「source electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The electron source comprises a pair of element electrodes 11, 12 formed on a board 10, the conductive film 15 having an electron emitting portion 17 formed between the element electrodes 11, 12, and an X-direction wire 18 and a Y-direction wire 19 connected corresponding to the pair of element electrodes 11, 12, respectively.例文帳に追加

基板１０に形成された一対の素子電極１１，１２と、素子電極１１，１２間に形成された電子放出部１７を有する導電性膜１５と、一対の素子電極１１，１２にそれぞれ対応して接続されたＸ方向配線１８とＹ方向配線１９とを有する。 - 特許庁

Then, the DC voltage on which a pulse voltage is superimposed is applied to the electrodes using a DC power source and a pulse power source and a DC electric field on which a pulse electric field is superimposed is applied to the substrate.例文帳に追加

そして、直流電源とパルス電源とを用いて電極にパルス電圧が重畳した直流電圧を印可して、基板にパルス電界が重畳した直流電界を印可する。 - 特許庁

When the module 124 is connected to a power source 122, the lead section of the left-side plate of the module 124 is connected to the positive and negative electrodes of the power source 122 and becomes a route and the plates on the other side faces become branch plates.例文帳に追加

モジュール１２４が電源１２２に接続されると、モジュール１２４の左側プレートのリード部が電源１２２の正負極に接続し、そのプレートがルートに、他の３面のプレートが分岐プレートになる。 - 特許庁

Provided are a plurality of segment electrodes SEG0 to SEG2 which receive drive voltages VSEG0 to VSEG2 of a high-potential power source or low-potential power source VSS according to an image to be displayed.例文帳に追加

表示すべき画像に応じて高電位電源あるいは低電位電源ＶＳＳの駆動電圧ＶＳＥＧ０〜ＶＳＥＧ２が印加される複数のセグメント電極ＳＥＧ０〜ＳＥＧ２を備える。 - 特許庁

A common electrode COM is provided which is disposed opposite the segment electrodes SEG0 to SEG2 and receives the high-potential power source and low-potential power source VSS inverted in every predetermined time.例文帳に追加

このセグメント電極ＳＥＧ０〜ＳＥＧ２に対向して配置され、高電位電源と低電位電源ＶＳＳとが所定期間ごとに反転されて印加される共通電極ＣＯＭを備える。 - 特許庁

To provide an apparatus whose plasma processing performance is not decremented when first and second electrodes within a plasma chamber are connected respectively to a low-frequency RF power source and a high-frequency RF power source.例文帳に追加

プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the discharge light source 1 comprises the following processes; and the discharge light source emits light by discharge between a pair of electrodes 5a and 5b arranged in an enclosed space.例文帳に追加

本発明の放電光源１の製造方法は、密閉空間内に配置された一対の電極５ａ，５ｂの間での放電により光を放出する放電光源であって、以下の工程を備えている。 - 特許庁

The source line driving circuit 20B has a shift register 12, a data latching circuit 11, a line-latching circuit 10, a D-A converter 9B, and multiplexer 8B, and generates pixel signals to a plurality of source electrodes 4.例文帳に追加

ソース線駆動回路２０Ｂはシフトレジスタ１２、データラッチ回路１１、ラインラッチ回路１０、Ｄ／Ａコンバータ９Ｂ、マルチプレクサ８Ｂを有し、複数のソース電極４に対して画素信号を発生する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which can have a source wire, source electrodes, and a drain electrode formed in a single patterning stage without increasing the contact resistance between the drain electrode and a pixel electrode.例文帳に追加

ドレイン電極と画素電極とのコンタクト抵抗を増大させずに、ソース配線、ソース電極およびドレイン電極を一回のパターニング工程で形成できる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

This plane display device is constituted by forming a semiconductor layer and auxiliary capacitor electrodes in the same layer on a glass substrate, forming a gate insulating film atop the same, forming gate electrodes and auxiliary capacitor feeder lines in the same layer atop the same, forming an interlayer insulating film atop the same and forming source electrodes and drain electrodes atop the same.例文帳に追加

本発明の平面表示装置は、ガラス基板上に半導体層と補助容量電極とを同層に形成し、その上面にゲート絶縁膜を形成し、その上面にゲート電極と補助容量給電線とを同層に形成し、その上面に層間絶縁膜を形成し、その上面にソース電極とドレイン電極を形成する。 - 特許庁

Six semiconductor elements 23 formed of MOS transistors are built in a semiconductor module 21, for instance, P electrodes 24 connected to the drain electrodes of the upper arm-side (on the left side in Fig. 1) semiconductor elements 23 and N electrodes 25 connected to the source electrodes of the lower arm-side (on the right side in Fig. 1) are inserted into the center side 22a of a case 22.例文帳に追加

半導体モジュール２１は、ＭＯＳトランジスタからなる６個の半導体素子２３が内蔵され、例えば、上アーム側（図１左側）半導体素子２３のドレイン電極と接続されるＰ電極２４と、下アーム側（図１右側）半導体素子２３のソース電極と接続されるＮ電極２５が、ケース２２の略中央部の辺２２ａにインサートされている。 - 特許庁

In addition, gate electrodes 20 are formed near the peripheries of the nanotubes 100, by using the conventional semiconductor device manufacturing method and, at the same time, thin nonconductor films 30 are formed on the gate electrodes 20 so as to bury the holes 10' and source electrodes 40 and drain electrodes 50 are respectively formed on and under the nanotubes 100.例文帳に追加

また、従来の半導体装置の製造方法を用いて炭素ナノチュ−ブ１００の周囲近傍にゲート電極２０を形成すると共に孔１０’を埋め込むようにゲート電極２０の上に不導体薄膜３０を成膜し、炭素ナノチュ−ブ１００の上部と下部とに各々ソース電極４０とドレイン電極５０とを形成する。 - 特許庁

On the other hand, in a spare transistor Qn3 and a spare transistor Qn4, gate and source electrodes are connected to VSS, while drain electrodes are connected to VSS through a resistive element R3 and a resistive element R4, respectively.例文帳に追加

一方、予備トランジスタＱｎ３及び予備トランジスタＱｎ４は、ゲート端子及びソース端子がＶＳＳへと接続され、ドレイン端子は各々抵抗素子Ｒ３及び抵抗素子Ｒ４を介してＶＳＳへと接続される。 - 特許庁

Even if the electrodes generate heat accompanying lighting of the lamp, since the emergency light source lighting device 10 is arranged outside bases of the fluorescent lamp 30, the breakage of the battery means due to the heat from the electrodes can be prevented.例文帳に追加

また、ランプ点灯に伴い電極が発熱しても、非常用光源点灯装置１０が蛍光ランプ３０の口金外に配設されているので、電極からの熱によるバッテリー手段の破壊が防止できる。 - 特許庁

A driving circuit driving a matrix electron-source controls potentials of row selection electrodes X1, X2, X3, and X4, and potentials of column selection electrodes Y1, Y2, Y3, and Y4 as shown in Fig. 1 (a) to (h).例文帳に追加

マトリクス電子源を駆動する駆動回路は、各行選択電極Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４の各電位および各列選択電極Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４の各電位を図１（ａ）〜（ｈ）のように制御する。 - 特許庁

In the stack, U shape pillars 30 are arranged, penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG1-CG4 with one ends connected to a source line SL and the other ends connected to a bit line BL.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧ１〜ＣＧ４を貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁

A node Na formed by one of electrodes of a fly capacitor Cf is connected to an input voltage source Vin via a switch SW1, and connected to one of electrodes of an output capacitor Co via a switch SW4.例文帳に追加

フライコンデンサＣｆの一方の電極が形成するノードＮａは、スイッチＳＷ１を介して入力電圧源Ｖｉｎと接続し、スイッチＳＷ４を介して出力コンデンサＣｏの一方の電極と接続する。 - 特許庁

An RF power source 48 is coupled to each of the electrodes 44, 46 for biasing the electrodes, so that each of them is operable for creating a DC bias on a substrate 22 positioned on the surface of the substrate support 20.例文帳に追加

ＲＦパワー源４８が各電極４４、４６に結合されて、電極をバイアスし、それにより電極は、支持表面２０に位置決めされた基板２２にＤＣバイアスを生じるように動作可能である。 - 特許庁

In rectangular areas formed by making the gate and source lines 6 and 7 cross each other, pixel electrodes 21 and TFT(thin film transistor) elements 18 connecting the electrodes 21 and the lines 6 and 7 are provided, respectively.例文帳に追加

またゲートおよびソースライン６，７が交差することによって形成される複数の矩形領域には、画素電極２１と、各電極２１とライン６，７とを接続するＴＦＴ素子１８とがそれぞれ設けられる。 - 特許庁

Before and after the vacuum treatment, a direct current is applied on trapping electrodes 9, 10 from the trapping power source 17, and the suspended matter in the vacuum tank 2 is adsorbed by the charged up trapping electrodes 9, 10.例文帳に追加

真空処理の前後においては、捕集電極９，１０に対して捕集用電源１７から直流電圧が印加され、真空槽２内の浮遊物がチャージアップ状態の捕集電極９，１０に吸着される。 - 特許庁

The static eliminator includes at least two electrodes to which an AC voltage is applied and a dielectric covering these electrodes and also includes a plasma discharging electrode body for generating plasma to constitute an ion source.例文帳に追加

本発明の除電器では、交流電圧が印加される少なくとも２つの電極および該電極を覆う誘電体から成りかつプラズマを創成してイオン源を構成するプラズマ放電電極本体が設けられる。 - 特許庁

The source electrodes or drain electrodes of thin film transistors in the adjacent switching circuits are disposed so that wide areas and narrow areas thereof are opposite to each other and the wide areas overlap each other as viewed in the extending direction.例文帳に追加

隣接するスイッチ回路の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極同士を、幅の広い領域と狭い領域が向き合うように、かつ幅の広い領域が延在方向から見て重なるように配置する。 - 特許庁

This device has an electrolytic water tank, at least a pair of electrodes 3 for electrolysis for forming electrolytic water by passing current to the water and a power source section 4 for passing the current to the electrodes 3 for electrolysis.例文帳に追加

水が供給される電解水槽８と、この水に電流を流して電解水を生成する少なくとも一対の電解用電極３と、この電解用電極３に電流を流す電源部４とを備える。 - 特許庁

When the electron beam is applied on a screen center part, a voltage exceeding a threshold value is applied between cathode electrodes Ca5-Ca11 and extraction electrodes Ex5-Ex11 in this field emission type electron source element 10.例文帳に追加

スクリーン中央部に電子ビームを照射する場合には、電界放出型電子源素子１０における、カソード電極Ｃａ５〜Ｃａ１１と、引出し電極Ｅｘ５〜Ｅｘ１１との間で閾値を超える電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an EUV light source device that gasifies a raw material by irradiation with an energy beam and produces a high-temperature plasma, using electrodes for suppressing electrode ablation due to irradiation to the electrodes with an energy beam.例文帳に追加

エネルギービームを照射して原料を気化し、電極放電により高温プラズマを生成するＥＵＶ光源装置において、エネルギービームが電極に照射されることにより発生する電極のアブレーションを抑制すること。 - 特許庁

The gate electrodes of the FETs of cascade circuits of the 1st and 2nd paths are so coupled, that they are biased with relative source voltages of the buffer.例文帳に追加

第1及び第2のパスのカスコード回路のFETのゲート電極は、バッファの相対する電源電圧によってバイアスされるように結合される。 - 特許庁

To prevent a probe for the power of a power source from touching other electrodes located next to an electrode corresponding to this probe.例文帳に追加

電源電力用のプローブがこのプローブに対応すべき電極の隣りに位置する他の電極に接触することを防止することにある。 - 特許庁

After oxide films 316A, 316B are formed on the wall surface of the cavity, embedded source electrodes 312A, 312B are formed in the cavity.例文帳に追加

キャビティの壁面に酸化膜３１６Ａ、３１６Ｂが形成された後に、キャビティ内に埋込みソース電極３１２Ａ、３１２Ｂが形成される。 - 特許庁

This projecting light source is composed of a bulb 6 made of quartz glass; a pair of electrode shafts 7, 8; a pair of electrodes 9, 10; and a discharge medium 11.例文帳に追加

石英ガラスからなるバルブ６、一対の電極軸７，８、一対の電極９，１０および放電媒体１１を有して構成されている。 - 特許庁

The electric circuit involves a capacitance element having electrodes disposed so as to hold a specified gate-source voltage of a transistor.例文帳に追加

本発明は、容量素子の両電極がある特定のトランジスタのゲート・ソース間電圧を保持できるように配置した電気回路を提供する。 - 特許庁

The bump electrode 108 includes the bump electrodes 108 for the drain, gate and source of the LDMOSFET constituting the power amplification circuit.例文帳に追加

バンプ電極１０８は、電力増幅回路を構成するＬＤＭＯＳＦＥＴのドレイン、ゲートおよびソース用のバンプ電極１０８を有している。 - 特許庁

A contact for contacting with the electrodes 3 inserted into the clearance spaces 8 is arranged in the clearance spaces 8 of the power source side connector element 6.例文帳に追加

電源側コネクタ要素６の隙間空間８内に、その隙間空間８に挿入されてきた電極３に接触するコンタクトを配備する。 - 特許庁

A portion of the channel and barrier layers form a mesa extending in the longitudinal direction and the source and drain electrodes extend beyond an edge of the mesa.例文帳に追加

チャネル及び障壁層の一部分は長手方向に延伸するメサ部を形成し、ソース及びドレイン電極がメサ部の縁を超えて延伸する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a source region 10, a drain region 9 and conductor plugs 13 (p1) on a reach-through layer 3 (4) for leading out electrodes.例文帳に追加

ソース領域１０、ドレイン領域９およびリーチスルー層３（４）上に電極引き出し用の導体プラグ１３（ｐ１）が設けられている。 - 特許庁

Of two porous electrodes in the dehumidifier 30, the electrode connected to a positive electrode of a power source is faced with the closed space 20.例文帳に追加

この除湿器３０の二つの多孔性電極（図示せず）のうち、電源の陽極に接続された電極は、密閉空間２０に臨ませる。 - 特許庁

Gate electrodes of the reset transistor, the source follower transistor, and the select transistor intersect the part elongated in the first direction of the second region.例文帳に追加

リセットトランジスタ、ソースフォロワトランジスタ、及びセレクトトランジスタのゲート電極の各々が、第２の領域の第１の方向に長い部分と交差している。 - 特許庁

When a probe 7 is coarsely moved to a sample 8, the application of voltage from a power source circuit 42 to annular electrodes 41a, 41b is stopped.例文帳に追加

探針７を試料８に対して粗動させる際は、電源回路４２から環状電極４１ａ、４１ｂへの電圧印加を停止する。 - 特許庁

A bias voltage is applied from the intermittent output type power source circuit 2 to opposed electrodes of a piezoelectric type acceleration sensor 1 through a voltage application circuit 5.例文帳に追加

間欠出力型電源回路２から電圧印加回路５を通して圧電型加速度センサ１の対向電極にバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

To realize a field-effect transistor wherein the contact resistance of a source electrode and a drain electrode is small and the electrodes can easily be formed.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極のコンタクト抵抗が小さく且つ電極の形成が容易な電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁

Source electrodes S of the semiconductor chips 1a-1c are bonded to back faces of the bus bars 11u-11w by soldering and brazing.例文帳に追加

半導体チップ１ａ〜１ｃの各ソース電極Ｓは、半田付け又はロウ付けによってバスバー１１ｕ〜１１ｗの各裏面にそれぞれ接合される。 - 特許庁

In the repair mode, the light source driving device 70 gradually increases supply energy to both electrodes 15, 16 during a positive electrode period.例文帳に追加

この補修モードにおいて、光源駆動装置７０は、両電極１５，１６に対して陽極期間中の供給エネルギーを順次増加させる。 - 特許庁

The probe 4 has a terminal to be abutted on the electrodes of a part to be inspected of the liquid crystal panel belt 10 and a power source is supplied from the terminal.例文帳に追加

プローブ４は、液晶パネル帯１０の検査対象となる部分の電極に当接する端子を有し、そこから電源を供給する。 - 特許庁

Between the gate electrode 52 and the source electrodes 30, an insulating film 70 is formed in such a manner that it strides over the termination 50a of the trench 50.例文帳に追加

ゲート電極５２とソース電極３０との間には、トレンチ５０の終端部５０ａを跨ぐようにして絶縁膜７０が設けられている。 - 特許庁

The high-resistance region suppresses the flow of the current interposed between the source and drain electrodes 3, 7 when applying no voltage to the gate electrode 5.例文帳に追加

高抵抗領域は、ゲート電極５に電圧を印加していない時のソース電極３とドレイン電極７間の電流の流れを抑制する。 - 特許庁

To obtain a TFT array substrate excellent in a contact characteristic on the interface between source/drain electrodes, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、ソース・ドレイン電極の界面においてコンタクト特性のよいＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁