are Ysとは 意味・読み方・使い方

To provide a low-yield ratio high-tensile strength thick steel plate having ≥440 MPa yield strength YS, ≥590 MPa tensile strength TS and ≤80% yield ratio YR which are suitable for building structures and having excellent weld crack resistance and weld heat-affected zone toughness in a super-large heat input welding part and a small heat input multi-pass welding part.例文帳に追加

建築構造用として好適な、降伏強さYS：440MPa以上、引張強さTS：590MPa以上、降伏比YR：80%以下を有し、さらに超大入熱溶接部および小入熱多パス溶接部において、耐溶接割れ性と溶接熱影響部靭性に優れた低降伏比高張力厚鋼板を提供する。 - 特許庁

The PDP device equipped with a PDP, having (X, Y, A) and respective drivers has a structure, such that two nearby Ys among a plurality of Ys are connected in common, nearby a connection part between the PDP and driver by a wiring (y), to be included in one set unit.例文帳に追加

（Ｘ，Ｙ，Ａ）を持つＰＤＰと各ドライバを備えるＰＤＰ装置において、複数のＹにおいて、近くにある２本のＹ同士が、ＰＤＰとドライバとの接続部付近において、１つのセット単位に含まれるように配線ｙにより共通化接続された構造を有する。 - 特許庁

In the semiconductor storage device having the multilayer wiring structure wherein series selecting lines (YS) extended in a Y direction and main wordlines (MWL) extended in an X direction are subjected to multilayer wiring, the semiconductor storage device having structure wherein a wiring layer of the YS is arranged lower than a wiring layer of the MWL can be obtained.例文帳に追加

Ｙ方向に延びる列選択線（ＹＳ）と、Ｘ方向に延びるメインワード線（ＭＷＬ）とを多層配線した多層配線構造を有する半導体記憶装置において、ＹＳの配線層をＭＷＬの配線層よりも下層に配置した構造を有する半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁

The course deviation ΔY and the azimuth deviation Δp are calculated by taking points on the scheduled course A separated from intersections Xm, Ym of a perpendicular line dropped from the actual ship positions Xs, Ys to the scheduled course A and the scheduled course A by a specified distance (d) as target points Xt, Yt.例文帳に追加

航路偏差ΔＹと方位偏差Δｐは、船舶現在位置Xs、Ysから計画航路Ａに対して下した垂線と計画航路Ａとの交点Xm、Ymから所定の距離ｄだけ離れた計画航路Ａ上の点を目標点Xt、Ytとして算出される。 - 特許庁

A detection signal ys of a soundboard sensor with respect to the elapsed time t is stored, an oscillatory waveform of the soundboard to be original waveform is completed from the sequence of the detection signal ys, and the peak values of the oscillatory waveform in positive side are connected so as to obtain an envelope curved line CA.例文帳に追加

経過時間ｔに対する響板センサの検出信号ｙｓを記憶させ、その検出信号ｙｓの並びから、原波形である響板の振動波形を完成させ、振動波形の正側のピーク値を結ぶことで、エンベロープ曲線ＣＡが得られる。 - 特許庁

Capacitors CYs and CYh, and CYl and Cyg are formed in the switching elements Ys and Yh, and Yl and Yg, a diode Dys is connected in a reverse direction between the connection point of the switching elements Ys and Yh and a ground line O, and a diode Dyg is connected in a forward direction between the connection point of the switching element Yl and Yg and the ground line O.例文帳に追加

スイッチング素子Ｙｓ，Ｙｈ，Ｙｌ，Ｙｇには各々キャパシタＣＹｓ，ＣＹｈ，ＣＹｌ，ＣＹｇが形成されており，ダイオードＤｙｓがスイッチング素子Ｙｓ，Ｙｈの接続点と接地線０との間に逆方向に連結され，ダイオードＤｙｇがスイッチング素子Ｙｌ，Ｙｇの接続点と接地線０との間に順方向に連結されている。 - 特許庁

The compound is represented by the following formula (I), wherein X is alkyl, alkenyl, alkynyl, heterocycloalkyl, or the like; Ys are each independently H, alkyl, alkenyl, or the like; and Ar group is alkyl, alkoxy, heteroaryl, or the like.例文帳に追加

次式（Ｉ．）［式中、Ｘは、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロシクロアルキル等を示し、Ｙは、それぞれ独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル等を示し、Ａｒ基は、アルキル、アルコキシ、ヘテロアリール等を示す］で表される化合物。 - 特許庁

Static bending distorsion Xs and static twisting distorsion Ys in the state that one end of the shaft 13 are detected by the bending distorsion gage 31 and the twisting distorsion gage 33 respectively.例文帳に追加

シャフト１３の一端が固定されて曲げられた状態における静的曲げ歪みＸｓ及び静的ねじり歪みＹｓが、それぞれ曲げ歪みゲージ３１及びねじり歪みゲージ３３によって検出される。 - 特許庁