「trap density」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device having excellent characteristics by reducing the density of an electron charge trap level that is the center of the electron charge trap.例文帳に追加

電荷捕獲中心となる電荷捕獲準位の密度を低くすることにより良好な特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide film formation method for a semiconductor element capable of reducing the density of interface trap charge and oxide trap charge.例文帳に追加

本発明は、インタフェーストラップチャージ及びオキサイドトラップチャージの密度を減らすことが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a satisfactory characteristic by decreasing a density of an electric charge trap level which is a center of the electric charge trap.例文帳に追加

電荷捕獲中心となる電荷捕獲準位の密度を低くすることにより良好な特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Further, the dielectric constant is high, thereby a high dielectric constant oxide film with low current leakage and trap density can be obtained.例文帳に追加

また、誘電率は高くて、漏れ電流及びトラップ密度は低い高誘電率酸化膜を得られる。 - 特許庁

As a result, a charge capture rate η(=Nα) proportioned to the charge trap density of the charge trap density N can be effectively calculated at a region where the effect of a change in a potential due to the injected charge can be ignored.例文帳に追加

これにより、注入電荷によるポテンシャル変化の影響を無視できる領域で、電荷トラップ密度に比例した電荷捕獲率η（＝Ｎσ）または電荷トラップ密度Ｎを有効に算出することができる。 - 特許庁

Consequently, the leakage current and trap density of the capacitor can be lowered by providing the oxide film as the dielectric film.例文帳に追加

かかる酸化膜を誘電膜として具備することによってキャパシタの漏れ電流及びトラップ密度も低くなる。 - 特許庁

An average trap level density of each of the I layers 22I, 32I is 2.0×10^17(cm^-3) and under.例文帳に追加

Ｉ層２２Ｉ，３２Ｉにおける平均トラップ順位密度がそれぞれ、２．０×１０^17（ｃｍ^-3）以下となっている。 - 特許庁

The silicon nitride film has high charge-storage performance, wherein the film has a trap density substantially uniform in the film thickness direction.例文帳に追加

膜の厚さ方向に略均等なトラップ密度を有する窒化珪素膜は、高い電荷蓄積能力を有する。 - 特許庁

The trap level density of the charge trapping layer 6b is greater than the trap level density of each of the transmission insulating layer 6a and the block layer 6c, and a leak current in the transmission insulating layer 6a is higher than a leak current in the block layer 6c.例文帳に追加

そして、電荷捕獲層６ｂのトラップ準位密度が透過絶縁層６aとブロック層６ｃのトラップ準位密度と比べて大きく、透過絶縁層６aのリーク電流が、ブロック層６ｃのリーク電流と比べて大きい。 - 特許庁

(4) Vertical direction end part portions of a filter of the trap 24 have low density of activated carbon or no activated carbon.例文帳に追加

（４）トラップ２４が、フィルタの上下方向端部部分が活性炭の密度が低くされているか活性炭レスとされている。 - 特許庁

The interface between the first and second layers may have an interfacial trap density which is lower than 1010 cm-2 eV.例文帳に追加

第１及び第２の層間の界面は、１０^１０ｃｍ^−２ｅＶより低い界面トラップ密度を持つことを特徴とする。 - 特許庁

When the interface is saturated with the deuterium, trap density at the interface is decreased, resulting in reduced degradation of hot carrier of a channel.例文帳に追加

界面が重水素で飽和されると、界面のトラップ密度が減少し、それによりチャネルのホットキャリヤの劣化が減少する。 - 特許庁

In the organic thin film, the ratio between the number of conduction carriers when a current with a current density of 25 mA/cm^2 is fed and the number of trap carriers when a current with a current density of 25 mA/cm^2 is fed (the number of conduction carriers/the number of trap carriers) is 0.1 or above.例文帳に追加

電流密度２５ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときの伝導キャリア数と、電流密度２５ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流したときのトラップキャリア数との比（伝導キャリア数／トラップキャリア数）が０．１以上である有機薄膜である。 - 特許庁

To provide a polymer electret having high trap charge density even at normal or high temperature and excellent charge (polarization) retention of the trap charge density, soluble in organic solvents and widely meeting general commercial uses and provide a method for producing the electret.例文帳に追加

常温ないし高温下でも高いトラップ電荷密度を有し、かつそのトラップ電荷密度の電荷（分極）保持性に優れ、かつ有機溶媒に可溶で広く一般的な商業用途に対応出来る高分子エレクトレット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

An evaluation element provided within a laminated body under a gate electrode as a charge storage layer is formed of a dielectric film for evaluating a charge trap density.例文帳に追加

電荷トラップ密度を評価する誘電体膜を、ゲート電極下の積層体内に電荷蓄積層として備えた評価素子を作製する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film in which the interface property of a silicon substrate and a silicon oxide film is good, and which produces the thin film with good low interface trap density.例文帳に追加

低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。 - 特許庁

In this way, the program/deletion characteristics are improved, the density of an interface trap is reduced, the threshold value voltage shift is improved, and thus the electrical characteristics of the device are improved.例文帳に追加

かくしてプログラム／消去特性が改善され、インターフェーストラップの密度が減少し、しきい値電圧シフトが改善され、素子の電気的特性が改善される。 - 特許庁

The density of an interface trap is decreased, because undesirable formations of interface compounds at the time of growing the dielectric and thereafter is suppressed, by providing interfaces in which the non-oxygen chalcogen is rich.例文帳に追加

非酸素カルコゲンに富んだ界面を設けることによって、誘電体成長時およびその後の望ましくない界面化合物の形成が抑制され、界面トラップの密度が低下する。 - 特許庁

To form a Si film having a low trap level density by irradiation lights after laminating a thin film different in composition from a semiconductor film on the surface of the semiconductor film.例文帳に追加

トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に、大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of forming a silicon thin film of small trap level density by irradiation with light and to provide another technology of applying the former technology to a substrate of a large area with high reproducibility.例文帳に追加

トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に、大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術を提供する。 - 特許庁

During this process, by exposing the first electrode 20 under the plasma of pure nitrogen, the partial oxidization of the first electrode 20 is prevented and the density of the charge trap on an electrode/dielectric interface is reduced.例文帳に追加

この工程中第１の電極２０を純窒素のプラズマに露出することにより、第１の電極２０の部分的な酸化が防止され、電極／誘電体インタフェースにおける電荷トラップの密度が低減される。 - 特許庁

Further, a dopant reducing trap density of electric charges moving in and out of the charge storage layer 7 through the tunnel insulating film 6 is introduced into a region 7a on the side of an interface with the tunnel insulation film 6, or introduced into the region 7a to higher density than into another region 7b.例文帳に追加

また、電荷蓄積層７には、トンネル絶縁膜６を介して内部に出入りする電荷のトラップ密度を低減させるドーパントがトンネル絶縁膜６との界面側の領域７ａに導入されているか、もしくは領域７ａにはそれ以外の領域７ｂに比べてドーパントが高い濃度で導入されている。 - 特許庁

Oxygen density in the exhaust gas is lowered by lowering oxygen density in engine intake gas by increasing a ratio of partial oxidating reaction out of reforming reaction by increasing a proportion of air out of fuel, water and air to input to a fuel reformer 8 at the time of desorbing reduction of NOx trapped by the NOx trap 18.例文帳に追加

ＮＯｘトラップ１８にトラップされたＮＯｘを脱離還元処理するときに、燃料改質器８に投入する燃料、水、空気のうち、空気の割合を増加させることで、改質反応のうち部分酸化反応の比率を増加させて、エンジン吸入ガス中の酸素濃度を低下させ、排気ガス中の酸素濃度を低下させる。 - 特許庁

The crystal formed as a result of crystallization has molecular orientation suitable for highest mobility direction, and obtains high performance electrical characteristics having high carrier mobility and low threshold voltage owing to no grain boundary and low trap density.例文帳に追加

結晶化の結果として形成された結晶は、最も高い移動性方向に適した分子配向を有し、粒界がないこと、及び低いトラップ密度により高いキャリア移動性及び低い閾値電圧を有する高性能電気的特性を得ることができる。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device, and a device for growing an insulation film in which nitrogen concentration distribution in the insulation film is controlled arbitrarily without changing over gas being introduced and the reliability of the semiconductor device is enhanced by lowering a trap density.例文帳に追加

半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、絶縁膜成長装置に関し、導入するガスを切り換えることなく絶縁膜中の窒素濃度分布を任意に制御するとともに、トラップ密度を低減して半導体装置の信頼性を向上する。 - 特許庁

The sealed water evaporation inhibitor composition for a drain trap is provided, comprising 1 to 99% by mass of a water-insoluble component with specific density of less than 1.0 and vapor pressure of lower than that of water, 1 to 99% by mass of an aquatic component, and 0.001 to 30% by mass of a surfactant.例文帳に追加

比重１．０未満、蒸気圧が水よりも低い水不溶性成分を１〜９９質量％、水系成分を１〜９９質量％、界面活性剤を０．００１〜３０質量％含む排水トラップの封水蒸発防止剤組成物を提供する。 - 特許庁

The method for separating and recovering cells is for obtaining the cells belonging to the specific type from the biogenous material and comprises performing density gradient centrifugation of a cell suspension separated from the biogenous material and making a fraction of the concentrated cells pass through a filter to trap and recover the cells belonging to the specific type.例文帳に追加

生物由来材料の細胞の特定型群を得る方法であって、生物由来材料から遊離させた細胞懸濁液を密度勾配遠心分離した後、細胞の集積した画分をフィルターに通過させて細胞の特定型群を捕捉し、回収することを特徴とする細胞分離回収方法。 - 特許庁

To obtain accurate results without substantially increasing calculation time, required memory, etc., for a polycrystalline thin film transistor containing a crystal grain boundary with a high trap density and a MOS interface in a device simulation method of dividing a semiconductor element into a mesh and solving physical equations such as potential equations, carrier continuity equations, etc., by each mesh.例文帳に追加

半導体素子をメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式・キャリア連続方程式等の物理方程式を解く、デバイスシミュレーション方法において、トラップ密度の高い結晶粒界やMOS界面を含む多結晶薄膜トランジスタに対しても、計算時間や必要メモリ等の大幅な増加なしに、正確な結果を与える、デバイスシミュレーション方法を、実現することを目的とする。 - 特許庁