不均質相の英語

ゴム弾性体のような、材料特性の異なる複数の材料相が分散配置されたミクロ構造を有する不均質材料の挙動をシミュレートする際、マクロ構造とミクロ構造のシミュレーション演算を整合させて効率よく行う。例文帳に追加

To efficiently perform by matching simulation operation of macro structure and micro structure when simulating the behavior of heterogeneous material having micro structure where a plurality of material phases having different material characteristic such as a rubber elastic body are dispersedly disposed. - 特許庁

プラスチック（例えばメチルメタクリレート）溶融体を液体処理剤（例えばアミン）で圧力下かつ処理剤が液状の状態である温度で短時間処理して例えばイミド化する際、不均質性、非相溶性等の望ましくない影響を抑制して均一なものを得る。例文帳に追加

To provide a plastic (such as methyl methacrylate) melt uniform and suppressed in unfavorable effects such as inhomogeneity and incompatibility when, for example, performing imidation by treating for a short-time with a liquid treatment agent (such as amine) under pressure at a temperature at which the agent is molten. - 特許庁

感光性樹脂、重合性不飽和化合物および光重合開始剤それぞれの相溶性が良く、溶液は均質系であり、保存安定性に優れ、水現像が可能であり、強固で基材への接着性が良好な光硬化物が得られる感光性組成物ならびにパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive composition containing a photosensitive resin, a polymerizable unsaturated compound and a photopolymerization initiator with good compatibility with one another, giving a homogeneous solution, excellent in shelf stability, developable with water and giving a strong photo-cured body having good adhesiveness to a substrate and to provide a pattern forming method. - 特許庁

このシリコン基板を、１０００℃以上１４００℃以下の温度で適宜時間だけ熱処理することによって、複数のボイド６，６，…を含むイオン注入遷移層３を生成し、ボイド６，６，…をＳｉＯ_2 相の不均質核として埋め込み酸化層４及び表面シリコン層５を形成する。例文帳に追加

The silicon substrate is then heat treated at 1000°C-1400°C for an appropriate time to produce an ion implantation transition layer 3 including a plurality of voids 6, 6,... which are employed as heterogeneous nuclei of SiO2 phase in the formation of a buried oxide layer 4 and a surface silicon layer 5. - 特許庁

水と水不混和性有機溶媒からなる二相系中で２０℃〜７．５℃の温度において８〜１５分間、激しく攪拌しながら不均質触媒の存在下でビスフェノールＡを臭素及び酸化体としての過酸化水素と反応させ、公知の方法により反応混合物から有機層を分離して、高品質のテトラブロモビスフェノールＡを得る製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a high-quality tetrabromobisphenol A is carried out as follows: bisphenol A is made to react with bromine and hydrogen peroxide as an oxidant in a two phase system consisting of water and water-immiscible organic solvent at 20-7.5°C for 8-15 min under vigorous stirring in the presence of a heterogeneous catalyst; and the organic layer is separated from the reaction mixture according to a known method. - 特許庁

不均質接面格子ミスマッチによる応力の散乱を改善して、ゲート電圧振幅の範囲を増加し、また、ドレーン飽和電流に、ステップアップ増加する現象を起こさせ、更に、電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅ワーキング・エリア域の高電子移動度トランジスタを形成することを課題とする。例文帳に追加

To enable a high electron mobility transistor to increase a gate voltage swing range by improving the scattering of a stress caused by a mismatched heterogeneous contact surface lattice, to cause a drain saturation current to produce a phenomenon of step-up increase, and further to generate a working area region of voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification. - 特許庁