「to GE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

〔Kurabiraki (jo) to Kuniyuzuri (ge)〕 例文帳に追加

〔蔵開・上〜国譲・下〕 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On January 2nd, promoted to Ju Shii-ge. 例文帳に追加

1月2日、従四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

April 20, promoted to Sho Shii-ge. 例文帳に追加

4月20日、正四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.例文帳に追加

Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加

その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁

GECOS means General Electric Comprehensive Operating System, which has been renamed to GCOS when GE's large systems division was sold to Honeywell. 例文帳に追加

GECOS は General ElectricComprehensive Operating System を意味しており、GE 社の大規模システム部門が Honeywell 社に売却された際に GCOS へと変更された。 - JM

This Article "Ge-shiki" was put here to specify documentary forms of official documents called "ge" that were submitted by lower-ranked governmental officials to their superiors. 例文帳に追加

解式（解（下級官司より所属の上級官司へ）の書式） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

array( 'name' = package name 'type' = 'pkg' - anything else is an error 'rel' = 'has', 'ge', 'le', 'lt', 'le', 'not', 'ne' ['version' = specific version to retrieve,] ) 例文帳に追加

array('name' = パッケージ名,'type' = 'pkg' - これ以外はエラー,'rel' = 'has', 'ge', 'le', 'lt', 'le', 'not', 'ne'['version' = 取得したい特定のバージョン,]) - PEAR

The pulsed laser beam 16 is delivered to the Ge material after going through the second Si lump from the top of the drawing.例文帳に追加

パルスレーザ光16は、図の上方から第2のSi塊を透過してGe材に照射されている。 - 特許庁

To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加

膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

He was appointed to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) in 862. 例文帳に追加

862年に外従五位下に叙された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

"San Amida butsu ge" (Hymns in Praise of Amida Buddha) is a tribute to Amida tathagata in poetic verse. 例文帳に追加

『讃阿弥陀仏偈』…阿弥陀如来への讃美の偈文。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Consisting of two volumes notes, "Jo (vol. 1)," and "Ge (vol. 2)," it is also referred to as "Nikan-sho" (literally, two volumes of notes). 例文帳に追加

上下2巻からなるため『二巻鈔』ともいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

March 16, 1344 - Advanced to Sho-Goi-ge (Senior 5th Class, Minor). 例文帳に追加

1344年（興国5年/康永3年）3月16日、正五位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

June 3, 1395, promoted to Ju Shii-ge. 例文帳に追加

1395年（応永2）6月3日、従四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In 862, he was created Ge-jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade, given to persons outside Kyoto). 例文帳に追加

862年に外従五位下に叙された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2.例文帳に追加

ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

By this manner, an oxygen combined to Ge in the nonlinear optical silica material is substituted by H or X, and in the portion Ge.providing non-linearity to this silicon material, one Ge has two Ge-O bonds and one Ge-H (or Ge-X) bond.例文帳に追加

これにより非線形光学シリカ材料中のＧｅと結合する酸素がＨ又はＸで置換され、このシリカ材料に非線形性を発現させる部分Ｇｅ・では、１つのＧｅが、２本のＧｅ−Ｏ結合と１本のＧｅ−Ｈ（又はＧｅ−Ｘ）結合を備える。 - 特許庁

In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

The solder alloy has a composition comprising, by mass, 3.0 to 10.0% Sb, 0.01 to 1.0% Ni and 0.01 to 1.0% Ge, and the balance Sn with inevitable impurities.例文帳に追加

Sbを3.0〜10.0質量％、Niを0.01〜1.0質量％、Geを0.01〜1.0質量％含有し、残部はSn及び不可避的不純物からなるものとする。 - 特許庁

On July 12, 1502, his court rank advanced to Jyu Shii-ge, and he was appointed to the post of Sangi. 例文帳に追加

1502年（文亀2年）7月12日、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Prior to promotion, Nagamune had been created Ge-shohachiinojo (Senior Eighth Rank, Upper Grade, given to persons outside Kyoto). 例文帳に追加

その時までの永宗の位階は外正八位上であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To enable to obtain a high quality Ge-based epitaxial film in a large area.例文帳に追加

高品質なＧｅ系エピタキシャル膜を大面積で得ること - 特許庁

Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1.例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）と、亜鉛及びゲルマニウム（Ｚｎ＋Ｇｅ）のモル比（Ｔｉ：Ｚｎ＋Ｇｅ）が、１：３〜３：１であることが好ましい。 - 特許庁

Addition deceleration Ge by the wedge effect is operated in an operation part 34 and is added to target deceleration tG to determine a target deceleration correction value Gc.例文帳に追加

演算部34では楔効果による加算減速度Geを演算し、これを目標減速度tGに足し込んで目標減速度補正値tGcを求める。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

The insulating film 32 functions as a protective film to the Ge oxide film 33 to prevent degradation of the formed Ge oxide film 33.例文帳に追加

絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a Ge ion-eluting Ag alloy which elutes Ge ions even in water, and also has satisfactory corrosion resistance and sufficient plastic workability.例文帳に追加

水中においてＧｅイオンを溶出し，耐食性も良く十分な塑性加工性を有する，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供する． - 特許庁

A field plate FP extends over the gate electrode GE and the drift region DR and is electrically connected to the gate electrode GE.例文帳に追加

フィールドプレートＦＰは、ゲート電極ＧＥおよびドリフト領域ＤＲ上を延在し、かつゲート電極ＧＥに電気的に接続されている。 - 特許庁

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

To suppress Ge atom from intruding into a compound semiconductor when a Ge crystal as an intermediate layer is used.例文帳に追加

中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The even pixel row GE_E is disposed to the odd pixel row GE_O in a vertically downward while shifted by O=(1/8)*P=(1/6)*W.例文帳に追加

偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 - 特許庁

To provide a method of film-forming a Ge-Sb-Te film capable of obtaining a highly smooth Ge-Sb-Te film by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.例文帳に追加

Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁

Gokan no ge became widely known after Dogen (founder of the Soto Zen sect) introduced it in his book entitled "How to Use Your Bowls." 例文帳に追加

道元の著作『赴粥飯法』によって広く知られるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On October 18, 1568, he was promoted to Juyon'i-ge and Sangi as an additional post. 例文帳に追加

永禄11年（1568年）10月18日(旧暦)、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

December 3, 1347 - Advanced to Ju-Shii-ge (Junior 4th Class, Minor). 例文帳に追加

1347年（正平(日本)2年/貞和3年）12月3日、従四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On November 24, 1494, he was given the court rank of Sho Goi-ge and was appointed to the post of Samanokami. 例文帳に追加

1494年（明応3年）11月24日、正五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the twenty seventh day of the tenth month of 770, Oi was promoted from Shorokuinojo to Ge-jugoinoge. 例文帳に追加

宝亀元年（770年）10月1日に、正六位上から外従五位下に進んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス