「to GE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁

To provide the deposition method of a semiconductor film by which a high-quality and flat semiconductor film is formed on a Ge-based/SiGe-based substrate.例文帳に追加

Ｇｅ系・ＳｉＧｅ系基板に高品質で平坦な半導体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress variations sof Ge concentration in a SiGe film and film thickness of the SiGe film in FET where the SiGe film is used for a channel region.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜をチャネル領域に用いるＦＥＴにおいて、このＳｉＧｅ膜中のＧｅ濃度及びＳｉＧｅ膜の膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide a solar energy cell where a Ge_xSi_1-x buffer layer is formed on a silicon wafer.例文帳に追加

ＧｅｘＳｉ１−ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。 - 特許庁

Every groups GA to GE, the unit cells are arranged so that the cross-sections defined as the estimating object includes more than three unit cells.例文帳に追加

上記グループＧＡ〜ＧＥ毎に、評価対象となる断面が３個以上のユニットセルを含むようにユニットセルを配列させる。 - 特許庁

A substrate 1 formed of p-type Ge is cleaned with pure water and 0.1% HF, and then is rinsed with ultrapure water (refer to a process (a)).例文帳に追加

ｐ型Ｇｅからなる基板１は、純水および０．１％ＨＦによって洗浄され、その後、超純水によってリンスされる（工程（ａ）参照）。 - 特許庁

In the first SiGe layer forming process, a concentration of Ge in the first SiGe layer 14 is set to not larger than 5%.例文帳に追加

第１のＳｉＧｅ層形成工程では、第１のＳｉＧｅ層１４中のＧｅ濃度を５％以下にする。 - 特許庁

However, GE (U.S.), Siemens (Germany) and Doosan (Republic of Korea) have increased their presence in the water business market, taking the place global water-related companies are trying to fill by entering the water production market aggressively.例文帳に追加

ただし、グローバル水企業に代わって、近年水ビジネス市場で急速に存在感を増している。 - 経済産業省

In this alloy brazing filler metal, an alloy brazing filler metal essentially consisting of Sn and containing Ag of 0.05 to 3.5% by weight concentration is used as a base, Ge is contained by 0.1 to 5.0%, and also, Ge precipitated grains in which the maximum grain size lies in the range of 5 to 80 μm are present.例文帳に追加

Ｓｎを主体とし、Ａｇを重量濃度で０．０５〜３．５％を含有した合金ろう材をベースとし、Ｇｅを０．１％〜５．０％含有し、かつ最大粒径が５〜８０μｍの範囲内のＧｅ析出粒子が存在する合金ろう材。 - 特許庁

A gate electrode GE and a source electrode are formed on a second surface opposite to the first surface of the semiconductor chip 3, and metal plate terminals 6G, 6S are joined to the gate electrode GE and the source electrode SE via connection materials 5b, 5c.例文帳に追加

この半導体チップ３の第１面の反対面である第２面にはゲート電極ＧＥおよびソース電極が形成されており、そのゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥには接続材５ｂ，５ｃを介して金属板端子６Ｇ，６Ｓが接合されている。 - 特許庁

As compared to such a case as to form the Ge layer or the Si layer of a single layer as the decoration layer on the glass substrate 1, when the decoration layer is the laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3, electromagnetic waves in the visible region are reflected with higher reflectance.例文帳に追加

ガラス基板１上に、加飾層としてＧｅ層またはＳｉ層を単層で形成した場合と比較すると、加飾層がＳｉ層２とＧｅ層３の積層体である場合は、可視域の電磁波をより高い反射率で反射させる。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The fuel injection device 5 injects fuel near the boundary (GB) between the fresh charge (GN) and the EGR gas (GE) so as to accelerate a swirl T1 of a first direction in the fresh charge (GN), as well as to accelerate a swirl T2 of an opposite direction in the EGR gas (GE).例文帳に追加

燃料噴射装置（５）は、新気（ＧＮ）における第一の方向の渦流（Ｔ１）を促進させるとともに、ＥＧＲガス（ＧＥ）における反対方向の渦流（Ｔ２）を促進させるように、新気（ＧＮ）とＥＧＲガス（ＧＥ）との境界（ＧＢ）付近に燃料を噴射する。 - 特許庁

The antireflection film for an IR region having the antireflection characteristics in two zones of 3 to 5 μm and 8 to 12 μm wavelengths in the IR region is obtained by forming a multilayered film from materials selected from Si, Ge, ZnS, ZnSe, metal oxides and metal fluorides on a Ge or ZnS substrate.例文帳に追加

Ｇｅ、ＺｎＳ基板上に、Ｓｉ、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、金属酸化物、金属フッ化物から選ばれる材料で多層膜を構成することにより、赤外域の波長３〜５μｍと８〜１２μｍの２つの帯域に対して反射防止特性を有する赤外域用反射防止膜が提供できる。 - 特許庁

Here, when selecting 'YES', the finally selected facility name EN, the selected genre GE, a menu MN3 for asking whether or not to relate the facility EN to these genres GE, and a menu MN4 for selecting the possibility are displayed on a display image screen DSP2.例文帳に追加

ここで、「はい」が選択された場合は、ディスプレイ画面ＤＳＰ２に最終的に選択された施設名ＥＮと選択してきたジャンルＧＥ、該施設ＥＮをそれらのジャンルＧＥに関連付けるか否かを問うメニューＭＮ３、その可否を選択するためのメニューＭＮ４を表示する。 - 特許庁

A burner 6 for burning unburned composition such as aldehyde and HC, CO which are bad smelling composition contained in exhaust gas Ge is provided in a line 7 supplying the exhaust gas Ge discharged from the gas engine 1 to a gas turbine 4 of a supercharger 3.例文帳に追加

ガスエンジン１から排出された排ガスＧｅを過給機３のガスタービン４へ送給する管路７に、排ガスＧｅ中に含有されている臭気成分であるアルデヒド類及びＨＣ、ＣＯ等の未燃焼成分を燃焼させるための燃焼器６を設ける。 - 特許庁

The Ge ion-eluting Ag alloy having satisfactory corrosion resistance and plastic workability comprises, by mass, ≤97% Ag and 2 to 6% Ge, and the balance one or more selected from Au, Pd, Cu and In.例文帳に追加

９７ｍａｓｓ％以下のＡｇと，２〜６ｍａｓｓ％のＧｅを含み，残部がＡｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｉｎの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とするＧｅイオン溶出Ａｇ合金．これにより，耐食性および塑性加工性の良い，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供することが出来る． - 特許庁

The method grows a GeSi1-X/Ge epitaxial layer on a Si substrate by the ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) method to finally form a ZnSe thin film on a Ge buffer layer.例文帳に追加

本発明の方法においては、超高真空化学気相成長法（ＵＨＶＣＶＤ）を用いることによりＳｉ基板上にＧｅＳｉ１−Ｘ／Ｇｅエピタキシャル層を成長させ、最終的にＧｅバッファ層上にＺｎＳｅ薄膜が形成される。 - 特許庁

In the vicinity of the eutectic composition of Ge, by suppressing the content of the impurities to the above range, the sphericity of the alloy ball is improved, and the development of Au primary crystals and dendrite is suppressed, thus the Au-Ge alloy ball composed of a uniform and even fine eutectic structure can be obtained.例文帳に追加

これらＧｅの共晶組成付近において、不純物含有量を上記範囲に抑制することによって、合金球の真球度が向上し、Ａｕ初晶及びデンドライトの発達が抑制され、均一一様で微細な共晶組織からなるＡｕＧｅ合金球が得られる。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.例文帳に追加

Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

The SiO_2-base amorphous material having the sufficient life and the second order light nonlinearity is obtained by adding Zn or Cd to the SiO_2-base amorphous material which contains Ge and is expressed by xGeO_2.(1- x)SiO_2 (0.05≤x≤0.65) and further applying electric field impression and UV ray irradiation thereto simultaneously.例文帳に追加

Geを含むSiO_2系非晶質材料であってxGeO_2・(1-x)SiO_2 (0.05≦x≦0.65)であらわされるものに、Zn、または、Cdを添加し、電場印加と紫外光照射を同時に加えることによって、十分な寿命を持つ、２次光非線形性を有するSiO_2系非晶質材料を得る。 - 特許庁

The fluorescent substance to be excited by the vacuum ultraviolet rays contains Eu as an activator, at least one kind of an alkaline earth metal element selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca, at least one kind of an element selected from the group consisting of Ti, Zr and Hf, and at least one kind of an element selected from Si and Ge.例文帳に追加

Euを付活剤として含有し、Ba、Sr及びCaの群から選択される少なくとも１種類のアルカリ土類金属元素と、Ti、Zr、及びHfの群から選択される少なくとも１種類の元素と、Si及びGeから選択される少なくとも１種類の元素をそれぞれ含有する真空紫外線励起用蛍光体である。 - 特許庁

The bank end/nozzle distance L between the upstream end ge of a rubber bank G and the downstream end 2e of a nozzle 2 is regulated from -15 to +10 mm when the overlap side of the upstream end ge of the rubber bank G with the nozzle 2 is made positive.例文帳に追加

ゴム材の組成に応じて前記相対距離Ｋを変え、ゴムバンクＧの上流端ｇｅと、前記口金２の下流端２ｅとの間のバンク端・口金間距離Ｌを、前記ゴムバンクＧの上流端ｇｅが口金２にオーバラップする側を正として−１５〜＋１０ｍｍの範囲内で規制する。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

To distribute driving torque M_GE as needed to respective driving axles 4 and 5 while reducing the energy loss to a slight amount in a power dividing machine 8 equipped with at least three shafts 11, 12 and 13 for distributing the driving torque M_GE as needed to at least two of the driving axles 4 and 5.例文帳に追加

少なくとも２つの駆動車軸４、５に、駆動トルクＭ＿ＧＥを必要に合わせて分配するための少なくとも３つの軸１１、１２、１３を備えた動力分割機８において、その各駆動車軸４、５への駆動トルクＭ＿ＧＥの必要に合わせた分配が実施でき、その際にほんの僅かなエネルギ損失しか生じないようにする。 - 特許庁

At retry time, prescribed improvement processing is executed in periods GS to GE in such a manner that the periods HS to HE (or a period (y)) of defect signals included in an RF signal are included based on the position information of the data having an error in retrying and that the defect processing signal G is generated only in the periods GS to GE prior to the start of the period.例文帳に追加

本発明では、リトライ時に、誤りのあるデータの位置情報に基づき、ＲＦ信号に含まれる欠陥信号の期間ＨＳ〜ＨＥ（あるいは期間ｙ）を含むように、かつ、その期間が開始される前に欠陥処理信号Ｇが期間ＧＳ〜ＧＥだけ生成され、そのＧＳ〜ＧＥの期間所定の改善処理が実行される。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

This oxide phosphor for an electroluminescence device is obtained by adding an activator of at least one transition metal element to a base material of an oxide of yttrium (Y) or adding, as a luminescence center, at least one of any transition metal elements or rare earth metal elements to a base material of an oxide of Y-Ge-O or Y-Ge-Si-O.例文帳に追加

イットリウム（Ｙ）の酸化物を母体材料とし、付活剤として少なくとも１種以上の遷移金属元素を添加し、又はＹ−Ｇｅ−Ｏ系、Ｙ−Ｇｅ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物を母体材料とし、発光中心材料として少なくとも１種以上の任意の遷移金属元素あるいは希土類金属元素を添加してエレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体とする。 - 特許庁

The semiconductor device including SOI-MISFET comprises an insulating layer 14, a semiconductor layer 13 including Ge formed on the insulating layer 14, a plurality of semiconductor dots 15 formed in the area near the interface with the semiconductor layer 13 in the insulating layer 14 to include higher Ge composition than the semiconductor layer 13, and a MIS transistor formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されたＧｅを含む半導体層１３と、絶縁層１４中の半導体層１３との界面付近に形成された、半導体層１３よりも高いＧｅ組成を有する複数の半導体ドット１５と、半導体層に形成されたＭＩＳトランジスタとを備えた。 - 特許庁

A base region 4 has a first region 4a and a second region 4b each having a Ge composition ratio continuously reducing from an emitter region 9 to a collector region 3, and a reduction rate of the Ge composition ratio in the first region 4a is smaller than that in the second region 4b.例文帳に追加

ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。 - 特許庁

To put it concretely, the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au and at least either element of Si and Ge is formed, or the hardened layer mainly composed of an amorphous alloy including Au, at least either element of Si and Ge, and at least one or more kinds of elements among Ag, Cu, Ni, Pd and Pt is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層あるいは、ＡｕにＳｉまたはＧｅのうちから少なくとも一方の元素とＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＰｄまたはＰｔのうちから少なくとも１種類以上の元素を含有したアモルファス合金を主体とする硬化層を形成させること。 - 特許庁

When a genre GE of facilities is specified by a driver, a navigation system reads the data of all the facilities in the assigned genre GE from a facility data base stored in storage medium, and displays a list of facility names NM, distance DE and directions DN in the order distance close to an own vehicle position on the facilities existing within the specified distance from the own vehicle position.例文帳に追加

ドライバーによって施設のジャンルＧＥを指定されたら、ナビゲーション装置は記憶媒体に記憶している施設データベースから指定されたジャンルＧＥの全施設データを読み出し、自車位置から所定距離内に存在する施設について、自車位置から近い順に施設名ＮＭ及び距離ＤＥ及び方向ＤＮのリストを表示する。 - 特許庁

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment.例文帳に追加

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。 - 特許庁

The projector comprises a power source device Ge for supplying the DC lamp 1 with driving power; a control microcomputer Mc for controlling the power source device; a reverse connection detecting circuit 7 for detecting a voltage between the DC lamp 1 and the power source Ge; and a reverse connection warning lamp WL connected to the control microcomputer Mc.例文帳に追加

直流ランプ１に駆動用電力を供給している電源装置Ｇｅと、電源装置を制御する制御用マイコンＭｃと、直流ランプ１と電源装置Ｇｅの間の電圧を検知する逆接続検出回路７と、制御用マイコンＭｃと接続された逆接続警告ランプＷＬとを有している。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

In one embodiment, the metal oxide film is a titanium dioxide film with an anatase structure, wherein one or more dopants selected from the group consisting of Sn, Hf, Si, Zr, Pb and Ge and one or more dopants selected from the group consisting of Nb, Ta, Mo, As, Sb and W, are added to a titanium dioxide film.例文帳に追加

本発明のひとつの側面は、アナターゼ構造を有する二酸化チタン膜である金属酸化物膜であって、二酸化チタン膜に、Sn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント、並びに、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加されていることを特徴とする金属酸化物膜にある。 - 特許庁

Pratyekabuddha' was translated as '縁覚' (which comprises 縁 [en]; pratyaya [indirect causes which assist direct causes] and 覚 ['kaku' or 'gaku' depending on a case]; to be awakened, to attain enlightenment]) in Buddhism because it is the one who perceives the principle of dependent origination through contemplation on juni-innen (十二因縁: the twelve-linked chain of causation [nidana] that lead from rebirth to death, seeing existence as an interrelated flux of transient events that occur in a series, one producing another), or who comes to attain enlightenment thanks to various ge-en (外縁: external and indirect causes which assist internal and direct causes). 例文帳に追加

仏教では、十二因縁を観じて理法をさとり、あるいはさまざまな外縁によってさとるゆえに縁覚という。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This solder consists of 1 to 3 mass % Ag, 0.5 to 1.0 mass % Cu, 10 to 20 mass % Bi, 0.01 to 0.03 mass % Ge or 0.01 to 0.1 mass % Se and the balance Sn.例文帳に追加

上記目的を達成するために、Ａｇが１〜３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが１０〜２０質量％、Ｇｅが０．０１〜０．０３あるいはＳｅが０．０１〜０．１質量％、残部がＳｎからなるものである。 - 特許庁

In 758, he rejected the awarding of a court rank Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) because of his being a priest, but ikuro (stipends paid to people who were in the fourth rank and the fifth rank) and iden (fields given according to the court rank) were not confiscated due to the Imperial command. 例文帳に追加

758年（天平宝字2年）僧であることを理由に外従五位下の爵位を辞したが、勅命により位禄・位田は没収されなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Soji meant for Daijokan (the Grand Council of State) to submit its report to the Emperor on the affairs which had been decided by any official or any province and reported to Daijokan in the form of Ge (a style of official documents made by any government official or province and addressed to Daijokan). 例文帳に追加

奏事（そうじ）とは、各官司や諸国で決定されて解(公文書)として太政官に挙げられた事項を奏上することである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

That means, the quantity of electrons to be outputted from the drain D changes due to the input of both application potential to a gate electrode GE and reverse spin quantity to be implanted from the reverse spin implanting section R.例文帳に追加

すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。 - 特許庁