣＭＯＳ技術を使用する集積回路を提供する。 - 特許庁

The high melt-point metal diffusion prevention film 200 in a structure of a plurality of layers is formed on a region where no high melt-point metal silicides are formed, and a high melt-point metal film 206 is formed on the high melt-point metal diffusion prevention film 200.例文帳に追加

高融点金属シリサイドを形成しない領域上に、複数層構造の高融点金属拡散防止膜２００が形成され、この上に高融点金属膜２０６が形成される。 - 特許庁

To obtain a ceramic composite material which is excellent in fracture toughness and wear resistance and which fine particles of molybdenum silicides (MoSi2, Mo5Si3, Mo3Si or the like) are uniformly dispersed in the grain boundaries of silicon nitride (Si3N4).例文帳に追加

窒化珪素（Si3N4 ）の粒界にモリブデンの珪化物（MoSi_2 ，Mo_5Si_3，Mo_3Si など）の微粒子を均一に分散させた、破壊靭性と耐摩耗性に優れたセラミツクス複合材料を得る。 - 特許庁

To improve reliability in a high melt-point metal diffusion prevention film at a first region where no high melt-point metal silicides are formed, and to improve reliability by preventing the diffusion of a high melt-point metal reliably in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、高融点金属シリサイドを形成しない第１の領域における高融点金属拡散防止膜の信頼性を向上し、高融点金属拡散を確実に防止して信頼性の向上を図る。 - 特許庁

The interrupting device comprises a polysilicon 20 including a line 30 extended on the surface of a semiconductor substrate 10, and silicides 22 formed at both ends of the polysilicon 20 continuously with the polysilicon 20.例文帳に追加

半導体基板１０の表面上に延伸された線路部３０を含むポリシリコン２０と、ポリシリコン２０の両端にポリシリコン２０に連続して形成されたシリサイド２２と、を備える遮断素子によって上記課題を解決することができる。 - 特許庁

Fine particles 3a of at least two kinds of metals, silicides, nitrides, carbides, sulfides, oxides and the like each having different kind of an element constituting the principal component are dispersed in the interface or the grain boundary 3 of the ceramic sintered compact 1.例文帳に追加

セラミツク焼結体１の少くとも結晶粒子２の界面または粒界相内３に、主成分を構成する元素種が異なる２種以上の金属または珪化物、窒化物、炭化物、硫化物、酸化物などの微粒子３ａを分散させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which satisfactory etching can be performed by strengthening etching utilizing a chemical action by lowering ion energy at the time of etching metallic films composed of titanium, molybdenum, tantalum, etc., or their nitrides or silicides; and to provide a semiconductor manufacturing device for executing the method.例文帳に追加

チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜や、その窒化膜、珪化膜をエッチングする際に、イオンエネルギーを下げて、化学的な作用によるエッチングを増強し、良好なエッチングの行える半導体装置の製造方法およびそれを実施するための半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of restraining atoms contained in the described metal films (gate material) from being mutually diffused when a gate electrode is formed in both cases that a dual gate is formed of different metal silicides, and that a dual gate is formed of metal and metal alloy.例文帳に追加

ポリシリコンゲートと金属膜との反応によりデュアルゲートを形成する場合、ゲートの高さ方向以外に横方向にも金属膜の拡散及びシリサイド反応が生じるため、NMIS領域とPMIS領域とのPN境界に於いて金属原子の相互拡散が発生する。 - 特許庁

Metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfidization compound or sulfides thereof are deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix a laminate thin film of metal silicides and sulfides on a surface of a base material.例文帳に追加

珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

In addition to the top surface of the gate electrode 105, metal silicides 110 are formed on the side surfaces of the gate electrode 105 so as to be able to form the highly reliable gate electrode 105, even though the width of the gate electrode 105 is not increased to a desired largeness.例文帳に追加

ゲート電極１０５の上面に加え、ゲート電極１０５の側面に対しても金属シリサイド１１０を形成することで、ゲート電極１０５を所望の太さの幅に拡大しなくても、信頼性の高いゲート電極１０５を形成することができる。 - 特許庁

Owing to the silicides 32a, 32b formed at the connecting portions of the contact plugs 5a, 5b, etching is barely effected onto the resistor 31 in forming contact holes, by etching, for the contact plugs 5a, 5b in a first interlayer insulating film 4a.例文帳に追加

また、コンタクトプラグ５ａ，５ｂの接続部にシリサイド３２ａ，３２ｂが形成されているので、コンタクトプラグ５ａ，５ｂのためのコンタクトホールをエッチングにて第１層間絶縁膜４ａに形成する際に、抵抗３１へのエッチングが生じにくい。 - 特許庁

To evenly achieve the reduction of the resistance of a gate electrode and of source/drain regions and reduction of junction leakage currents in source/ drain regions in a MOS transistor having silicides on the surfaces of the gate electrode and of the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート電極およびソース・ドレイン領域表面にシリサイドを備えたＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート電極およびソース・ドレイン領域の低抵抗化と、ソース・ドレイン領域における接合リーク電流の低減とを両立させる。 - 特許庁

A region covered with the first gate electrode 10a on the first semiconductor layer 3a, a region covered with the second gate electrode 10b on the second semiconductor layer 3b and a region covered with the third gate electrode 10c on the third semiconductor layer 3c become metal silicides, respectively.例文帳に追加

第１の半導体層3aのうちの第１のゲート電極10aにより覆われた領域、第２の半導体層3bのうちの第２のゲート電極10bにより覆われた領域及び第３の半導体層3cのうちの第３のゲート電極10cにより覆われた領域は、それぞれ金属シリサイド化される。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor light-emitting device by bonding a light-emitting body formed by laminating a plurality of semiconductor layers on a substrate for growth and a support part including a support substrate made of silicon together through a bonding material such as solder, the top-surface platinum layer and back-surface platinum layer are entirely made into silicides through a heat treatment on the top surface and back surface of the support substrate, respectively.例文帳に追加

成長用基板上に複数の半導体層を積層して形成された発光体部と、シリコンからなる支持基板を含む支持体部と、を半田等の接合材料を介して接合することによって半導体発光装置を形成する製造方法において、支持基板の表面上及び裏面上のそれぞれにおいて、表面白金層及び裏面白金層の全体を加熱処理によってシリサイド化する。 - 特許庁

The substrate 100 for measuring is irradiated with X-ray, and the abundance ratio of three kinds of silicides having different combining ratio of the titanium silicide layer 104 is measured from the strength of a hart X-ray emitted from oxygen of the silicon oxide film 102, and the strength of the hard X-ray emitted from the titanium of the titanium silicide layer 104.例文帳に追加

この測定用基板１００にＸ線を照射して、シリコン酸化膜１０２の酸素から放射される硬Ｘ線の強度と、チタンシリサイド層１０４のチタンから放射される硬Ｘ線の強度とから、チタンシリサイド層１０４における化合比の異なる３種類のシリサイドの存在比率を測定する。 - 特許庁

To provide a Ti-Al alloy combining excellent ductility at the ordinary temperature with excellent high temperature strength characteristic by establishing a unidirectional solidification technique where a single crystal, in which the lamellar interface of a Ti-Al-base alloy containing ≥1 atomic % Si is oriented along the direction of solidification, is grown and acicular or laminar titanium silicides dispersed in the single crystal are refined and oriented in a direction parallel to the lamellar interface.例文帳に追加

Siを１at％以上で含有するTi−Al基合金のラメラ界面が凝固方向に沿って配向した単結晶を育成し、その単結晶中に分散する針状あるいは板状のチタンシリサイドを微細化すると共に、ラメラ界面に平行に配向させる、一方向凝固技術を確立することによって、優れた常温延性および高温強度特性を併せ持つTi−Al系合金を提供する。 - 特許庁

This ceramic heater obtained by embedding a heating element, which mainly contains at least one kind out of silicides, nitrides and carbides of Mo, and silicides, nitrides and carbides of W, in a base mainly containing silicon nitride.例文帳に追加

Moの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、Wの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも1種を主成分とする発熱体を窒化珪素を主成分とする基体に埋設し、前記基体は、前記基体は、気孔率が5%以下であり、希土類元素を酸化物換算で4〜25質量%含有し、以下の条件下に、珪化物及び/又は炭化珪素を含有し、かつ前記基体の表層部に炭化珪素が存在せずに珪化物が存在する場合、前記基体の表層部に珪化物が存在せずに炭化珪素が存在する場合及び前記基体の表層部に珪化物と炭化珪素とが存在する場合のいずれにおいても珪化物及び炭化珪素の最大粒径が15μｍ以下であることを特徴とするセラミックヒータ。 - 特許庁