Consequently, the N type region of high electron concentration is etched.例文帳に追加

その結果、電子濃度が高いＮ型領域がエッチングされる。 - 特許庁

The surface N (42) is roughened through anisotropic etching.例文帳に追加

Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。 - 特許庁

Then, an n^+-type polysilicon layer 11 is deposited, and etched back.例文帳に追加

次に、Ｎ^+型ポリシリコン層１１を堆積し、エッチバックを行う。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.例文帳に追加

その後、ｎ型ＧaＡsバッファ層２２の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁

A texture etching device (etching device) 100 for etching a silicon substrate 8 containing a p- or n-type dopant by immersing the silicon substrate in an etching liquid 9 comprises: an etching bath 1 which stores the etching liquid 9; and a first cation removal device 4A and a second cation removal device 4B which adsorb and collect the cations which are eluted into the etching liquid 9.例文帳に追加

テクスチャエッチング装置（エッチング装置）１００は、ｐ型又はｎ型のドーパントを含むシリコン基板８をエッチング液９中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液９を貯留するエッチング槽１と、エッチング液９中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置４Ａ，４Ｂとを備えている。 - 特許庁

This etching method is especially profitable to obtain a GaNHBT from an n-p-n GaN material by etching.例文帳に追加

本発明はｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料からＧａＮＨＢＴをエッチングするのに特に有益である。 - 特許庁

A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an N-type epitaxial wafer 11, an etching preventing electrode provided on the wafer 11, and a P electrode which is provided on the etching preventing electrode and is etched, in a prescribed electrode pattern by an etchant which is different from that used for etching the etching preventing electrode.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャルウェハー１１と、Ｎ型エピタキシャルウェハー１１上に設けられたエッチング防止電極と、エッチング防止電極の上に設けられ、エッチング防止電極をエッチングするエッチング剤とは異なるエッチング剤でエッチングされ、所定の電極パターンが形成されるＰ電極とを備える。 - 特許庁

Moreover, an n-type clad layer 104 is allocated between the etching surface having etching damage and the semiconductor layer forming the waveguide.例文帳に追加

また、エッチングダメージを有するエッチング面と導波路を構成する半導体層との間にｎ型クラッド層１０４を配置した。 - 特許庁

The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.例文帳に追加

ハードマスクは、Ｈ、Ｎ及びＣＯで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁

A part used for a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 1 is etched up to a SiO2 layer 2 used as an etching stopper layer.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層２をエッチングストッパ層としてｎ型単結晶Ｓｉ層１の感圧領域に相当する部分をＳｉＯ_2 層２までエッチングする。 - 特許庁

After wet etching the metal film 106, n^+a-Si film 105 and an a-Si film 104 are dry etched.例文帳に追加

金属膜１０６をウエットエッチングした後、ｎ^＋ａ−Ｓｉ膜１０５、ａ−Ｓｉ膜１０４をドライエッチングする。 - 特許庁

To obtain an etching shape having no p-n difference while preventing a base HfSiON film from penetrating during dry etching of metal gates.例文帳に追加

メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。 - 特許庁

Then, the emboss-patterned surface 15a of the n-type layer 15 is subjected to wet etching, to thereby form numerous etched pits 19.例文帳に追加

次に、ｎ型層１５表面１５ａをウェットエッチングして多数のエッチピット１９を形成する。 - 特許庁

The surface of the n-GaN layer is exposed by the etching in the first stage, and a B(boron) contaminated layer is removed by the etching in the second stage.例文帳に追加

１段目のエッチングによりｎ−ＧａＮ層の表面を露出させ、２段目のエッチングによりＢ（ボロン）汚染層を除去する。 - 特許庁

A first dry etching is performed with a mixed gas of chlorine gas and oxygen gas as etchant, to form a pseudo etching mask M on an n-type AlGaInP clad layer 11.例文帳に追加

塩素系ガス及び酸素ガスの混合ガスをエッチャントとして第１のドライエッチングを行い、ｎ型AlGaInPクラッド層１１に擬似エッチングマスクＭを形成する。 - 特許庁

Since the dry etching surface of the p-type group III nitride semiconductor 8 is rendered n-type by defects caused by etching, ohmic contact cannot be attained when an electrode is formed on a flat plane subjected to dry etching.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。 - 特許庁

When N is 3, one contact level is etched with a first mask, two contact levels are etched with a second mask, and four contact levels are etched with a third mask.例文帳に追加

Ｎが３であるとき、第１のマスクにより１つのコンタクトレベルがエッチングされ、第２のマスクにより２つのコンタクトレベルがエッチングされ、第３のマスクにより４つのコンタクトレベルがエッチングされる。 - 特許庁

A trench channel 5 is formed whose cross-sectional shape is tapered, in the normal order of a bottom getting narrower against an upper part, by combination of a wet-etching with an insulating film 3 and a dry-etching using an isotropic gas with an i-layer 2 and an n-type high concentration substrate 1.例文帳に追加

ウエットエッチング法による絶縁膜３のエッチングと、等方性ガスを用いたドライエッチング法によるｉ層２およびｎ型高濃度基板１のエッチングとを組み合わせることにより、その断面形状が、底部が上部に比べて細い順テーパー形状となるトレンチ溝５を形成する。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

ｎ形の半導体基板１上にｎ形のエッチングストップ層２が設けられ、そのエッチングストップ層２上の一部にｎ形のストライプ状リッジ層３が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is etched while being conveyed and then an unnecessary n layer is removed.例文帳に追加

半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。 - 特許庁

Thereafter, the current constricting layer 19 and p-type InxGa1-xP layer 18 are etched by using the SiO2 film 21 as a mask.例文帳に追加

SiO_2膜21を除去し、n-GaAsキャップ層20と溝の底面のp-In_x1Ga_1-x1As_1-y1P_y_1第二エッチング阻止層17を除去する。 - 特許庁

A part of the n-type layer is etched to expose the surface of the p-type layer.例文帳に追加

ｎ型層の一部は、ｐ型層の表面を露出させるためにエッチングされる。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor laser comprises the steps of forming an AlGaAs semiconductor laser 29 on an N-type GaAs substrate 21, then etching the substrate, until an N-type AlGaAs clad layer 23 reaches the substrate from the surface, and then removing the layer 23 via an etchant having a selectivity to a GaAs by etching.例文帳に追加

ｎ型ＧaＡs基板２１上にＡlＧaＡs系半導体レーザ２９を形成した後、表面からｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３に届くまでエッチングを行ない、次にＧaＡsに対して選択性があるエッチャントによってｎ型ＡlＧaＡsクラッド層２３をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a method of precisely etching a GaN material, wherein the modified and smooth surface of the GaN material can be provided, and a GaNHBT can be manufactured by selectively etching an n-p-n GaN material.例文帳に追加

ＧａＮ材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてｎ‐ｐ‐ｎＧａＮ材料を選択的にエッチングしてＧａＮＨＢＴを製造できる方法である。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with a stage of forming a light-emitting structure including a p-type electrode on an n-type substrate, a stage of etching the lower surface of the substrate and a stage of forming an n-type electrode on the etched lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

An AlGaAs layer 1 of a P-N-P-N structure is formed on a GaAs substrate 2, the layer 1 is subjected to mesa etching, the layer 1 is partially removed, mesa etched parts 6 are formed in the layer 1, and the layer 1 is covered with an SiO2 insulating film 3 including the parts 6.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にｐｎｐｎ構造のＡｌＧａＡｓ層１が形成され、メサエッチングされてＡｌＧａＡｓ層が一部除去されて、メサエッチング部６が形成され、ＳｉＯ_2 絶縁膜３で被覆されている。 - 特許庁

A current diffusion layer D, a P-type gallium nitride layer P, and an N-type gallium nitride layer N are etched at the same time until a substrate B is exposed.例文帳に追加

基板Ｂが露出するまで電流拡散層Ｄ、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ、及びｎ型窒化ガリウム層Ｎを一度にエッチングする。 - 特許庁

An n-side electrode 11 is formed on an n-type layer 4 which is exposed by removing a part of the semiconductor layers 4 to 8 through etching.例文帳に追加

また、積層された半導体層４〜８の一部がエッチングにより除去されて露出したｎ形層４にｎ側電極１１が形成されている。 - 特許庁

The n-type Al_xGa_yIn_1-x-yN layer 11 is exposed by etching, or the like, to form an N electrode 30.例文帳に追加

この後、ｎ型Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ層１１をエッチング等により露出させ、ｎ電極３０を形成する。 - 特許庁

Then a laminate structure portion 3 which has a wall surface 8 ranging from the n-type GaN layer 4 to the n-type GaN layer 6 is formed by etching.例文帳に追加

次いで、エッチングにより、ｎ型ＧａＮ層４からｎ型ＧａＮ層６に跨る壁面８を有する積層構造部３を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an InGaP etching blocking layer 11 as an etching selection layer having etching selectivity relative to current block layers 10 is formed on the n-type AlInP current block layer 10 as a layer which does not absorb light.例文帳に追加

この半導体レーザ素子では、非光吸収層であるｎ型ＡｌＩｎＰ電流ブロック層１０の上に、電流ブロック層１０に対してエッチング選択性を有するエッチング選択層としてのＩｎＧａＰエッチング阻止層１１が形成されている。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

SiC is etched using plasma of an etching gas containing CHF_3, a gas containing CHF_3 and N_2, e.g. a mixture gas of CHF_3, N_2 and Ar, or an etching gas containing a material having C, H and F and a material having N but not containing a material having O.例文帳に追加

ＣＨＦ_３を含むエッチングガス、ＣＨＦ_３とＮ_２とを含むガス、例えばＣＨＦ_３とＮ_２とＡｒの混合ガス、またはＣとＨとＦとを有する物質とＮを有する物質とを含みＯを有する物質を含まないエッチングガスをプラズマ化してＳｉＣをエッチングする。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A trench aperture part is formed by eliminating the n-type semiconductor substrate 1, corresponding to the window opening part by etching, and further the insulation mask is eliminated by etching.例文帳に追加

窓開け部に相当するｎ型半導体基板１をエッチングにより除去してトレンチ開口部を形成し、さらに絶縁性マスクをエッチングにより除去する。 - 特許庁

The p- and n-type leading layers 300, 400 are formed by selectively etching off only either the polycrystalline silicon or silicon-germanium mixed crystal, utilizing a high etching selective ratio of both.例文帳に追加

ｐ型の引き出し層３００とｎ型の引き出し層４００とは、多結晶シリコンとシリコン・ゲルマニウム混晶との高いエッチング選択比を利用し、片方のみを選択的にエッチング除去することによって形成される。 - 特許庁

A first mesa is formed by removing from the p-type InP window layer 5 to the n-type InP buffer layer 2 by a low selectively etchable Br-based etchant in an inclined forward mesa form.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ窓層５からｎ型ＩｎＰバッファ層２まで、選択エッチング性の低いＢｒ系エッチャントによって傾斜型順メサ形状に除去して第一のメサを形成した。 - 特許庁

The plasma emission intensity of the etching marker layer 42 is larger than that of an n-type contact layer 21 and the lower cladding layer 25 that are in contact with the etching marker layer 42.例文帳に追加

エッチングマーカー層４２のプラズマ発光強度は、該エッチングマーカー層４２に接するｎ型コンタクト層２１及び下部クラッド層２５のプラズマ発光強度より大きい。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride based semiconductor laser element, after laminating nitride based semiconductor layers 2-10 on a n-type GaN substrate 1, a projecting ridge portion 11 is formed by dry etching using an ICP etching device.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体各層２〜１０を積層した後、ＩＣＰエッチング装置を用いたドライエッチングにより、凸状のリッジ部１１を形成する。 - 特許庁