寄生バイポーラ現象によりドレイン近傍に発生する電子もしくはホールの引き抜きを素早く行うこと。例文帳に追加

To quickly pull off an electron or a hole generated in the neigborhood of a drain owing to a parasitic bipolar phenomenon. - 特許庁

電極塗装を施すに際して被塗物にも電極にもバイポーラ現象を生じさせずに塗装品質を向上させる。例文帳に追加

To improve coating quality by inhibiting bipolar phenomenon on a target to be coated or on an electrode when conducting electrodeposition. - 特許庁

メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止する不揮発性データ貯蔵装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile data storage device that prevents bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array. - 特許庁

単一のヘテロバイポーラトランジスタに複数存在するベース１、２を配線５により短絡して実効Ｖｂｅを共通化することにより、ヘテロバイポーラトランジスタの単一セル内に発生する熱的な粗密によるコラプス現象を完全に抑制する。例文帳に追加

A plurality of bases 1, 2 that exist on a single heterojunction bipolar transistor are short-circuited by a wiring 5 to standardize an effective Vbe, thereby completely restricting a collapse phenomenon that occurs in the single cell of the heterojunction bipolar transistor due to thermal density. - 特許庁

ＳＲＡＭセルアレイを有する半導体集積回路装置において、ラッチアップや、寄生バイポーラ素子の動作又はこれらと同様な現象であるＭＯＳＦＥＴのスナップバック動作によるデータ消失の影響を低減する。例文帳に追加

To reduce influence of data loss due to latch up, and operations of parasitic bipolar components and snap back operations of MOSFETs being the phenomenon similar to them in a semiconductor integrated circuit device having a SRAM cell array. - 特許庁

不揮発性データ貯蔵装置にプログラムが実行される場合、メモリセルアレイのメモリブロックに接続されるパストランジスタ間のバイポーラ現象を防止して、プログラムが実行されたデータの信頼性を向上させる。例文帳に追加

When a program is executed in a nonvolatile data storage device, bipolar phenomenon between pass transistors connected to a memory block of a memory cell array is prevented, to improve reliability of data corresponding to the executed program. - 特許庁

これにより、マルチフィンガ構造をなすすべてのMOSFETの寄生バイポーラトランジスタをターンオンさせてESD現象時に大容量の電流を流すことができる。例文帳に追加

Thus, parasitic bipolar transistors of all MOSFETs to form the multi-finger structure are turned on in such a manner that the current of a large capacity flows at the time of an ESD. - 特許庁

インパクト・イオン化により発生するホールを引き抜く際のボディ内で電圧降下による寄生バイポーラ現象の発生を低減する半導体集積回路の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, capable of reducing the occurrence of a bipolar phenomenon due to voltage dropping within a body, when pulling out holes produced due to impact ionization. - 特許庁

ＳＯＩ構造のＭＩＳトランジスタにおいて、寄生バイポーラ現象などの基板浮遊効果を確実に抑制することができ、電気的特性に優れた電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electro-optical device having excellent electrical characteristic which can surely control substrate floating effect such as parasitic bipolar phenomenon on a MIS transistor of SOI structure. - 特許庁

ビア導通めっき作業時にバイポーラ現象の発生を防ぐことができ、信頼性の高い健全なビア導通めっきを施すことができるＴＡＢテープの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a TAB tape, which can prevent a bipolar phenomenon from occurring during a via-conducting plating operation, and can form a sound via-conducting plated layer with high reliability. - 特許庁

ＳＯＩ構造のＭＩＳトランジスタにおいて、寄生バイポーラ現象などの基板浮遊効果を確実に抑制することができ、電気的特性に優れた電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electro-optical device having excellent electrical characteristic which can surely control substrate floating effect such as parasitic bipolar phenomenon in a MIS transistor of SOI structure. - 特許庁

ＥＳＤ現象が生じた場合、抵抗率のより高いこの領域は寄生横方向ｎｐｎバイポーラトランジスタの電流利得を大きくし、よって破壊的な局部的加熱による熱ブレークダウンを開始する電流Ｉｔ２を上昇させる。例文帳に追加

When an ESD phenomenon occurs, the region having the higher resistivity increases the current It2 which starts a thermal breakdown by destructive local heating by increasing the current gain of a parasitic lateral npn bipolar transistor. - 特許庁

燃料電池陽極側燃料ガス流路の中段流路に設置され、燃料ガス流路中段・後段における燃料ガスの含湿量不足という現象を克服して、燃料電池の性能を向上させる燃料電池バイポーラ板の燃料ガス加湿装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel gas humidifying device for a fuel cell bipolar plate installed in the middle stage of a fuel cell positive electrode side gas flow path, improving performance of the fuel cell by overcoming lack of humidity contained in the fuel gas at the middle and latter stage of the fuel gas flow path. - 特許庁

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、高速化，大電流動作化，および電流利得の低下，素子抵抗増加によるＫｎｅｅ電圧の増加，Ｉ−Ｖ特性におけるキング現象の発現などを抑制すると共に、ベース抵抗をＧａＡｓＳｂ単一ベースに比べ低くしながら移動度を高くすることを目的とする。例文帳に追加

To inhibit lowering of an increase in an operation, the operation by a large current and a current gain, increase in a Knee voltage due to the increase in an element resistance, and occurrence of a king phenomenon in I-V characteristics or the like, and to elevate a mobility while making a base resistance lower than a GaAsSb single base, in a hetero-junction bipolar transistor. - 特許庁

めっき液中で微粒子が凝集するということがなく、工程が簡単で、かつ極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供すること、また、バイポーラ現象が生じることなく、全ての微粒子に対して均一なめっき層を形成することができる導電性微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing conductive particulates which obviates the flocculation of particulates in a plating liquid, is simple in process steps and makes it possible to obtain conductive particulates having plating layers of an extremely uniform thickness, and to provide the method of manufacturing the conductive particulates capable of forming the uniform plating layers on all of the particulates without the occurrence of bipolar phenomena. - 特許庁