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日英・英日専門用語辞書での「一様な成長」の英訳

一様な成長


「一様な成長」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 21



例文

さらには、各成長層22は、一様な面方位を有している。例文帳に追加

Additionally each growing layer 22 has a uniform face orientation. - 特許庁

一様でない成長と不均衡の拡大は,世界的な解決策から非協調的な行動に流れてしまう誘惑を高めている。例文帳に追加

Uneven growth and widening imbalances are fueling the temptation to diverge from global solutions into uncoordinated actions.発音を聞く  - 財務省

域内における成長一様ではなく、発展途上エコノミーが力強く回復する一方、先進エコノミーの回復はより緩やかである。例文帳に追加

Growth in the region is uneven across the economies, with developing economies experiencing a strong recovery, while advanced economies are recovering more slowly.発音を聞く  - 財務省

また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。例文帳に追加

By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness. - 特許庁

ウエハ面内均一性が高く、ウエハ毎にばらつかない均一一様な膜厚及び膜質の薄膜をウエハ上に成長させる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a gaseous phase growth device capable of growing a highly uniform thin film on the surface of a wafer for each wafer in a uniform film thickness and in a uniform film quality. - 特許庁

成長は戻りつつあるものの,回復は一様でなく脆弱であり,多くの国で失業は依然容認できない水準にあり,危機の社会的な影響はいまだ広く実感されている。例文帳に追加

While growth is returning, the recovery is uneven and fragile, unemployment in many countries remains at unacceptable levels, and the social impact of the crisis is still widely felt.発音を聞く  - 財務省

例文

一方、拡散防止層31は、結晶成長を用いて形成する場合とは異なり、数モノレイヤの薄さで一様に形成されるので、拡散防止層31自体が電流リークパスとなることも抑制される。例文帳に追加

Meanwhile, unlike the case of formation using the crystal growth, since the diffusion protection layer 31 is formed uniformly with a small thickness of several monolayers, the diffusion protection layer 31 is also inhibited from becoming a current leakage path. - 特許庁

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「一様な成長」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 21



例文

キャッピングレイヤ成膜時に島状に成長しやすい物質であっても、一様な厚みに成膜することを実現する光学素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating an optical element in which film deposition with uniform thickness is realized even in case of a material which is apt to grow insularly at the time of depositing a capping layer. - 特許庁

逆活性マスキングのような費用のかかる後処理ステップが省略される、より一様な膜の生成を促進させる化学気相成長システム及び方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a chemical vapor growth system and a chemical vapor growth method that omit a post-treatment step such as expensive inverse-active masking, and accelerate the generation of a more uniform film. - 特許庁

原水中の懸濁物質(SS)を除去するため、一様で平均化した粒径のSSと砂を結合した高密度なフロックを成長させて、水とフロックを分離する。例文帳に追加

To separate water and floc by growing a high density floc binding a suspended substance(SS) and sand and having uniform and averaged particle size in order to remove the SS in raw water. - 特許庁

インク種ごとの気泡成長速度の違いにより、それぞれ異なる大きさでフィルタ室44a〜44d内に滞留する気泡51は、吸引動作によって一様に排出される。例文帳に追加

Bubbles 51 remaining in the filter chambers 44a-44d by different sizes due to a difference in growth speed of bubbles by every ink type are discharged uniformly by the suction operation. - 特許庁

インク種ごとの気泡成長速度の違いにより、それぞれ異なる大きさでフィルタ室44a〜44d内に滞留する気泡51は、吸引動作によって一様に排出される。例文帳に追加

The bubbles 51 remaining in the filter chambers 44a-44d by different sizes because of a difference of growth rates of bubbles by every ink kind are discharged uniformly through the suction action. - 特許庁

3か国関税局長・長官は、2008年に起こった金融危機からの回復の兆しが世界のいくつかの地域においては見え始めたものの、経済の安定は一様ではなく、経済成長は緩慢であろうことを認識した。例文帳に追加

The Three Customs Heads recognized that a sign of recovery from financial crisis which broke out in 2008 is beginning to be seen in some parts of the world, but stabilization is uneven and economic growth is expected to be sluggish. - 財務省

これらは1つの連続面を構成するため、電鋳処理の際には、その表面における電流密度のバラつきが低減されて、電鋳の成長速度が一様になる。例文帳に追加

Since these parts constitute one continuous surface, the variation in the current density of the continuous surface is reduced at the time of electroforming treatment to uniform the growing speed of electroforming. - 特許庁

例文

電荷転送電極5を取り囲むように、スパッタ法、有機金属CVD法等の方法を用いて、膜厚が100〜200nmのタングステン等からなる遮光膜10を、一様成長させる。例文帳に追加

According to the solid state imaging device, a 100-200 mn thick, shading film 10 made of tungsten or the like is grown uniformly using a sputtering method, an organic metal CVD method, etc. so as to surround a charge transfer electrode 5. - 特許庁

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