「source electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Because of the contraction of the source and drain electrodes 42, dimension (gate length L) can be reduced.例文帳に追加

このソース・ドレイン電極４２の収縮によってサイズ（ゲート長Ｌ）を小さくすることができる。 - 特許庁

The gate electrodes are isolated from each other sharing a source and a drain formed in the fin.例文帳に追加

ゲート電極は、相互に離隔されてフィンにそれぞれ形成されたソース及びドレインを共有する。 - 特許庁

The switch transistor (Trsw) having the switching gate electrodes achieves a source side injection system.例文帳に追加

スイッチゲート電極を備えたスイッチトランジスタ部（Ｔｒｓｗ）はソースサイド注入方式を実現する。 - 特許庁

And a power source 23 for applying a high voltage having a pulse width of τ is connected to the electrodes.例文帳に追加

また、この電極には、パルス幅τなる高電圧を印加する電源２３が接続されている。 - 特許庁

A second thin-film transistor 15 is provided with a source/drain electrodes 19 and 20 and a gate electrode 21.例文帳に追加

第２薄膜トランジスタ１５は、ソース／ドレイン電極１９、２０と、ゲート電極２１とを備える。 - 特許庁

Furthermore, source drain electrodes 7a, 7b are formed as if filling up the waney parts 8a, 8b.例文帳に追加

欠け部８ａ、８ｂを充填するようにソース・ドレイン電極７ａ、７ｂが形成されている。 - 特許庁

The power source applies a voltage between the first screw type electrode and second screw type electrodes.例文帳に追加

電源は、第１スクリュー型電極と第２スクリュー型電極との間に電圧を印加する。 - 特許庁

This semiconductor device is an electron source having a plurality of lower electrodes 2 on one surface of a support substrate 1 and equipped with a function layer 4 between the lower electrodes 2 and the surface electrodes 3 facing to them, and emits electrons tunneling the surface electrodes 3 when a voltage is applied between the surface electrodes 3 and the lower electrodes 2.例文帳に追加

半導体装置は、支持基板１の一表面に複数本の下部電極２を有し、下部電極２に対向する表面電極３との間に機能層４を備える電子源であって、表面電極３と下部電極２との間に電圧を印加すると表面電極３をトンネルする電子を放射する。 - 特許庁

In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.例文帳に追加

動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁

Two linear electrodes 2, 3 are arranged in meandering form, and a first power source 4 and a second power source 6 are connected to each of their ends.例文帳に追加

２本の線状の電極２，３を蛇行状に配設し、それぞれの端部に第１の電源４と第２の電源６を接続する。 - 特許庁

The surface light source device 1000 includes the light source main body 100, a sealing member, a getter 300, and first and second electrodes 410, 420.例文帳に追加

面光源装置１０００は、光源本体１００、封合部材、ゲッター３００、及び第１及び第２電極４１０，４２０を含む。 - 特許庁

The multi-point spot welding machine includes: a plurality of upper electrodes; a plurality of lower electrodes 28; a pressurizing device 17 for holding and pressurizing a workpiece with the two electrodes; a welding power source; and a lower energizing route for electrically connecting the pressurizing device 17 and the welding power source.例文帳に追加

複数の上部電極と、複数の下部電極２８と、両電極によって被溶接材料を挟持加圧する加圧装置１７と、溶接電源と、加圧装置１７及び溶接電源を電気的に接続する下部通電経路とを備える。 - 特許庁

The thin film transistor array substrate has gate wiring comprising gate lines 22, gate pads 24 and gate electrodes 26; storage capacitor wiring 28 extending laterally and receiving common voltage; data wiring comprising source electrodes 65 and drain electrodes 66; and pixel electrodes 82 connected with the drain electrodes 66.例文帳に追加

ゲート線２２、ゲートパッド２４及びゲート電極２６を含むゲート配線と；横方向に延びており共通電圧が伝達される保持容量用配線２８と；ソース電極６５及びドレーン電極６６を含むデータ配線と；ドレーン電極６６と連結された画素電極８２と；を有している。 - 特許庁

To adjacent two source lines 7a, 7a', the reflection pixel electrodes 21 are formed so as to have an overlap part 22 with one source line 7a' and to have a gap part 23 to the other source line 7a, and the source lines having overlaps of the upper and lower halves of the reflection pixel electrodes 21 are formed reversely in right and left.例文帳に追加

反射画素電極は21、隣接する２本のソース線7a,7a'に対して、一方のソース線7a'とは重なり部22をもち、他方のソース線7aとは間隙部23を有するように形成し、反射画素電極21の上半分と下半分とで重なりをもつソース線が左右逆である構成とする。 - 特許庁

A stripping layer 3 is formed on a first support substrate 1, source/drain electrodes 5 are subjected to pattern formation on the surface of the stripping layer 3, and a gate insulating film 7 is formed while covering the source/drain electrodes 5.例文帳に追加

第１支持基板１上に剥離層３を形成し、次いで剥離層３の表面上にソース／ドレイン電極５をパターン形成した後、これを覆う状態でゲート絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

To improve the current driving performance of a thin-film transistor by improving contact performance between source-drain electrodes and an oxide semiconductor thin-film layer, and to suppress generation of current rate limiting by suppressing resistance in a film thickness direction of the oxide semiconductor thin-film layer from the source-drain electrodes to a channel in a top gate type structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。 - 特許庁

A weak constant current source is connected across the electrodes of a strip for electrochemical diagnosis to monitor the potential difference between the electrodes.例文帳に追加

電気化学的測定法は、適用された試料が電気化学的セルの電極間の隙間を架橋する時刻を著しい精度で決定するための方法を含む。 - 特許庁

A spacer layer 28 is on at least part of the surface of the plurality of active region between the gate and drain electrodes and between the gate and source electrodes.例文帳に追加

ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層２８がある。 - 特許庁

To prolong the service life of a substrate treating device in which electrodes are arranged in a buffer chamber as a plasma generating source by preventing the oxidation of the electrodes.例文帳に追加

バッファ室内にプラズマ発生源として電極を配置する基板処理装置において、その電極の酸化を防止し、長寿命にすることにある。 - 特許庁

IC chips 11, 31, and 32 wherein apexes of source electrodes and those of drain electrodes face each other are sequentially laminated on a mounting substrate 30.例文帳に追加

ソース電極の頂点とドレイン電極の頂点とが互いに対向して設けられたＩＣチップ１１、３１、３２を実装基板３０上に順次積層する。 - 特許庁

The electrodes 18 and 19 are constituted so that a high frequency may be impressed upon the electrodes 18 and 19 from a high-frequency power source V through the ceramic pipe 131.例文帳に追加

第１、第２の電極１８，１９は、高周波電源Ｖにより上記セラミック管１３１越しに高周波が印加されるようになっている。 - 特許庁

A semiconductor board 111 is provided with a plurality of source electrodes 112, gate fingers 113, and drain electrodes 114, on one main surface thereof that are parallel to each other.例文帳に追加

半導体基板１１１の一主面上に、それぞれ複数個のソース電極１１２、ゲートフィンガー１１３、ドレイン電極１１４が、平行に配列されている。 - 特許庁

A gas sensor element 1 is constituted of a detection part 100 having electrodes 11, 12 for detection, the electrodes 11, 12 for detection, a heater 200 and a heater power source 20.例文帳に追加

ガスセンサ素子１を、検出用電極１１、１２を有する検出部１００と、検出用電極１１、１２、ヒータ部２０とヒータ電源２０で構成する。 - 特許庁

Source contacts each located between the buried gate electrodes 142 are formed shorter than the buried gate electrodes 142 in the vertical direction in the figure.例文帳に追加

また埋込ゲート電極１４２の相互間に位置するソースコンタクトは、図中上下方向において、埋込ゲート電極１４２よりも短く形成されている。 - 特許庁

Two disc-like electrodes are arranged in parallel, and a power source is connected to these electrodes to apply sine-wave fluctuating voltages of the same electric potential thereto.例文帳に追加

２枚の円盤状電極を平行に設置し、これらの円盤状電極に電源が接続され、同電位の正弦波変動電圧が加えられる。 - 特許庁

In the switch MMIC, a gate wiring electrode is formed as a ladder-like pattern so that the gate wiring electrode is disposed between all source electrodes and drain electrodes of the switch MMIC.例文帳に追加

ゲート配線電極を梯子状のパターンとし、スイッチＭＭＩＣの全てのソース電極−ドレイン電極間に、ゲート配線電極を配置する。 - 特許庁

A heater body 13 is formed by alternately arranging cylindrical bodies 11 and electrodes 12 and power from a power source 20 is supplied to the electrodes 12.例文帳に追加

加熱器本体１３は筒体１１と電極１２とが交互に配置されて形成されており、電極１２には電源２０からの電力が供給される。 - 特許庁

Emitter electrodes 6 are formed on the impurity diffusing layers 3A and 3B, and collector electrodes 4 are formed in the openings of the solid impurity diffusing source 2B.例文帳に追加

不純物拡散層３Ａ，３Ｂ上にエミッタ電極６を形成し、不純物固体拡散源２Ｂの開口部にコレクタ電極４を形成する。 - 特許庁

After through holes 9a and 9b are formed in this smoothing layer 8, a metallic thin film is formed on this layer 8, and a photo process is used to form gate electrodes, source electrodes, and pixel electrodes 2a.例文帳に追加

次に、この平滑化層８にスルーホール９ａ、９ｂを形成した後、その上に金属薄膜を形成し、フォトプロセスを用いてゲート電極とソース電極及び画素電極２ａを形成する。 - 特許庁

No cell 4 is formed beneath source pad electrodes 8 forming a part of source electrodes 5 and hence the gate-source short circuit can be prevented, if a stress is applied during bonding, thereby providing a high reliability insulated gate type semiconductor device.例文帳に追加

本発明はソース電極５の一部で形成するソースパッド電極８の下にセル４を形成しないので、ボンディング時のストレスが加わってもゲート・ソース間短絡の発生を防げ、信頼性の高い絶縁ゲート型半導体装置を提供できる。 - 特許庁

The source signal voltage from a source driver is outputted to individual pixel electrodes by being switched by a TFT with the scanning signal from a gate driver.例文帳に追加

ゲートドライバからの走査信号によりＴＦＴにてスイッチングを行ってソースドライバからのソース信号電圧を各画素電極に出力する。 - 特許庁

Transparent electrodes for display 27a-27p are installed on a liquid crystal panel 2 arranged between an irradiation face illuminated by a light source and the light source.例文帳に追加

光源によって照明される被照面と光源との間に配置される液晶パネル２に表示用透明電極２７ａ〜２７ｐを設けた。 - 特許庁

Therein, electrodes 3, 4 disposed on the periphery of the inner side surfaces of the glass plates 1, 2 and electric wires 9, 10 supplying the outside electric source to the electrodes are disposed and one part of the electrodes 3, 4 are cut out near the part where the electric wire of the electrodes is connected.例文帳に追加

ガラス板１，２の内側面の周辺に配置された電極３，４と、電極に外部電源を供給する電線９，１０とを備え、電極の電線が接続される部位付近で、電極３，４の一部が切り欠かれている。 - 特許庁

The withstand voltage experiment apparatus for education which is equipped with a couple of mutually opposite electrodes and a power source for applying a voltage to the electrodes and is for conducting a withstand voltage experiment between the electrodes through discharging is equipped with an inter-electrode distance control means of varying the distance between the electrodes applied with the constant voltage from the power source.例文帳に追加

相対する一対の電極と、電極に電圧を印加するための電源とを備え、放電を通じて電極間の耐電圧実験を行うための教育用耐電圧実験装置であって、電源から一定の電圧が印加される電極間の距離を変化させるための電極間距離制御手段を備えてなる。 - 特許庁

To eliminate the occurrence of an aligning defect caused by non- uniform rubbing pressure by reducing the step differences of pixel electrodes, that are made the same as the film thickness of source/drain electrodes in a conventional lateral electric field system liquid crystal display device active matrix substrate on which the pixel electrodes are produced in the same process of manufacturing the source/drain electrodes.例文帳に追加

従来の横電界方式液晶表示装置用アクティブマトリックス基板では、画素電極をソース・ドレイン電極と同一工程で作製しているので、画素電極の段差はソース・ドレイン電極の膜厚と同じ０．２〜０．４μｍと大きくなり、ラビング圧不均一による配向不良が発生しやすくなる。 - 特許庁

The data lines 114 are each provided with TFTs 52 and 54, where source electrodes of the TFTs 52 are connected in common by the groups, and drain electrodes are connected to the data lines 114, and source electrodes of the TFTs 54 are connected to the data lines 14 and drain electrodes are connected in common by the groups.例文帳に追加

ＴＦＴ５２、５４は、データ線１１４の各々に設けられ、このうち、ＴＦＴ５２のソース電極がグループ毎に共通接続され、ドレイン電極がデータ線１１４に接続され、また、ＴＦＴ５４のソース電極はデータ線１１４に接続され、ドレイン電極がグループ毎に共通接続されている。 - 特許庁

Electrodes 17a, 18a, and 19a contain a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode respectively.例文帳に追加

電極１７ａ、１８ａ、１９ａは、それぞれ、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含む。 - 特許庁

The treatment object formed of a conductor is connected to one of the discharge electrodes through a power source 2.例文帳に追加

また、導電体からなる被加工物と放電電極の片方は、電源２を介して接続される。 - 特許庁

The main electrodes are electrically connected to the second-conductive-type base layer and the first-conductive-type source layers.例文帳に追加

主電極は、第２導電形ベース層及び第１導電形ソース層と電気的に接続された。 - 特許庁

The source electrode 5 is connected to external electrodes 2-2-1, 2-2-2 by bonding wires 3a, 3c.例文帳に追加

ソース電極５は、ボンディングワイヤ３ａ，３ｃにより、外部電極２−２−１，２−２−２に接続される。 - 特許庁

This discharge light source is composed of an insulation pipe 30, and electrodes 31a and 31b as shown in Fig.1.例文帳に追加

放電光源は図１のように絶縁パイプ３０と電極３１ａ、３１ｂで構成されている。 - 特許庁

The first and the second electrodes are formed at both end parts which faces mutually at outer faces of the light source main body.例文帳に追加

第１及び第２電極は、光源本体の外面の互いに対向する両端部に形成される。 - 特許庁

This radiation source has rotating electrodes 14, 16 to be immersed in respective tanks 18, 20 for liquid metal like tin.例文帳に追加

錫などの液体金属の個々の浴１８，２０に浸される回転電極１４，１６が設けられる。 - 特許庁

To generate selection, non-selection and inversion voltages to be supplied to scanning electrodes by using one power source.例文帳に追加

走査電極に供給する選択・非選択・反転電圧を１つの電源を用いて発生させる。 - 特許庁

Then, a gate electrode 9 is subjected to pattern formation on the gate insulating film 7 between the source/drain electrodes 5.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極５間におけるゲート絶縁膜７上にゲート電極９をパターン形成する。 - 特許庁