ロングスローの英語

また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。例文帳に追加

The first sputtering is long slow sputtering. - 特許庁

ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。例文帳に追加

Long throw SIP sputtering promotes hole coating. - 特許庁

プロセスは、ターゲット６４と基板６６が少なくとも１００ｍｍのロングスロー距離によって分離されるロングスローＰＶＤ３６チャンバ及びリフローチャンバとしても働く熱い金属ＰＶＤを有する一体化された処理システム内で達成されるのが好ましい。例文帳に追加

This process step is preferably implemented in an integrated processing system having a long-throw PVD chamber 36, where a target 64 is separated from the substrate 66 by a long-throw distance of at least 100 mm and a hot metal PVD chamber which serves also as a reflow chamber. - 特許庁

ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。例文帳に追加

The method uses a reactor 150 in which long throw sputtering, self-ionized plasma (SIP) sputtering, induction coupling plasma (ICP) resputtering and coil sputtering are combined in one chamber. - 特許庁

プラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法として、たとえばコリメーションスパッタリング装置またはロングスロースパッタリング装置を用いる。例文帳に追加

As the means for reducing inflow of plasma electrons to the semiconductor substrate 1, a collimation sputtering system or a long throw sputtering system is employed. - 特許庁

ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。例文帳に追加

After implanting argon ions to the entire SOI substrate surface, the substrate is adjusted to be about 300°C, and a titanium film 21 (film thickness is 15 nm) is formed by using a long throw sputtering method. - 特許庁

次に、銅に約１０ｗｔ％程度の銀を含有させたターゲットを用いてロングスロースパッタ法により銅合金膜６を形成し、熱処理して配線溝３内及び接続孔４内を埋め込む。例文帳に追加

Then, a copper alloy film 6 is formed through a slow/long sputtering method, using a target formed of alloy of copper and about 10 wt.% silver and termally treated so as to fill the wiring groove 3 and the connection hole 4. - 特許庁