依存性の注入の英語

サイトメガロウイルス由来のプロモーター下流に電位依存性カルシウムチャネルβサブユニットを挿入し、マウス受精卵前核に前記外来性遺伝子を注入し、全身性に同遺伝子を発現するマウス系列を確立した。例文帳に追加

This mouse series expressing a gene of the potential dependent calcium channel β-subunit systemically is established by inserting the potential dependent calcium channel β-subunit in the downstream of a promotor derived from Cytomegalovirus and injecting the foreign gene into the pronucleus of embryo of the mouse. - 特許庁

こうしてイオン注入抵抗Ｒ３のシート抵抗値を調整することによって、Ｖｃｃの変化に対する基準電流Ｉｏの変化率を調整し、ｇｍのＶｃｃに対する依存性を一層小さくし、汎用性を拡大することができる。例文帳に追加

Thus, the adjustment of a sheet resistance of the ion injection resistor R3 adjusts the rate of change of the ion injection current Io to the change of Vcc and more reduces Vcc dependence of gm so that the said versatility can be increased. - 特許庁

低消費電力で、視野角依存性のない新規な表示素子を提供すること、また電解質を両電極間に注入することなく、製造プロセス上、非常に簡易な素子を提供すること、またシート状のフレキシブルな表示デバイスを実現するための表示素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a display element which has low power consumption, and which has no dependency in the angle of view and which is of new and, moreover, whose manufacturing process is very simple because it is unnecessary to pour an electrolyte between both electrodes and, also, which is suitable to realize a sheet-shaped flexible display device. - 特許庁

半導体基板１１，２１の所定領域に、トランジスタのソース／ドレイン接合を形成するためのイオン注入Ｓ／Ｄ ＩＭＰを行うステップと、半導体基板１１，２１上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース／ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入ＣＯ ＩＭＰを行うステップとを含む。例文帳に追加

A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21. - 特許庁

イレースランプ等の部品点数の増加や、感光体ドラムの材料特性の選択などに依存することなく、帯電ゴーストや像担持体への電荷注入性に対応することができ、装置のコストダウンやシステム全体の設計のラチチュードを広くすることが可能な画像形成装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus which can cope with electrostatic charge ghosts and electric charge injection to an image carrier, without increasing the number of parts of erase lamp etc., or without depending on the selection etc., of the material characteristics of a photoreceptor drum, and with which the cost reduction for the apparatus and widening of the design latitude over the entire part of the system are made possible. - 特許庁

各トランジスタへ印加されるゲート電圧は、ゲート−ソース電圧を一定に維持するためにソース電圧と共に「フロート」することが可能であり、且つ該抵抗構成体は、ノイズの注入を回避するために必要とされるリフレッシュ周波数を低下させながら、より大きな範囲のバイアス動作と共に、改善した電圧依存性抵抗（値）の線形性を提供する。例文帳に追加

The gate voltage applied to each transistor can float together with the source voltage, so as to keep the gate-source voltage constant, and besides that resistance constituting body provides the improve linearity of resistance (value) dependent upon the voltage together with bias action in a larger range while lowering the refresh frequency required for avoiding the penetration of noise. - 特許庁

閾値電圧の違いによりデータが記憶される不揮発性メモリにおいて、記憶データに依存して電荷が注入されるコア側のセルトランジスタＣ−ＭＣと、コア側のセルトランジスタからデータを読み出すときに基準レベルを供給するレファレンス側のセルトランジスタＲＡ−ＭＣ、ＲＢ−ＭＣとを有する。例文帳に追加

The nonvolatile memory in which data is stored depending of a difference in threshold voltage has the core-side cell transistor C-MC to which an electric charge is injected depending on stored data and the reference-side cell transistors RA-MC and RB-MC supplying a reference level when reading data from the core-side cell transistor. - 特許庁