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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > source electrodesに関連した英語例文

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source electrodesの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1465



例文

The tunnel conductance between the source and the drain is changed dependently upon the magnetization array of the electrodes by the chemical potential shift.例文帳に追加

この化学ポテンシャルシフトによりソース−ドレイン間のトンネルコンダクタンスが電極の磁化配列に依存して変化する。 - 特許庁

Voltage is supplied by an AC power source so that electric field between a plurality of electrodes may be temporally switched.例文帳に追加

交流電源により、複数の電極間の電界が時間的に切り替わるように電圧を供給する。 - 特許庁

At this point, source electrodes constituted by the thin-film transistors of the driving element are connected to a power wire.例文帳に追加

この時,上記駆動素子の各薄膜トランジスタ毎に構成されたソース電極を電源配線と連結する。 - 特許庁

To provide a pn-junction type field effect transistor having source/ drain electrodes with small electric resistance.例文帳に追加

ソース/ドレイン電極の電気抵抗が低い構成を備えてpn接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

例文

In this case, source electrodes composed by the thin-film transistors of the driving element are coupled to power supply wiring.例文帳に追加

この時、上記駆動素子の各薄膜トランジスタ毎に構成されたソース電極を電源配線と連結する。 - 特許庁


例文

To enhance the rate of detection of defective pixels due to a short circuit between drain-source electrodes of a liquid-crystal display substrate.例文帳に追加

液晶表示基板のドレイン−ソース電極間ショートによる欠陥画素の検出率を向上させる。 - 特許庁

The first and second electrodes 2 and 3 function as the extension of the source electrode 22 and the drain electrode 23.例文帳に追加

第1および第2の電極部2、3は、ソース電極22およびドレイン電極23の延長として機能する。 - 特許庁

An AC power source 59 supplies a voltage so that an electric field between the electrodes switches temporally.例文帳に追加

交流電源59により、複数の電極間の電界が時間的に切り替わるように電圧を供給する。 - 特許庁

The electric power source part supplies a prescribed potential to each of the electrodes parts under the control of the control part.例文帳に追加

電源部は制御部の制御下において電極郡の各々に対して所定の電位を供給する。 - 特許庁

例文

Also the first and second data electrodes 6, 7 are connected to each other via a source and a drain of a third TFT 8.例文帳に追加

また、第1および第2のデータ電極6,7は、第3のTFT8のソース−ドレインを介して接続される。 - 特許庁

例文

The protective film forming chamber 21 includes RF electrodes 22 between which high frequency power is applied from an RF power source.例文帳に追加

保護膜形成室21は、RF電源から高周波電力が印加されるRF電極22を備えている。 - 特許庁

In addition, the dummy electrodes are grounded via a resistor 53 or connected to the fixed voltage source via the resistor 53.例文帳に追加

さらに加えて、抵抗53を介して接地、あるいは抵抗53を介して一定電圧源に接続した。 - 特許庁

Extraction electrodes of the liquid metal ion source are provided in a vertical double stages with a space therebetween, and integrated.例文帳に追加

液体金属イオン源の引き出し電極を各々の間に空間をおいて上下二段構えにし、一体化する。 - 特許庁

Positive and negative pulse current generated in a constant current source 21 is applied between electrodes 2a, 2b through a switch 25.例文帳に追加

定電流源21で発生した正負パルス電流をスイッチ25を介して電極2a、2b間に印加する。 - 特許庁

Droplets to be the source electrode and the drain electrodes are jetted on the formation region based on droplet jetting data.例文帳に追加

この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 - 特許庁

As a result, as the film substrate 41 is contracted, the source and drain electrodes 42 are contracted.例文帳に追加

すると、フィルム基板41の収縮とともにそれに付着して形成されたソース・ドレイン電極42も収縮する。 - 特許庁

A both-edge voltage power source circuit 193 is also disposed for applying voltages to the edge electrodes 101k.例文帳に追加

また、これら端電極101kにそれぞれ電圧を印加する両端電圧電源回路193を設けた。 - 特許庁

A high frequency voltage is impressed on the capacitor 1 from a high frequency power source 5 through terminal electrodes 3, 4.例文帳に追加

コンデンサ1に対して、その端子電極3,4を介して、高周波電源5からの高周波電圧を印加する。 - 特許庁

The first and second gate electrodes share the same source/drain region to form first and second transistors.例文帳に追加

第1と第2ゲート電極は、同一のソース/ドレイン領域を共有し、第1と第2トランジスタが形成される。 - 特許庁

The output from a drive voltage source 202 is applied to the electrodes 102 and 103 via an electrode pad 201.例文帳に追加

駆動電圧源202からの出力は、電極パッド201を介して電極102、103に印加される。 - 特許庁

Pixel electrodes to be formed on the protective film decide each pixel areas and are superposed on the source lines and the gate lines.例文帳に追加

保護膜上に形成される画素電極は、各画素領域を決定し、ソース線とゲート線に重畳される。 - 特許庁

The two source-drain electrodes are sandwiched by the insulating substrate and the gate insulating film even in an inverse stagger structure.例文帳に追加

逆スタガー型構造においてもソース/ドレイン電極を絶縁性基板とゲート絶縁膜とで挟む構成とする。 - 特許庁

Conversion electrodes 21a-21d divided into four are arranged closer to an electron source than a secondary electron detector 12.例文帳に追加

二次電子検出器12よりも電子源側に、4分割された変換電極21a〜21dが配置されている。 - 特許庁

The electrically conductive diamond electrode 10 and each of platinum electrodes 11, 12 are connected to an external DC power source.例文帳に追加

導電性ダイヤモンド電極10及び白金電極11,12は、外部直流電源に接続されている。 - 特許庁

A material having resistance against alkali is adopted for the active layer, a material having properties dissolved to alkali is adopted for the source/drain electrodes, and etching is made by alkali etchant when patterning the source/drain electrodes, thus patterning the source/drain electrodes on an upper layer by etching without damaging the lower-layer active layer.例文帳に追加

活性層にアルカリ耐性を有する材料を採用し、ソース/ドレイン電極にアルカリに溶解する性質を有する材料を採用し、ソース/ドレイン電極のパターニングの際に、アルカリ性のエッチャントを用いてエッチングをすることで、下層の活性層にダメージを与えること無く上層のソース/ドレイン電極をエッチングによりパターニングすることが可能になる。 - 特許庁

It is possible to suppress generation of parasitic capacitance between pixel electrodes 11 and source wiring 7 by arranging an insulating shading film 7a for shading between the pixel electrodes 11 and source in a structure not superposing the pixel electrodes 11 on the source wiring 7, and an active matrix type liquid crystal display device generating no cross-talk and decrease in contrast and having a high numerical aperture can be provided.例文帳に追加

画素電極とソース配線を重ねない構造において、画素電極とソースとの間を遮光する絶縁性遮光膜を設けることにより、画素電極とソース配線との寄与容量の発生を抑えることができ、クロストークやコントラスト低下のない表示品質が高く、開口率の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を得ることができる。 - 特許庁

An organic TFT is provided with an organic semiconductor layer, source and drain electrodes connected with the organic semiconductor layer electrically, a gate electrode provided in such a manner that it is insulated by the source and drain electrodes and the organic semiconductor layer, respectively, and an organic acceptor film interposed between the source/drain electrodes and the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層と、有機半導体層に電気的に連結されたソース及びドレイン電極と、ソース及びドレイン電極と有機半導体層とにそれぞれ絶縁されるように備えられたゲート電極と、ソース及びドレイン電極と有機半導体層との間に介在された有機アクセプタ膜と、を備えることを特徴とする有機TFTである。 - 特許庁

A display unit 7 is equipped with: a source electrode driving circuit 101a which is connected to the auxiliary electrodes 3 and which applies electric signals to the source electrodes 1 via the auxiliary electrodes 3; and a gate electrode driving circuit 101b which is placed to oppose to the source electrode driving circuit 101a over the display screen 100 and which is connected to the gate electrodes 5 to apply electric signals to the gate electrode 5.例文帳に追加

そして、補助電極3に接続され、補助電極3を介してソース電極1に電気信号を加えるソース電極駆動回路101aと、ディスプレイ画面100をはさんでソース電極駆動回路101aと対向する位置に設けられ、かつ、ゲート電極5と接続してゲート電極5に電気信号を加えるゲート電極駆動回路101bとを備えた表示ユニット7を構成する。 - 特許庁

To align clearance spaces 8 with electrodes 3 just before inserting the electrodes 3 of an apparatus side connector element 1 into the clearance spaces 8 of a power source side connector element 6 in a connector for a power source having the apparatus side connector element 1 and the power source side connector element 6.例文帳に追加

機器側コネクタ要素1と電源側コネクタ要素6とを備える電源用コネクタにおいて、電源側コネクタ要素6の隙間空間8に機器側コネクタ要素1の電極3が挿入される直前に隙間空間8と電極3とを位置合わせすることを可能にする。 - 特許庁

Source electrode pads 38 which are electrically connected to several source fingers 29 provided to the source electrodes 26 are arranged at one-side ends in length directions of a plurality of gate fingers 27 provided to the gate electrodes 24 and at a position nearer the gate fingers 27 than the gate electrode pads 32.例文帳に追加

ソース電極26に備える複数のソースフィンガー29と電気的に接続されるソース電極パッド38が、ゲート電極24に備える複数のゲートフィンガー27の長手方向の一方端側であって、ゲート電極パッド32よりもゲートフィンガー27に近い位置に配置される。 - 特許庁

As a result, the current is prevented from concentrating on the specific source bump electrode 6a or drain bump electrode 6b so that the source bump electrodes 6a and the drain bump electrodes 6b are prevented from being damaged by the concentrated current.例文帳に追加

その結果、特定のソースバンプ電極6a、ドレインバンプ電極6bへの電流集中を防止することができるため、電流集中によるソースバンプ電極6a、ドレインバンプ電極6bの破損を防止することができる。 - 特許庁

Schottky electrodes 30 are formed adjacent to gate electrodes 28 in the direction perpendicular to the facing direction of a source electrode 24 and a drain electrode 26, in the region in which the source electrode 24 and the drain electrode 26 are faced.例文帳に追加

ショットキー電極30が、ソース電極24とドレイン電極26とが対向する領域の、ソース電極24とドレイン電極26とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極28と並んで形成されている。 - 特許庁

The apparatus is equipped with many scan electrodes and sustain electrodes which are formed side by side and a scan drive part which alternately supply sustain pulses having the positive and negative polarities to the scan electrodes during a sustain period, and the sustain electrodes are connected to a base voltage source and always maintain a base potential.例文帳に追加

お互いに並んで形成される多数の走査電極及び維持電極と、サステイン期間の間走査電極に正極性及び負極性のサステインパルスを交番的に供給するための走査駆動部を備え、維持電極は基底電圧源に接続されていつも基底電位を維持する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of cells 5, each of which is provided with a predetermined number of gate electrodes 1, and source electrodes 3 and drain electrodes 4 alternately formed by respectively interposing the gate electrodes 1, wherein a cell 5 is arranged to be shifted from a neighboring other cell 5'.例文帳に追加

半導体基板上に形成される所定の数のゲート電極1と、各ゲート電極1を挟んで交互に形成されるソース電極3およびドレイン電極4から構成されるセル5を複数備え、セル5は、近接する他のセル5’に対してシフトして配置される。 - 特許庁

The plasma light source includes a pair of coaxial electrodes 10 whose center electrodes have their axially inner ends arranged opposite each other, a discharge environment holding device 20 which holds temperature and pressure in the pair of coaxial electrodes, and a voltage application device 30 which applies discharging voltages to the respective coaxial electrodes.例文帳に追加

中心電極の軸方向内端部が対向配置された1対の同軸状電極10と、1対の同軸状電極内の温度及び圧力を保持する放電環境保持装置20と、各同軸状電極に放電電圧を印加する電圧印加装置30とを備える。 - 特許庁

This discharge type gas purification apparatus comprises in a facing state arranged electrodes 2a, 2b with different effective areas, a high frequency power source 1 generating high frequency discharge between the electrodes by applying voltage to the electrodes, and a gas circulating means for circulating gas containing fine particles between the electrodes.例文帳に追加

対向配置された実効面積の異なる電極2a,2bと、前記電極に電圧を印加して前記電極間に高周波放電を発生させる高周波電源1と、前記電極間に微粒子を含むガスを通流させるガス通流手段とを備えている構成とする。 - 特許庁

An arbitrary circuit is constituted by connecting all of source electrodes and gate electrodes of p-type channel TFTs and drain electrodes and gate electrodes of n-type channel TFTs, performing processes for the surface modifications, and then disconnecting unnecessary wiring by light irradiation etc.例文帳に追加

任意回路を構成するために、p型チャネルTFT用のソース電極とゲート電極、および、n型チャネルTFT用のドレイン電極とゲート電極をすべてつないでおいて、表面修飾のプロセスを行い、その後、光照射などにより不要配線を切断する。 - 特許庁

This nucleic acid detecting sensor of the present invention is combined with an electric power source, nucleic acid chain immobilized electrodes, counter electrodes, a reference electrode provided in every of the nucleic acid chain immobilized electrodes, and a plurality of specified amplifiers and resistances.例文帳に追加

本発明は、電源と、核酸鎖固定化電極と、対極と、前記鎖固定化電極毎に設けられた参照電極と、特定の複数の増幅器及び抵抗が組み合わせられた、核酸検出用センサである。 - 特許庁

Protruded electrodes 3a1 and 3a2 of a source driver chip 3 are formed in a protruding condition at locations closer to the center by a dimension L from longitudinal end faces 3b1 and 3b2 of the source driver chip 3, respectively.例文帳に追加

ソースドライバチップ3の突起電極3a1、3a2を対応する長手端面3b1、3b2から中央側へ寸法Lだけ入り込んだ位置に凸設する。 - 特許庁

To form a source and a drain, which are respectively formed on the upper and lower gate electrodes of an field-effect transistor, in a state, where the source and drain are aligned with each other to minimize parasitic capacitance which impairs high-speed operation of the field-effect transistor.例文帳に追加

上下のゲート電極にソースとドレインを整合した状態で形成して、電界効果トランジスタの高速動作を阻害する寄生容量を最小にする。 - 特許庁

A separator 20 is arranged between the negative electrode 11 and the lithium ion supply source 16 to keep an insulation state between the negative electrodes 11 and the lithium ion supply source 16.例文帳に追加

負極11とリチウムイオン供給源16との間にはセパレータ20が設けられ、負極11とリチウムイオン供給源16との絶縁状態が保たれている。 - 特許庁

In order to overcome the ambipolar properties of a CNTFET, source/drain gates 125 are introduced below a CNT 110 opposite source/drain electrodes 105.例文帳に追加

CNTFETの両極性の性質を克服するために、ソース/ドレイン・ゲート125が、ソース/ドレイン電極105と反対の側のCNT110の下に導入される。 - 特許庁

Further, the other electrode (source) of the electrodes of each access transistor ATR is coupled electrically via a contact CT to each source line SL formed in a first metal wiring layer.例文帳に追加

そして、アクセストランジスタATRの他方電極(ソース)は、コンタクトCTを介して第1の金属配線層に形成されるソース線SLと電気的に結合される。 - 特許庁

The contact layers are formed in a region where the protective layer, and the source and drain electrodes overlap in a thickness direction and the source electrode is separated from the drain electrode.例文帳に追加

接触層は、保護層とソース電極及びドレイン電極とが厚さ方向で重なる領域に形成されており、ソース電極とドレイン電極との間では分離している。 - 特許庁

Then, the voltage applied between a pair of electrodes is obtained by sharing a power source for the lamp of the projector.例文帳に追加

また上記集塵用電極を覆うように集塵紙を設けてプロジェクター外部から交換できるようにしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, or the like, capable of preventing a poor contact between source and drain electrodes and a semiconductor film.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。 - 特許庁

The light source device 5 includes a light-emitting tube 51 having a light-emitting section 511 wherein a pair of electrodes are arranged inside.例文帳に追加

光源装置5は、内部に一対の電極が配置される発光部511を有する発光管51を備える。 - 特許庁

Outer leads 45-48 functioning as external source electrodes are arranged on a second side face 24 of the resin package 20.例文帳に追加

樹脂パッケージ20の第2の側面24には外部ソース電極として機能する外部リード45〜48が配列される。 - 特許庁

An electrolyzing power source 38 for supplying power to the electrodes 33 and 34 is set in the housing 32.例文帳に追加

電源収容部32は、両電解電極33,34に電力を供給する電解電源38を収容する。 - 特許庁

例文

The source/drain electrodes of TFT are connected to the common signal line (Sig line) and the Sig line is connected to a reader.例文帳に追加

TFTのソース、ドレイン電極は共通の信号線(Sig線)に接続されて、Sig線は読み出し装置に接続される。 - 特許庁




  
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