ＦＷＤの英語

To provide a semiconductor device which allows recovery resistance of a FWD element to be enhanced.例文帳に追加

ＦＷＤ素子のリカバリ耐量を向上することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The FWD 21 is evaluated, based on the measurement data and the specified proportional constant.例文帳に追加

それらの計測データと前記特定された比例定数とを基にＦＷＤ２１を評価する。 - 特許庁

To improve recovery characteristic of FWD without deterioration of current capability of IGBT in a semiconductor device in which IGBT and FWD are formed in parallel on the same substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＦＷＤとが同一基板上に並列に形成された半導体装置において、ＩＧＢＴの電流能力を低下させることなく、ＦＷＤのリカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is hardly broken by improving a recovery characteristic in diode operation by suppressing parasitic diode operation at an element peripheral region except an FWD and an IGBT in an IGBT with a built-in FWD.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＦＷＤおよびＩＧＢＴ以外の素子周辺領域の寄生ダイオード動作を抑制することにより、ダイオード動作時のリカバリ特性を改善し、破壊しにくい半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device where IGBT and FWD are formed on an N^--type substrate 10, a regional damage layer 20 is provided only to the FWD region 2 of the N^--type substrate 10.例文帳に追加

Ｎ−型基板１０にＩＧＢＴおよびＦＷＤが形成された半導体装置において、Ｎ−型基板１０のうちＦＷＤ領域２にのみ領域部ダメージ層２０を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an RC-IGBT element allowing an FWD element to be uniformly operated and suppressing snapback of an FWD element.例文帳に追加

ＲＣ−ＩＧＢＴ素子を備え、ＦＷＤ素子を均一に動作させるとともに、ＦＷＤ素子のスナップバックを抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A width L3 along one direction in the FWD region 19c is longer than one second of a width along one direction in an FWD region 19a as a forth region.例文帳に追加

そして、ＦＷＤ領域１９ｃにおける一方向に沿う幅Ｌ３が、第４領域としてのＦＷＤ領域１９ａにおける一方向に沿う幅の１／２よりも長くなっている。 - 特許庁

The collector electrode 42 of the LIGBT comes into contact with the cathode electrode 142 of the FWD, and the emitter electrode 48 of the LIGBT comes into contact with the anode electrode 148 of the FWD.例文帳に追加

ＬＩＧＢＴのコレクタ電極４２とＦＷＤのカソード電極１４２が接しており、ＬＩＧＢＴのエミッタ電極４８とＦＷＤのアノード電極１４８が接している。 - 特許庁