単移動格子の英語

比較的単純な積層構造にもかかわらず、電子の移動度を高めるのに十分な格子歪みを有し、かつ、結晶欠陥の少ないＳｉ層を有する半導体ウェーハを簡便な製造プロセスにより製造することのできる半導体ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor wafer which can manufacture a semiconductor wafer by a simple manufacturing process which wafer has lattice strain sufficient to improve mobility of electrons in spite of comparatively simple lamination structure and is provided with an Si layer having little crystal defect. - 特許庁

静電タッチスイッチを格子状に隣接して配列し、いずれかの静電タッチスイッチをタッチした後にリリースする単発押し操作と複数の静電タッチスイッチに亘ってタッチ位置をスライド移動するスライダ操作とを識別する操作識別部を設ける。例文帳に追加

Electrostatic touch switches are adjacently arrayed in a grid shape and an operation identification part is provided to identify the single push operation of touching any one of the electrostatic touch switches and then releasing it and the slider operation of sliding and moving a touch position over the plurality of electrostatic touch switches. - 特許庁

第１演算手段３４は，結晶方位行列に基づいて，複数の双晶成分の実空間単位格子を求めて，それを回転，拡大・縮小，平行移動の各操作が可能なように立体的に表示するための表示データを作成する。例文帳に追加

A first arithmetic means 34 calculates the actual space unit lattices of a plurality of the twin crystal components on the basis of a crystal orientation matrix to form display data for three-dimensionally display them so as to enable the respective operations of the rotation, magnification/contraction and parallel movement of them. - 特許庁

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。例文帳に追加

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position. - 特許庁

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁