「source electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The other face of the insulating substrate is provided with pad electrodes electrically connected to the electron source elements 10.例文帳に追加

絶縁基板１２の他面には電子源素子１０に電気的に接続されたパッド電極を設ける。 - 特許庁

The organic thin-film transistor includes a gate electrode formed on a substrate, a gate insulating film formed on the substrate including the gate electrode, source/drain electrodes formed on an upper part of the gate insulating film, and glue layers formed on upper parts of the source/drain electrodes and the gate insulating film between the source/drain electrodes.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極を含んだ基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上部に形成されたソース・ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極の下部そしてソース・ドレイン電極間のゲート絶縁膜上に形成されたグルー層とを備える有機薄膜トランジスタである。 - 特許庁

The organic TFT 1 has source and drain electrodes 3, 7 opposed to each other, an organic semiconductor layer 6 interposed between the source and drain electrodes 3, 7, and a gate electrode 5 disposed in the organic semiconductor layer 6 and for controlling the flow of the current interposed between the source and drain electrodes 3, 7.例文帳に追加

本発明の有機ＴＦＴ１は、対向するソース電極３及びドレイン電極７と、ソース電極３及びドレイン電極７間に配置される有機半導体層６と、有機半導体層６中に配置されると共に、ソース電極３とドレイン電極７間に流れる電流を制御するゲート電極５と、を備える。 - 特許庁

In the display device substrate 30 of normally black mode, a source line 2 is disposed on a region where pixel electrodes 3/3' are not disposed, a gaps is disposed between the source line 2 and the pixel electrodes 3/3' and, further, a BM8 is disposed in the gap between the pixel electrodes adjoining to each other via the source line 2.例文帳に追加

ノーマリーブラックモードの表示装置用基板３０であり、画素電極３・３’が設けられていない領域にソースライン２を設けるとともに、ソースライン２と画素電極３・３’との間に隙間を設け、さらに、ソースライン２を挟んで互いに隣り合う画素電極３・３’間の隙間にはＢＭ８が設けられていない。 - 特許庁

The planar light source device comprises a light source body 110 having an inside space in which discharge gas is filled, and electrodes 140 arranged to the light source body impressing a voltage to the discharge gas.例文帳に追加

面光源装置は放電ガスが注入される内部空間を有する光源本体１１０、及び光源本体に備えられ、放電ガスに電圧を印加する電極１４０を含む。 - 特許庁

The electrosurgical system includes an RF supply source such as an electrosurgical power source and a controller for operating RF energy transmission to a plurality of electrodes from a single power source output.例文帳に追加

この電気外科用システムは、電気外科用電源のようなＲＦ供給源、および単一電源出力から複数の電極へのＲＦエネルギー送達を取り扱うコントローラーを含む。 - 特許庁

When voltage is applied to the gate electrode, metal ions emitted from the gate electrode reversibly deposit as metal on the source and drain electrodes and on the insulator between the two electrodes, thereby controlling conduction and non-conduction between the source and the drain electrodes.例文帳に追加

ゲート電極に電圧を印加することにより、ゲート電極から出た金属イオンがソース、ドレイン両電極及びその間の絶縁体上に可逆的に金属として析出することにより、ソース電極とドレイン電極間の導通・非導通を制御する。 - 特許庁

In this display device which emits light from an emission light source held between electrodes by applying voltage between pixel electrodes 15 disposed in each pixel 11 and electrodes 19 facing the pixel electrodes, the emission light source is formed into a spot or linear shape determined on the basis of the form of the pixel electrode or the counter electrode, and a light condensing means to condense the light emitted from the emission light source is disposed.例文帳に追加

各画素１１に配置した画素電極１５とこれに対向する電極１９との間に電圧を印加して両電極間の発光源から発光を行なう表示装置において、前記発光源は画素電極または対向電極の形状によって定められた点状または線状のものとし、発光源が発する光を集光する集光手段を設ける。 - 特許庁

In the image driving element sheet, a plurality of thin film transistors coupled via a gate bus line and a source bus line are formed on a support sheet, the thin film transistors have source electrodes and drain electrodes coupled by channels consisting of gate electrodes, gate insulation layers, semiconductor layers in this order and the pixel electrodes are joined with the drain electrodes via an anisotropic conductive film.例文帳に追加

支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、画素電極が異方性導電膜を介してドレイン電極と接合されている画像駆動素子シート。 - 特許庁

The thin-film transistor has at least the source-drain electrodes to be formed to have a gap on a substrate, and the oxide semiconductor thin-film layer principally containing zinc oxide (ZnO) and to be formed as a channel on the gap and the surface of the source-drain electrodes.例文帳に追加

また、トップゲート型構造において、ソース・ドレイン電極からチャネルに至るまでの酸化物半導体薄膜層の膜厚方向の抵抗を抑え、電流律速を抑制することも解決課題とする。 - 特許庁

After source/drain electrodes 15A, 15B are formed on the channel protection film, the channel protection film is electrically isolated (to form a gap 14C) between the source/drain electrodes 15A, 15B, and divided into channel protection films 14A, 14B.例文帳に追加

チャネル保護膜上にソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂを形成したのち、チャネル保護膜をソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ間において電気的に分離（間隙１４Ｃを形成）し、チャネル保護膜１４Ａ，１４Ｂとする。 - 特許庁

According to the principle of this invention, it becomes possible to form the low resistance metallic film on the whole surface of the data wiring and the source electrodes by using a diffracting exposure method in the process for patterning the data wiring and the source electrodes.例文帳に追加

本発明の原理に従えば、データ配線及びソース電極をパターンする工程で回折露光方式を用いて、データ配線及びソース電極の全面に低抵抗金属膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

Moreover, this device is to be structured, so that the width direction of a channel 13 formed of the parallel source electrodes 11 and drain electrodes 12 is parallel to the source wiring, and also, the channel width is about the same as the long side length of the pixel opening part.例文帳に追加

また、平行なソース電極とドレイン電極とから形成されるチャネル１３の幅方向がソース配線と平行で、かつ、そのチャネルの幅が画素開口部の長辺の長さと同程度となるよう構成する。 - 特許庁

The source and drain electrodes and the impurity doped semiconductor layer are etched in a single processing step using a protective insulation layer 145 as a mask for the purpose of forming the source and the drain electrodes 143a and 143b.例文帳に追加

又、ソース、ドレイン電極１４３ａ，１４３ｂを形成するために、保護絶縁層１４５をマスクとして用いて、前記ソース、ドレイン電極及び不純物ドープ半導体層を単一の工程(ａ single step)でエッチングする。 - 特許庁

The actuator comprises: a driving source which contains polymer materials and has electro activity; and a pair of electrodes disposed so as to hold the driving source in-between.例文帳に追加

アクチュエータは、高分子材料を含み且つ電場応答性を有する駆動源部材と、該駆動源部材を挟むように配置された一対の電極とを有する。 - 特許庁

Source electrodes 22 connecting to the n+ type source layer 14 and the p+ type contact layer 15 at upper part is provided and adjacent trenches 16 are in a pitch 31.例文帳に追加

ｎ＋型ソース層１４及びｐ＋型コンタクト層１５に上部で接続するソース電極２２を有し、隣接するトレンチ１６はピッチ３１である。 - 特許庁

The active matrix board comprises; a transparent substrate having gate lines, source lines, gate pads, and source pads; a light-curing low permittivity protective film; and pixel electrodes arranged thereon.例文帳に追加

ゲート線、ソース線、ゲートパッド、ソースパッドを有する透明基板と、光硬化性低誘電率保護膜と、この上に配設される画素電極とからなる。 - 特許庁

Gate bus lines 1 and source bus lines 2 are formed on a transparent insulative substrate and pixel electrodes 3 are formed at the intersections of the gate bus lines 1 and the source bus lines 2.例文帳に追加

透明絶縁性基板上にゲートバスライン１およびソースバスライン２を形成し、該ゲートバスライン１とソースバスライン２との交差部に画素電極３を形成する。 - 特許庁

A sub-panel 100 includes a plurality of gate bus lines 14, source bus lines 16, TFTs 25 and pixel electrodes, respectively, and is provided with a source driver 15.例文帳に追加

サブパネル１００は、それぞれ複数のゲートバスライン１４、ソースバスライン１６、ＴＦＴ２５および画素電極を有し、ソースドライバ１５が設けられている。 - 特許庁

The gate electrodes 3 of the output MOSFETs 1a, 1b are interconnected via a gate connection member 13a and a gate line 23, the source electrodes 2 of the output MOSFETs 1a, 1b are interconnected by an inter-source connection member 15, and only the source electrode 2 of the output MOSFET 1a is connected to a source line 22 by a source connection member 12a.例文帳に追加

出力用ＭＯＳＦＥＴ１ａ，１ｂの各ゲート電極３は、ゲート接続部材１３ａ、ゲート線路２３を介して互いに接続し、各ソース電極２はソース電極間接続部材１５によって互いに接続しており、出力用ＭＯＳＦＥＴ１ａのソース電極２のみがソース接続部材１２ａによってソース線路２２に接続されている。 - 特許庁

Source/drain electrodes are made into interdigital shape; width of the drain electrode is made shorter than that of the source electrode; and roots of the drain electrode or of source/drain electrodes are made tapered; thereby the electrical resistance increase is suppressed, and the yield is improved for the thin-film transistor array.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極をクシ型とし、ドレイン電極の幅をソース電極の幅より細くし、ドレイン電極あるいはソース・ドレイン電極の根元をテーパー状にすることにより、電気抵抗の増大を抑制し、かつ歩留まりを向上した薄膜トランジスタアレイ。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises nonvolatile memory elements (PM1, PM2) which have first electrodes, first drain electrodes, floating gate electrodes and control gate electrodes and can have different threshold voltages, and read transistor elements DM1, DM2 which have second source electrodes and second drain electrodes, use the floating gate electrodes as gate electrodes and can have different mutual conductances, according to the threshold voltages of the nonvolatile memory elements.例文帳に追加

半導体集積回路は、第１ソース電極、第１ドレイン電極、フローティングゲート電極及びコントロールゲート電極を有し、異なる閾値電圧を持つ事が可能な不揮発性記憶素子（ＰＭ１，ＰＭ２）と、第２ソース電極及び第２ドレイン電極を有し前記フローティングゲート電極をゲート電極とし前記不揮発性記憶素子が持つ閾値電圧に応じて異なる相互コンダクタンスを持つ事が可能な読み出しトランジスタ素子（Ｄｍ１，ＤＭ２）とを有する。 - 特許庁

Thereafter, in a state where an electrolytic solution 15 is interposed among the positive electrodes 13, the negative electrodes 14 and the electrically conductive metal oxide thin film 12, voltage is applied to both the electrodes 13, 14 from a power source 16.例文帳に追加

その後、これらの正電極１３、負電極１４と導電性金属酸化物薄膜１２の間に電解液１５を介在させた状態で、両電極１３，１４に電源１６から電圧を印加する。 - 特許庁

A layout determining means 224 generates layout information in which all the source electrodes, drain electrodes and gate electrodes of the transistors included in the circuit are arranged in parallel each other in the narrow-width region having the determined width.例文帳に追加

レイアウト決定手段２２４は、決定された幅を持つ狭幅領域に、回路に含まれるトランジスタの全てのソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を互いに並行に配置したレイアウト情報を生成する。 - 特許庁

The source bus line 16 is provided along the aperture part 13 between pixel electrodes formed between the pixel electrodes 12 and 12, disposed at a lower part of the pixel electrodes 12 and 12 and superposed on the respective edge parts of the pixel electrodes 12 and 12 when two-dimensionally viewed.例文帳に追加

ソースバスライン１６は、各絵素電極１２・１２の間に形成される絵素電極間開口部１３に沿って設けられ、絵素電極１２・１２よりも下方に配置され、平面的に見たときに各絵素電極１２・１２のそれぞれの端部に重畳している。 - 特許庁

When a voltage is applied between the electrodes 8a and the electrodes 7 in the source 10, the electrons implanted from the electrodes 8a by an electric field operated at the drift part 6a are drifted and discharged through the electrodes 7.例文帳に追加

この電子源１０では、注入電極８ａと表面電極７との間に電圧を印加したときにドリフト部６ａに作用する電界により注入電極８ａから注入された電子がドリフトして表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

This plasma display device has dummy electrodes 51 arranged in parallel with data electrodes 10 on both side of electrode arrangement directions of a plurality of data electrodes 10 arranged in a direction to solid crossing with a pair of display electrodes and the dummy electrodes 51 are grounded via a capacitor 52 or connected to a fixed voltage source via the capacitor 52.例文帳に追加

表示電極対と立体交差する方向に配置された複数のデータ電極１０の電極配列方向の両側にデータ電極１０と平行に配置されたダミー電極５１を有し、ダミー電極５１はコンデンサ５２を介して接地、あるいはコンデンサ５２を介して一定電圧源に接続した。 - 特許庁

Each pixel has a plurality of thin film transistors (source electrodes 173 and drain electrodes 175) connected to a gate lines and data lines 171, and 1st sub-pixel electrodes 190a connected to the thin film transistios and 2nd sub-pixel electrodes 190b capacitively connected to the 1st sub-pixel electrodes.例文帳に追加

各画素は、ゲート線及びデータ線１７１に接続されている複数の薄膜トランジスタ（ソース電極１７３、ドレイン電極１７５）、並びに該薄膜トランジスタと接続されている第１副画素電極１９０ａ及び該第１副画素電極と容量性結合されている第２副画素電極１９０ｂを有する。 - 特許庁

The source 10 has a plurality of implanting electrodes 8a arranged in a stripe state, a plurality of surface electrodes 7 arranged in a stripe state in a direction perpendicular to the electrodes 8a, and a drift part provided between the electrodes 8a and the electrodes 7 and having a porous region.例文帳に追加

電子源１０は、ストライプ状に配列された複数本の注入電極８ａと、注入電極８ａに直交する方向のストライプ状に配列された複数本の表面電極７と、注入電極８ａと表面電極７との間に設けられ多孔質化された領域を有するドリフト部とを有する。 - 特許庁

The pair of electrodes are connected to a power source, and it is determined that a metal ring hooked over the driving pulley and the driven pulley is damaged by a current-carrying state between the electrodes.例文帳に追加

一対の電極を電源に接続し、電極間の通電状態により駆動プーリと従動プーリに渡り掛け回された金属リングが損傷したと判断する。 - 特許庁

Thereby, the negative electrodes 11 is short-circuited to the lithium ion supply source 16, whereby lithium ions are supported to the negative electrodes 11 at optional timing.例文帳に追加

これにより、負極１１とリチウムイオン供給源１６とを短絡させることができるため、任意のタイミングで負極１１にリチウムイオンを担持させることができる。 - 特許庁

The field emission electron source includes: an insulation substrate; a plurality of grid electrodes and a plurality of negative electrodes arranged on the insulation substrate; and a plurality of electron emission units.例文帳に追加

本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。 - 特許庁

When a transistor M1 is driven OFF in the power down mode, transistors M6, M7 are driven ON and the gate electrodes of transistors M2, M3 are clamped at the same potential as that of the source electrodes.例文帳に追加

パワーダウンモード時にトランジスタＭ１がオフ駆動されると、トランジスタＭ６，Ｍ７がオン駆動され、トランジスタＭ２，Ｍ３のゲート電極がソース電極と同電位にクランプされる。 - 特許庁

A controller 50 controls the operation of the electric source 51 and, thereby, electric power supplied to the respective pairs of electrodes and a quantity of current flowing between the electrodes are controlled.例文帳に追加

制御器５０が電源５１の動作を制御することにより、各電極対に供給される電力および電極間に流れる電流値が制御される。 - 特許庁

Electrodes are coupled with the substrate support while an RF power source is coupled with each electrode to apply a bias to the electrodes in order to generate a DC bias to the substrate located on the support surface.例文帳に追加

電極は、基板支持体に結合され、ＲＦ電源は、各電極に結合され、支持面に位置する基板にＤＣバイアスを生成させるため電極にバイアスをかける。 - 特許庁

The source electrodes of the pMOS transistors Q3, Q4 of the internal circuit 1 (latch circuit) are connected to the power supply line VA1, and substrate electrodes are connected to the power supply line VA2.例文帳に追加

内部回路１（ラッチ回路）のｐＭＯＳトランジスタＱ３、Ｑ４のソース電極は電源線ＶＡ１に接続され、基板電極は電源線ＶＡ２に接続される。 - 特許庁

A plurality of gate electrodes 12 are arranged in parallel so that source regions 11S and drain regions 11D are formed on a substrate on both sides of the gate electrodes 12.例文帳に追加

複数のゲート電極１２が平行に配列され、ゲート電極１２の両側の半導体基板にはソース領域１１Ｓ及びドレイン領域１１Ｄが形成されている。 - 特許庁

Gate signal lines 203 and source signal lines 204 are partly overlapped with pixel electrodes through an interlayer insulating film consisting of an org. material formed on the pixel electrodes.例文帳に追加

ゲート信号線２０３およびソース信号線２０４がその上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜を間に介して画素電極と一部重なっている。 - 特許庁

The movable gate type field effect transistor 1 includes a plurality of linear source electrodes 17 and a plurality of drain electrodes 18 which are alternately disposed substantially in parallel.例文帳に追加

複数の直線状のソース電極１７と複数のドレイン電極１８とが略平行であって交互に配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。 - 特許庁

The optically-controlled switch (10) comprises first and second electrodes (18, 20), a channel (26) extending between the electrodes, and a light source (14) disposed to illuminate the channel.例文帳に追加

光的に制御されるスイッチ（１０）は、第１および第２の電極（１８，２０）、電極間に延びるチャネル（２６）、およびチャネルをイルミネートするように配置された光源（１４）を含む。 - 特許庁

Resistance elements (23, 24) are inserted into wiring connecting each of the gate electrodes and source electrodes of a switching elements (18) arranged in parallel to a gate driving circuit.例文帳に追加

並列に配置されるスイッチング素子（１８）のゲート電極およびソース電極各々とゲート駆動回路とを接続する配線に抵抗素子（２３，２４）をそれぞれ介挿する。 - 特許庁

Electrodes 3, 4 are formed to the outer surface of a dielectric barrier discharge lamp, and the high voltage sides of high frequency power source 5, 6 are connected to respective electrodes 3, 4.例文帳に追加

誘電体バリア放電ランプ１の外面には電極３、４が設けられ、電極３、４には高周波電源５、６の高圧側が夫々接続されている。 - 特許庁

A patterned transparent conductive layer and a patterned metal layer are sequentially formed to define data lines, source/drain electrodes, pixel electrodes and etching protective layer.例文帳に追加

パターン化された透明な導電層とパターン化された金属層を順番に形成することにより、データライン、ソース／ドレイン電極、ピクセル電極、エッチング保護層を画定する。 - 特許庁

This plasma processing device 100 includes a power source part 103, a step-up transformer 107, electrodes 101a and 101b, and pregrounded ground electrodes 109a and 109b.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、電源部１０３と、昇圧トランス１０７と、電極１０１ａ，１０１ｂと、予め接地されている接地電極１０９ａ，１０９ｂとを含む。 - 特許庁

A gate electrodes GM are formed on a silicon substrate 1 via a gate insulating film 4, and a source region S and a drain region D are provided between the gate electrodes GM.例文帳に追加

シリコン基板１にゲート絶縁膜４を介してゲート電極ＧＭが形成され、ゲート電極ＧＭの間にソース領域Ｓ、ドレイン領域Ｄが設けられる。 - 特許庁