「source electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Gate electrodes 5 and source electrodes 7 are connected to the gate regions 4 and the source regions 6.例文帳に追加

ゲート領域４およびソース領域６には、それぞれゲート電極５およびソース電極７が接続されている。 - 特許庁

The electrodes 5 and 8 are connected with a DC power source 9.例文帳に追加

電極５、８は、直流電源９に接続する。 - 特許庁

From the source to the drain these two electrodes.例文帳に追加

ソースとドレイン2つの電極間の電流を制御します。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In this case, the power source 1 connected to the discharge electrodes may be a D.C. power source, an A.C. power source or a rectangular wave power source.例文帳に追加

ただし、放電電極に接続する電源１は、直流電源でも、交流電源でも、矩形波電源でもよい。 - 特許庁

Source electrodes 71 and drain electrodes 72 are formed on the semiconductor layer 50.例文帳に追加

半導体層５０上にはソース電極７１とドレーン電極７２とが形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 7 and source and drain electrodes 8, 9 are formed.例文帳に追加

ゲート電極７、ソース・ドレイン電極８，９を形成する。 - 特許庁

A pulse source is fed between the electrodes 2A and 2B from a power source 3, and arc discharge is generated between the electrodes 2A and 2B.例文帳に追加

電源３から電極２Ａ，２Ｂ間にパルス電源が供給されて、電極２Ａ，２Ｂ間にアーク放電が生じる。 - 特許庁

Gate electrodes 24, drain electrodes 25 and source electrodes 26 are formed on a semiconductor substrate 22 in combtooth forms.例文帳に追加

半導体基板２２上に、ゲート電極２４、ドレイン電極２５およびソース電極２６の各々が櫛歯状に形成される。 - 特許庁

Three electrodes 2b (anode electrodes) at grounding potential are located between electrodes 2a (cathode electrodes), where a voltage is supplied by a power source unit 1.例文帳に追加

電源部１により電圧が印加される電極２ａ（カソード電極）の間に、３つの接地電位にある電極２ｂ（アノード電極）が配置されている。 - 特許庁

The molybdenum electrodes 22 are connected to an AC power source 24, and AC power is applied to the electrodes 22.例文帳に追加

モリブデン電極２２、２２…は、交流電源２４に接続されており、交流印加が施される。 - 特許庁

An AC power source (100) is connected to the electrodes to supply high voltage AC potential to the electrodes.例文帳に追加

ＡＣ電源（１００）は、電極に接続されて該電極に高電圧ＡＣ電位を供給する。 - 特許庁

ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR HAVING SOURCE AND DRAIN ELECTRODES WITH LAMINATE STRUCTURE例文帳に追加

積層構造のソース・ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタ - 特許庁

To reduce a parasitic resistance in the lower side of source/drain electrodes by lowering potential barrier in the lower side of the source/drain electrodes.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。 - 特許庁

A voltage source (22) applies DC voltage between the electrodes (18, 20).例文帳に追加

電圧源（２２）が、電極（１８，２０）間に直流電圧を印加する。 - 特許庁

A power source 103 is provided for applying voltage between the electrodes.例文帳に追加

電極１０２間に電圧を印加させる電源１０３を設ける。 - 特許庁

A contact part of source/drain electrodes and source/drain regions is shown at 802.例文帳に追加

そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。 - 特許庁

Next, an electron source substrate 71 is heated, and a voltage is applied to element electrodes on the electron source substrate 71.例文帳に追加

続いて、電子源基板を加熱し、電子源基板上の素子電極に電圧を印加する。 - 特許庁

Pixel electrodes 21 in even-numbered rows are connected to source lines arranged on the right side of the pixel electrodes.例文帳に追加

また、偶数行の画素電極２１は、画素電極の右側に配置されたソースラインに接続される。 - 特許庁

A drain electrode 12, source electrodes 20 and 22, and gate electrodes 24 and 26 are formed in the chip 14.例文帳に追加

チップ１４には、ドレイン電極１２と、ソース電極２０、２２と、ゲート電極２４、２６が形成されている。 - 特許庁

To suppress generation of parasitic capacitance by accurately aligning source and drain electrodes to gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極に対して、ソース・ドレイン電極を正確に位置合わせし、寄生容量の発生を抑制する。 - 特許庁

Electrodes 11, 12, electrodes 13, 14 and electrodes 15, 16 in a treated water tank 10 respectively constitute a pair of electrodes and electric power is supplied from an electric source 51 thereto.例文帳に追加

処理水槽１０内の電極１１，１２、電極１３，１４、電極１５，１６が、それぞれ電極対を構成し、これらは、電源５１から電力を供給される。 - 特許庁

Rewiring 5 for connecting source pads 2a, source bump electrodes 6a, drain pads 2b and drain bump electrodes 6b is provided with a pattern (so-called solid wiring) surrounding the source bump electrodes 6a, the drain bump electrodes 6b, the source pads 2a and the drain pads 2b.例文帳に追加

本発明では、ソースパッド２ａとソースバンプ電極６ａ及びドレインパッド２ｂとドレインバンプ電極６ｂを接続する再配線５を、ソースバンプ電極６ａ及びドレインバンプ電極６ｂとソースパッド２ａ及びドレインパッド２ｂとを囲むパターン（所謂、ベタ配線）を有して設けたことを特徴としている。 - 特許庁

The plane-light-emitting light source 1 has connection electrodes 7, 8 at its edges.例文帳に追加

面発光光源１が接続用電極７、８を縁部に有する。 - 特許庁

Then, the source/drain electrodes are formed by performing lift-off processing.例文帳に追加

次に、リフトオフ処理を施すことによりソース／ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The protrusions 7p of the source/drain electrodes 7A, 7B are tapered off toward the source/drain electrodes 7A, 7B.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極７Ａ，７Ｂの突出部７ｐは尖端形状を有しており、ソース／ドレイン電極７Ｂ，７Ａに向かって先細りになっている。 - 特許庁

Further, the source and drain electrodes are shallow and, therefore, a contact resistance is small.例文帳に追加

また、ソース及びドレイン電極が浅いので、接触抵抗が小さい。 - 特許庁

The electrodes 11, 12 are energized by a power source 7.例文帳に追加

電極１１，１２に対しては、電源７によって通電が行われる。 - 特許庁

Source electrodes 11a, drain electrodes 11b and gate electrodes 9b are provided on the semiconductor diamond films 2a, 2b, 5, respectively.例文帳に追加

更に、半導体ダイヤモンド薄膜２ａ、２ｂ及び５上に夫々ソース電極１１ａ、ドレイン電極１１ｂ及びゲート電極９ａを設ける。 - 特許庁

Each of drain electrodes 1, gate electrodes 2 and source electrodes 3 formed in a pectinate shape is formed on the main surface of a semiconductor substrate 4.例文帳に追加

櫛歯状に形成されたドレイン電極１、ゲート電極２、およびソース電極３のそれぞれを半導体基板４の主面上に設ける。 - 特許庁

Further, the device has a drain electrode, a gate electrode, and a source electrode and an interconnection connected to these electrodes, and all or almost all the electrodes and the interconnection are formed of copper.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイスであって、電極と配線の全部あるいは殆ど全部を銅にする。 - 特許庁

A memory cell 1 comprises source drain regions 3, channel regions 4, floating gate electrodes 5, 6 and control gate electrodes 7.例文帳に追加

メモリセル１は、ソース・ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５，６、制御ゲート電極７からなる。 - 特許庁

To electrically connect a semiconductor film to the source/drain electrodes, in a proper manner.例文帳に追加

半導体膜とソース・ドレイン電極とを好適に電気的接合させる。 - 特許庁

Similarly, a power source 26 for electrolysis connects the counter electrodes 20A and 20B.例文帳に追加

同様にして対極２０Ａ，２０Ｂにも、電解電源２６が接続される。 - 特許庁

Electric current flows between the electrodes 24a and 25b through a resistor from a reference electric source.例文帳に追加

基準電源から抵抗を介して電極24a ，24b 間に電流が流れる。 - 特許庁

A surface emission light source 1 has light source-side electrodes 7 and 8 in contact with the support-side electrodes 3 and is detachably attached to the support body 2.例文帳に追加

面発光光源１は支持側電極３に接触する光源側電極７、８を有して支持体２に着脱自在に取付けられている。 - 特許庁

The electrodes 54, 55 are connected to an electric power source 57 through electric wiring 56.例文帳に追加

電極５４，５５は，電気配線５６を介して電源５７に接続される。 - 特許庁

An electric current is supplied from a direct-current power source 4 to electrodes 11, 12.例文帳に追加

電極１１，１２には直流電源４から電流が供給される。 - 特許庁

A first electrode connected to one of the source/drain electrodes is disposed.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極のうち一つと接続する第１電極が配置される。 - 特許庁

The source electrodes of storage transistors in a plurality of 3-transistor type dynamic cells constituting a memory array are connected, and a switch is disposed between the source electrodes and power supply terminals.例文帳に追加

メモリアレイを構成する複数の３トランジスタ型ダイナミックセル内の蓄積トランジスタのソース電極を接続し、電源端子との間にスイッチを設ける。 - 特許庁

TFTs which are turned on by gate lines G are connected to pixel electrodes I, II, and III corresponding to RGB pixel electrodes, and drain electrodes and source electrodes of TFTs connected to pixel electrodes II and III are connected.例文帳に追加

ＲＧＢ画素電極に対応する画素電極I，II，IIIには、ゲート線Ｇでオン状態とされるＴＦＴが接続され、また、画素電極II，IIIに接続されているＴＦＴのドレイン電極とソース電極が接続されている。 - 特許庁

A structure of driving a plurality of pixels arranged on a display screen 100 by source electrodes 1 and gate electrode 5 is provided with auxiliary electrodes 3 branched from gate electrodes 5 and extended in the same direction as the source electrodes 1.例文帳に追加

ディスプレイ画面１００上に配列された複数の画素を、ソース電極１、ゲート電極５によって駆動する構成において、ゲート電極５から分岐し、ソース電極１同方向に延びる補助電極３を設ける。 - 特許庁

Three field effect transistors 15, 16, 17 having source electrodes 10, drain electrodes 12 and gate electrodes 11 are formed on the surface of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の表面に、ソース電極１０とドレイン電極１２とゲート電極１１を備えた３個の電界効果トランジスタ１５、１６、１７を形成する。 - 特許庁

A multiplicity of such cells 35 are arranged and commonly connected by common source electrodes 36, 37, common drain electrodes 38,39, and common gate electrodes 40, 41.例文帳に追加

セル３５を多数本配置し、共通ソース電極３６、３７、共通ドレイン電極３８、３９、及び共通ゲート電極４０、４１で共通接続する。 - 特許庁

The MOSFETs 4, 5 are connected in inverse series by connecting gate electrodes 4a, 5a and source electrodes 4b, 5b to both terminals of the light receiving element 3, respectively, and connecting the source electrodes 4b, 5b with each other.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ４，５は、ゲート電極４ａ，５ａ及びソース電極４ｂ，５ｂが各々受光素子３の両端に接続され且つソース電極４ｂ，５ｂ同士が接続されて逆直列接続される。 - 特許庁

A group III nitride hetero junction semiconductor element for use in a power circuit like a boost conversion circuit is provided with ohmic junction source-drain electrodes, and Schottky junction electrodes integrated into power switches near gates between the above source-drain electrodes or near the above source-drain electrodes themselves.例文帳に追加

ブースト変換回路などの電源回路で用いられるＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。 - 特許庁