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低ひん度導入型の英語
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英訳・英語 low frequency transduction; LFT
「低ひん度導入型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
また、中濃度領域は、高濃度領域の上層部に第1導電型不純物を導入して、高濃度領域よりも不純物濃度が低くなるようにして形成する。例文帳に追加
Moreover, the intermediate concentration region is formed by introducing the first conductivity-type impurity to the upper layer of the high concentration region, so that the impurity concentration becomes lower than the high concentration region. - 特許庁
低電圧NMOS領域LNRにおけるシリコン基板1の表面内に、N型不純物、例えばヒ素をイオン注入により比較的低濃度に導入して、エクステンション層61を形成する。例文帳に追加
An extension layer 61 is formed by introducing through implantation, N-type impurities, for instance, arsenic at a relatively low concentration into a surface of a silicon substrate 1, in a low-voltage NMOS region LNR. - 特許庁
次に、ソース−ドレイン領域3の内部に選択的にボロンをイオン注入することにより、低濃度のn型領域となるボロン導入領域2を形成する。例文帳に追加
Then boron-introduced areas 2 which become low-concentration n-type areas are formed by selectively implanting boron ions into the source-drain areas 3. - 特許庁
半導体基体11には、素子分離領域16が、所定の濃度をもって第1導電型不純物が導入された第1の選択的不純物導入領域17と、第1の選択的不純物導入領域17に比し低い所定の不純物濃度の第2導電型不純物が選択的に導入された第2の選択的不純物導入領域18とによって構成される。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 11, an element isolation region 16 comprises: a first selective impurity introduction region 17 to introduce a first conductivity type impurity of a prescribed concentration; and a second selective impurity introduction region 18 to which a second conductivity type impurity of a prescribed impurity concentration lower than the first selective impurity introduction region 17 is introduced selectively. - 特許庁
整流素子は、第1の不純物濃度で不純物が導入された第1導電型の第1半導体領域と、第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度で不純物が導入された第2導電型の第2半導体領域とを有する。例文帳に追加
The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected. - 特許庁
DMOS型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極14をマスクとしてP^+ 型ボディー拡散層15表面に低濃度N型不純物を導入してなるN^- 型のオフセット領域17を形成する。例文帳に追加
In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed. - 特許庁
生体温度よりも低温の所定温度(T)よりも低い温度では親水性であり、該所定温度よりも高い温度では疎水性となる温度応答性を有した、硫酸基が導入された1,3-β-架橋型D−グルコースを繰り返し単位とする多糖類又はその塩の徐放材を提供する。例文帳に追加
To provide releasing material for polysaccharides or their salt with 1,3-β-crosslink type D-glucose as a repeating unit introducing a sulfate group which has temperature responsiveness that is hydrophilic at a temperature lower than a prescribed temperature T lower than a living body temperature and becomes hydrophobic at a higher temperature than the prescribed temperature. - 特許庁
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「低ひん度導入型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
集光される光の損失を低減させ効率的に太陽電池の有効発電領域に導入し、且つ前記集光される光の平面的な強度分布を均一にし得る集光型太陽光発電装置を提供する。例文帳に追加
To provide a light condensing solar power generation device in which the loss of light is reduced so as to efficiently introduce the light to the effective power generation region of a solar cell and in which the planar intensity distribution of the light to be condensed is made uniform. - 特許庁
予め金型キャビティに二酸化炭素を導入し、次いで溶融した非晶性オレフィン樹脂を充填することにより、非晶性オレフィン樹脂の固化温度を低下させ、流動性を向上させて成形する。例文帳に追加
Carbon dioxide is preliminarily introduced into a mold cavity and this mold cavity is filled with a molten amorphous olefin resin not only to lower the solidifying temperature of the amorphous olefin resin but also to enhance the flowability thereof before molding the amorphous olefin resin. - 特許庁
試料導入マイクロデバイスに要求される小型化を維持しながら、試料の温度上昇の防止、動作の信頼性の確保、及び液体消費量の低減による高価な試薬への適用を実現すること。例文帳に追加
To prevent sample temperatures from rising, secure operational reliability, and achieve application to expensive reagents by reducing the consumption of liquid, while maintaining compactness required by a sample inlet microdevice. - 特許庁
本発明は、導入線となるリード部材に対して同軸に接合することが容易で、エミッター層を設けることなく、冷陰極蛍光ランプの低消費電力、高輝度、長寿命を図ることのできる冷陰極型の電極を提供する。例文帳に追加
To provide a cold-cathode electrode which is easily jointed coaxially with a lead member of a lead-in wire and capable of achieving a cold-cathode fluorescent lamp with low power consumption, high luminance and long lifetime, without providing an emitter layer. - 特許庁
上部電極に取り付けたガス供給用シャワーノズルの構造を変えて成膜速度の低いところに集中的に成膜ガスを導入して成膜速度の面内均ー性が向上する平行平板型プラズマ処理装置及び方法を提供する。例文帳に追加
To provide a parallel plate plasma treatment device, which can improve the in-plane uniformity of a film-forming speed by concentrically introducing a film forming gas to 8 spot, where the film forming speed is slow by changing the structures of gas supplying shower nozzles attached to an upper electrode, and to provide a method of plasma treatment. - 特許庁
裏面照射型固体撮像素子のフォトダイオード8裏面に光導波領域を設けることにより、固体撮像素子において裏面照射型で光を導入する開口を大きく取ることで感度向上を図り、光導波領域構造を取ることにより混色を低減することができる。例文帳に追加
In the back irradiation type solid-state imaging element, the sensitivity is enhanced by making large an opening for introducing light by a back irradiation type by providing a light guide region on a back surface of a photodiode 8 of the back irradiation type solid-state imaging element, and the color mixing is reduced by adopting a light guide region structure. - 特許庁
センサ感度の低下を確実に阻止することができるリングユニットを組み込んだフラックスゲートセンサ素子と、該フラックスゲートセンサ素子を組み込んで被測定導体の導入位置の影響や外部磁界の影響を少なくし、かつ、オフセット信号の出力をなくした貫通型電流センサとの提供。例文帳に追加
To provide a flux gate sensor element incorporating a ring unit that can certainly prevent reduction of the sensor sensitivity, and a penetration type current sensor that reduces the influence of an introduction position of measured conductor and the influence of an external magnetic field by incorporating the flux gate sensor element and eliminates output of an offset signal. - 特許庁
低コストながらもアミノ基の導入率が高いアミノ基含有ポリジエンとその製造方法を提供するとともに、生体適合性や物理的強度に優れたA−B−A型ブロック共重合体とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide an amino group-containing polydiene which has a high rate of the introduction of an amino group although it is produced at low cost and a method of manufacturing the same, and to provide an A-B-A type block copolymer excellent in biocompatibility and physical hardness and a method of manufacturing the same. - 特許庁
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