「source electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The light source device 1 has a plurality of patterns 6, 6a and electrodes 66, 66a that are conducted from a plurality of the patterns 6, 6a.例文帳に追加

光源装置１は、複数のパターン６，６ａと、この複数のパターン６，６ａから導通する電極６６，６６ａとを有する。 - 特許庁

NANOSCALE FIELD-EFFECT DEVICE WITH SPACE BETWEEN SOURCE AND DRAIN ELECTRODES PROCESSED WITH SELF-ORGANIZED MULTILAYER FILM, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極間の空隙を自己組織化多層膜で処理したナノスケール電界効果素子及びその製造方法 - 特許庁

The airtight vessel 1, the pair of electrodes 2, 2, the electron source 10 or the like constitute a discharge lamp La for the lighting fixture.例文帳に追加

気密容器１、一対の放電用電極２，２、電子源１０などにより、照明器具用の放電ランプＬａを構成する。 - 特許庁

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology.例文帳に追加

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。 - 特許庁

The source-drain electrodes 6 and 7 are formed of ITO as an transparent electrode to take in more quantity of incident light.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極６、７は、より多くの入射光量を得るため、透明電極であるＩＴＯにより形成されている。 - 特許庁

The Schottky electrodes 30 are Schottky-connected to an AlGaN layer 20 and are electrically connected to the source electrode 24.例文帳に追加

ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a field effect transistor which has a low Schottky barrier between source/drain electrodes and a semiconductor layer.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と半導体層とのショットキーバリアが低い電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A switching part 14 switches the measurement signal from the power source 11 so that it is inputted into each of corner electrodes A-D.例文帳に追加

切替部１４は、電源１１からの測定信号を、角電極Ａ〜Ｄのそれぞれに入力するように切り替える。 - 特許庁

When voltage is impressed between the electrodes 2 from an alternating current source 4, creeping discharges 5 are generated on the surface the discharge body 3.例文帳に追加

電極２間に交流電源４から電圧が印加されると、放電体３表面に沿面放電５が生成される。 - 特許庁

A current is supplied between electrodes 1a, 1b from a DC power source 6 and sodium chloride (salt) water in an electrolytic cell 1 is electrolyzed.例文帳に追加

ＤＣ電源６は電極１ａ，１ｂに対して電流を供給し、電解槽１中の塩水が電気分解される。 - 特許庁

To eliminate the difference in the thickness of a flattened film between an array portion and a pad portion by preventing an overetching phenomenon of source/drain electrodes.例文帳に追加

ソース/ドレーン電極の過エッチング現象を防止し、アレイ部とパッド部との間の平坦化膜の厚さの差を除去する。 - 特許庁

At this time, the source layers 14 and carrier extraction layers 15 are disposed by turns in a direction wherein the trench gate electrodes 19 extend.例文帳に追加

このとき、ソース層１４及びキャリア抜き層１５は、トレンチゲート電極１９が延びる方向に沿って交互に配置する。 - 特許庁

The silicon ultrafine particles are produced from a substance containing silicon as the source material and by the electrode reduction method using reactive electrodes.例文帳に追加

シリコンを含む物質を原料とし、反応性電極を用いた電極還元法で作製されたシリコン超微粒子である。 - 特許庁

An AC voltage is fed from an AC power source 21 to power feeding electrodes 19, 20 via contacts 22, 23 in the connector.例文帳に追加

給電用の電極１９，２０は、交流電源２１からコネクタ内の接点２２，２３を介して交流電圧が給電される。 - 特許庁

Source electrodes S of the semiconductor chips 2a-2c are bonded to a back face of the terminal plate 40L by soldering and brazing.例文帳に追加

半導体チップ２ａ〜２ｃの各ソース電極Ｓは、半田付け又はロウ付けによって端子板４０Ｌの裏面に接合される。 - 特許庁

The electron supply layer 15 is covered with an insulating film 14, and the source, gate, and drain electrodes 11, 12, 13 are provided.例文帳に追加

電子供給層１５上は絶縁膜１４で覆い、ソース電極１１，ゲート電極１２およびドレイン電極１３を設ける。 - 特許庁

This electron source concerned in the present invention has one stage or more of the extraction electrodes along an extraction direction Z of an electron beam 14.例文帳に追加

この発明に係る電子源は、電子線１４の引出し方向Ｚに１段以上の引出し電極を有している。 - 特許庁

A septic tank 1 is provided with a dephosphorization treating apparatus P having an electrolytic cell 30, iron electrodes 31, 32 and a power source 33.例文帳に追加

浄化槽１は、電解槽３０と鉄電極３１・３２と電源３３とを有する脱リン処理装置Ｐを備えている。 - 特許庁

By the lift-off method using the resist pattern RP4a, the source and drain electrodes aligned with the gate electrode GE2 are formed.例文帳に追加

このレジストパターンＲＰ４ａを用いたリフトオフ法により、ゲート電極ＧＥ２に整合したソース・ドレイン電極を形成する。 - 特許庁

Source and drain electrodes 17 and 18 mutually spaced from each other are formed on the second semiconductor layer 15.例文帳に追加

第２の半導体層１５の上には、互いに間隔をおいてソース電極１７及びドレイン電極１８が形成されている。 - 特許庁

A width determining means 223 determines a layout width based on the widths of the source electrode and drain electrode of each transistor, the width of a region between the source electrode and the drain electrode, the width of a region between source electrodes or drain electrodes which are not shared in adjoining transistors, the number of the transistors, and the minimum route number.例文帳に追加

幅決定手段２２３は、各トランジスタのソース電極及びドレイン電極の幅、ソース電極とドレイン電極との間の領域の幅、隣接するトランジスタで共有化されないソース電極又はドレイン電極間の領域の幅、トランジスタの個数及び前記最小の経路の数から、レイアウト幅を決定する。 - 特許庁

The reflectivity of the source wiring is made as low as possible so that the source wiring 5 does not function as a reflecting electrode, or, for example, a layer 51 of a substance having a reflectivity lower than that of pixel electrodes 8 is formed on the source wiring 5 between the pixel electrodes adjacent to each other in order not to cause reflection in the direction of the display screen.例文帳に追加

ソース配線５が反射電極として作用しないように、ソース配線の反射率を低く、ないし画面表示方向へ反射が起こらないように、例えば隣合う画素電極間のソース配線５上に画素電極８よりも低反射率の物質からなる層５１を形成した。 - 特許庁

An organic thin film transistor generally comprises, on a substrate 20, a gate electrode 30, a source electrode 50, a drain electrode 60, an electrically insulating gate dielectric layer 40 which separates the gate electrode from the source and drain electrodes, and a semiconducting layer 70 which is in contact with the gate dielectric layer and bridges the source and drain electrodes.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタは一般に、基板２０上に、ゲート電極３０、ソース電極５０およびドレイン電極６０、ゲート電極をソースおよびドレイン電極と分離する電気絶縁ゲート誘電体層４０、およびゲート誘電体層と接触し、ソースおよびドレイン電極を架橋する半導体層７０を含む。 - 特許庁

The ozone generating device is provided with a pair of electrodes 22 and 42 having electrode surfaces facing each other, a high voltage AC power source 17 for applying high voltage between the electrodes, a dielectric 43 arranged between the opposed electrodes and a gas flow passage for passing the raw material gas G between the opposed electrodes.例文帳に追加

オゾン発生装置は、互いに対向する電極面を有する対の電極２２，４２、対の電極の間に高電圧を印加する高圧交流電源１７、対向する電極面の間に配置される誘電体４３、及び対向する電極面の間に原料ガスＧを流すためのガス流路を備える。 - 特許庁

In this traveling wave tube amplifier, a power source is supplied from a high voltage power source 1 to the respective electrodes of a traveling wave tube 2 so that a high frequency signal Pi can be amplified to Po by the traveling wave tube 2.例文帳に追加

この進行波管増幅器は、高圧電源１から進行波管２の各電極に電源を供給して進行波管２に高周波数信号ＰｉをＰｏに増幅させる。 - 特許庁

As a consequence, the capacitors C, in each of which power source potential and the ground potential are respectively given to the both electrodes, are provided between the pads 5 to which the power source potential is inputted and the substrate 10.例文帳に追加

このため、電源電位を入力するためのパッド５と基板１０との間には、電源電位と接地電位とが両極に与えられるキャパシタＣが備わることになる。 - 特許庁

When a power source plug 17 of an illumination performance plate 15 is inserted into the power source connector, the power is supplied to the illumination performance plate 15 through the electrodes 17a to 17d to be supplied with the power.例文帳に追加

電飾演出プレート１５の電源プラグ１７を電源コネクタに挿入すると、被給電電極１７ａ〜１７ｄを通じて電飾演出プレート１５に給電される。 - 特許庁

A spin-rectified current can be made to flow between a source and a drain by connecting the molecular spin element to two electrodes and applying a prescribed voltage between the source and drain.例文帳に追加

この分子性スピン素子を２つの電極と接合させ、ソースとドレインの間に所定電圧を印加することにより、ソース・ドレイン間にスピン整流された電流を流すことができる。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit 20 is composed of a voltage level varying means which shifts the voltage level of the source signal voltage outputted from the source driver uniformly for the individual pixel electrodes.例文帳に追加

基準電圧作成回路２０は、ソースドライバから出力されるソース信号電圧の電圧レベルを各画素電極に対して一律にシフトさせる電圧レベル可変手段からなっている。 - 特許庁

More specifically, the bipolar electrostatic chuck 100 includes a chuck main body 112 in which a couple of electrodes 108 and 110 are embedded, a primary power source 114, and an offset power source 130.例文帳に追加

より詳細には、バイポーラ静電チャック１００は、一対の電極１０８、１１０が埋設されているチャック本体１１２と、一次電源１１４と、オフセット電源１３０とを含む。 - 特許庁

A source electrodes 30s, a gate electrode 30g, a source lead 40s, and a gate lead 40g of a semiconductor chip 10 to be mounted to the semiconductor device 100 are connected by means of a plate-like source electrode 50s and a plate-like gate electrode 50g, respectively.例文帳に追加

半導体装置１００に搭載する半導体チップ１０のソース電極３０ｓ、ゲート電極３０ｇと、ソースリード４０ｓ、ゲートリード４０ｇを、板状ソース電極５０ｓ、板状ゲート電極５０ｇで接続する。 - 特許庁

Gate insulating films are formed between the gate line and the second gate electrode and between the first and second semiconductor layers, and a first and second source electrodes, a data line, a first and second drain electrodes, and a power source voltage electrode are formed on the gate insulating films.例文帳に追加

次に、ゲート線及び第２ゲート電極と第１及び第２半導体層の間にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上部に第１及び第２ソース電極、データ線、第１及び第２ドレイン電極、電源電圧用電極を形成する。 - 特許庁

An organic EL light source 1 projects connecting electrodes 7 and 8, and a vessel 2 is used for housing the organic EL light source 1 therein so as to seal it from the outside air, has translucency and has penetration parts 12 penetrated by the connecting electrodes 7 and 8.例文帳に追加

有機ＥＬ光源１は接続用電極７、８を突出し、容器２は有機ＥＬ光源１を外気に対して密閉するように収納するものであって透光性を有するとともに接続用電極７、８が貫通する貫通部１２を有する。 - 特許庁

The light-emitting apparatus comprises a pair of electrodes comprising a metal, a light source connected to the pair of electrodes, and at least a pair of sidewall portions 22a and 22b each comprising the metal and standing around the light irradiation direction of the light source.例文帳に追加

発光装置は、金属で形成された一対の電極部と、一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属で形成され、光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部２２ａ、２２ｂを備えている。 - 特許庁

U-shaped pillars 30 penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG, each having one end connected to a source line SL and the other end connected to a bit line BL are arranged in the laminate.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧを貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁

And, the hydrogen-production unit is composed of a hydrogen-generation portion 12 having electrodes 12a, 12b arranged in opposition and a pulse power source 13 applying pulse voltage between the electrodes 12a, 12b.例文帳に追加

そして、水素生成手段は、対向配置する電極１２ａ、１２ｂを有する水素発生部１５と、電極１２ａ、１２ｂ間にパルス電圧を印加するパルスパワー電源１３とにより構成する。 - 特許庁

When an electric field is applied from a power source 1 between the electrodes 2, 3, the treating gas is converted to plasma in the discharge space 4 to treat the surface of a substrate 10 to be treated during transport between the electrodes 2, 3.例文帳に追加

電極２，３の間に電源１から電界がかけられると、処理ガスは放電空間４内でプラズマ化し、電極２，３間を搬送されてくる被処理基材１０の表面を処理する。 - 特許庁

A vapor deposition source 3 comprises a plurality of vapor deposition materials 31_1 to 31_4, and a plurality of trigger electrodes 34_1 to 34_4, voltage can individually be applied to the trigger electrodes 34_1 to 34_4.例文帳に追加

本発明の蒸着源３は複数の蒸着材料３１_1〜３１_4と複数のトリガ電極３４_1〜３４_4とを有しており、トリガ電極３４_1〜３４_4には個別に電圧を印加可能になっている。 - 特許庁

The sensor has a constitution wherein source electrodes of transistors Tr11, Tr12, Tr20 are connected to a cathode of a photoelectric conversion element PD, and drain electrodes of the transistors Tr11, Tr12 includes charge accumulation parts FD1, FD2.例文帳に追加

センサは、光電変換素子ＰＤのカソードに、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ２０のソース電極が接続された構成にされ、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２のドレイン電極に、電荷蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２を備える。 - 特許庁

Alternating current corona discharge is generated between the projections 40 of the charged part electrodes 22 and the end parts 39 on the upstream side in the flow direction B of the dust collection part electrodes 23 by a power source 24 for corona discharge.例文帳に追加

コロナ放電用電源２４によって、帯電部電極２２の突起４０と集塵部電極２３の前記流れ方向Ｂ上流側の端部３９との間で、交流コロナ放電を発生させる。 - 特許庁

When a voltage is impressed between the power supply electrodes 1 and the rear surface electrode 5 from an AC power source 4, an electric field becomes strong at the vicinity of the power supply electrodes 1 and stable discharge is carried out.例文帳に追加

給電電極１と背面電極５との間に交流電源４から電圧が印加されると、給電電極１近傍で電界が強まり、安定した放電を行なうことができる。 - 特許庁

A two-terminal element 100 obtained by strapping a gate electrode 104 and a source electrode 108 for a thin film transistor is provided for each the pixel electrodes 12 so as to emit the excessive electric charges of the pixel electrodes 12.例文帳に追加

画素電極１２…毎に、薄膜トランジスタのゲート電極１０４とソース電極１０８とが短絡されてなる二端子素子１００が画素電極１２の過剰電荷を放出すべく設けられる。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the electron source substrate in which an electron emission element composed of a pair of element electrodes 2, 3 and a conductive thin film 4 electrically connected to these element electrodes 2, 3 on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、一対の素子電極２，３と、これら素子電極２，３に電気的に接続した導電性薄膜４とからなる電子放出素子が形成された電子源基板の製造方法。 - 特許庁

The resistance of the resistive elements connected between the drain electrodes and the source electrodes of the FETs to which a signal voltage is applied among the FETs included in the base switch units in an off-state is selected small.例文帳に追加

オフ状態にある基本スイッチ部に含まれるＦＥＴのうち、信号電圧が印加される側のＦＥＴのドレイン電極およびソース電極間に接続された抵抗素子の抵抗値を小さくする。 - 特許庁

Also source and drain regions (126a and 126b) are formed along the external boundaries of the floating gate electrodes (124a and 124b) so as to implant electric charges into two floating gate electrodes independently.例文帳に追加

また、フローティングゲート電極（１２２）の外側境界に合わせてソース、ドレイン領域（１２６ａ，１２６ｂ）を形成し、２つのフローティングゲート電極にそれぞれ別個に電荷を注入できるように構成した。 - 特許庁