セル依存性のの英語

感熱感度の湿度依存性等を改善し、カプセル諸性能（生保存性、熱感度、発色濃度、地肌カブリ、湿度依存性等）を自由に設計することができるマイクロカプセル、その製造方法、及びそれを用いた記録材料を提供する。例文帳に追加

To provide a microcapsule, which can freely design various capsule performances (live preservation property, heat sensitivity, coloring density, texture fog, humidity dependence property, and the like), their manufacturing method and a recording material using them. - 特許庁

本発明は、界面活性剤濃度への依存性や温度・ｐＨによる依存性が少なく、分子取り込み能に優れた単分子ミセル（スターポリマー）を用い、水媒体中で有機反応を行うことを目的とする。例文帳に追加

To carry out an organic reaction in an aqueous medium using a unimolecular micelle (a star polymer) having little dependences on surfactant concentration or temperature or pH, and an excellent molecule uptake ability. - 特許庁

書込まれる記憶データのレベルに依存せず磁気特性が対称な磁性体メモリセルを有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film magnetic body storage device having a magnetic body memory cell which is independent of the level of storage data to be written and whose magnetic characteristics are symmetrical. - 特許庁

核酸塩基骨格を含有する化合物を含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルム用光学性能湿度依存性改良剤。例文帳に追加

The optical performance humidity dependency improving agent for cellulose acylate film contains a compound having a nucleic acid base skeleton. - 特許庁

Ｒｅの絶対値が大きく、Ｒｔｈの絶対値が小さく、且つレターデーションの湿度依存性の小さなセルロースアシレートフィルムの提供。例文帳に追加

To provide a cellulose acylate film having a large absolute value of Re, a small absolute value of Rth, and a low temperature dependency of retardation. - 特許庁

このメモリセルＭＣの読み出し動作時には、温度依存性がない第１の電圧がビット線ＢＬｓに印加され、ダイオード２１の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第１の電圧より低い第２の電圧がワード線ＷＬｓに印加された状態で、メモリセルＭＣを流れる電流の変化に応じて相変化素子２０の抵抗状態がリード回路３２により検知される。例文帳に追加

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC. - 特許庁

これにより、メモリセルＭＣのリークの温度依存性に起因するセンス動作の不具合を防止可能となる。例文帳に追加

As a result, malfunction of the sensing operation resulting from the temperature dependence of the leak of the memory cells MC is prevented. - 特許庁

ＡＧ＿ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルのしきい値電圧のアレイ内場所に対する依存性を低減する。例文帳に追加

To reduce dependency of threshold voltage of a memory cell of an AG_AND type flash memory for a place in an array. - 特許庁