P-270とは 意味・読み方・使い方

In addition, four photodiodes 13a to 13d in a width of (1/2)P are arranged at a pitch of (3/4)P (at an electrical angle of 270°).例文帳に追加

また、(１/２)Ｐの幅の４つのフォトダイオード１３a〜１３dを、(３/４)Ｐのピッチ(電気角２７０度)で配置する。 - 特許庁

A P/S converting part 10 converts the multiplexed data signal Do1 into a 270 Mb/s serial data signal Do2 in accordance with a 270 MHz timing clock CL7 generated by a multiplying part 9.例文帳に追加

Ｐ／Ｓ変換部１０は、逓倍部９により生成された２７０ＭＨｚのタイミングクロックＣＬ７に応じて多重データ信号Ｄｏ１を２７０Ｍｂ／ｓのシリアルデータ信号Ｄｏ２に変換する。 - 特許庁

The p-type junction layer 250 having sphere surface, the n-type junction layer 260 and the transparent layer 270 can be formed by an inkjet print process.例文帳に追加

球形表面を有するＰ接合層２５０、Ｎ接合層２６０、および透明電極層２７０は、インクジェットプリント工程によって形成することができる。 - 特許庁

A polysilicon film 270 making up a P-channel TFT, which is a load element, is formed at the upper part of the flattened buried wiring 224 via an interlayer insulation film 268.例文帳に追加

負荷素子であるＰチャネルＴＦＴを構成するポリシリコン膜２７０は、平坦化された埋込配線２２４の上部に層間絶縁膜２６８を介して成膜される。 - 特許庁

Not later than 270 days after the date of the enactment of this subsection, the Commission shall promulgate regulations requiring any person described in paragraph (2) to disclose annually, beginning with the person's first full fiscal year that begins after the date of promulgation of such regulations, whether conflict minerals that are necessary as described in paragraph (2)(B), in the year for which such reporting is required, did originate in the Democratic Republic of the Congo or an adjoining country and, in cases in which such conflict minerals did originate in any such country, submit to the Commission a report that includes, with respect to the period covered by the report例文帳に追加

本項の制定日の270日後までに、証券取引委員会は、(1934年証券取引所法第13条(p)項)第(2)号で説明する者に下記のことを求める規則を公布する。当該規則の公布日後に始まるその者の最初の完全な事業年度から毎年、(1934年証券取引所法第13条(p)項)第(2)号(B)で説明するとおり必要な紛争鉱物が、当該報告が求められる年にコンゴ民主共和国または周辺国で産出されたか否かを開示し、当該紛争鉱物が当該国で産出された場合は、報告の対象期間に関し下記を記載する報告書を証券取引委員会に提出する。 - 経済産業省

To provide a microfabricated PN junction interface with good flatness by reducing low-frequency noise by solving problems of cooling within a range of, especially, 270 to 150°C during formation of a P-type region as a base before an N-type impurity is added such as a P-type wafer substrate of a MOS integrated circuit and a base region of an NPN transistor of a bipolar integrated circuit etc.例文帳に追加

ＭＯＳ集積回路のＰ型ウェーハ基板やバイポーラ集積回路のＮＰＮトランジスタのベース領域など、Ｎ型不純物を添加する以前の下地となるＰ型領域形成時の特に２７０〜１５０℃の範囲の冷却には問題があり、それらの問題を解決し低周波雑音を低減し、平坦性の良い微細化ＰＮ接合界面を提供する。 - 特許庁

The integrated circuit device 10 comprises a sampling clock CLK 90 delaying from a reference clock DQS by a predetermined phase, a DLL circuit for generating a CLK 270, an input circuit S/P for taking in data inputted synchronously with the reference clock DQS, and a function macro 30 consisting of a plurality of function blocks for performing access control to an external memory 20 and applying predetermined processing to the data.例文帳に追加

集積回路装置１０は，基準クロックＤＱＳから所定の位相遅れたサンプリングクロックＣＬＫ９０，ＣＬＫ２７０を生成するＤＬＬ回路，基準クロックＤＱＳに同期して入力されるデータを取り込む入力回路Ｓ／Ｐ，外部メモリ２０へのアクセス制御を行い当該データに対して所定の処理を行う複数の機能ブロックからなる機能マクロ３０を有する。 - 特許庁