一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、特定の四座配位子パラジウム含窒素ヘテロ環錯体を有機層に含有する有機電界発光素子。例文帳に追加

The organic electroluminescence element having an organic layer between a pair of electrodes contains a specific quadridentate ligand palladium-containing-nitrogen hetero ring complex in the organic layer. - 特許庁

収差付加素子９は、対物レンズ８と光検出器１１との間に設けられ、ビームガイド層からの反射光に四つ葉収差を付加する。例文帳に追加

An aberration adding element 9 is provided between the objective lens 8 and the optical detector 11 and adds four-leaf aberration to the reflected light from the beam guide layer. - 特許庁

有機ＥＬ素子１６は素子形成領域に陽極Ｐｃ、絶縁膜Ｉ、有機ＥＬ層及び陰極を積層して構成し、絶縁膜Ｉの四隅に髭状の機能液引込み突起Ｉｐを素子形成領域の中央に向かって突出形成する。例文帳に追加

An organic EL element 16 is composed by laminating an anode Pc, an insulation membrane I, an organic EL layer, and a cathode in an element formation region, and formed by protruding a functional liquid-drawing-in protrusion Ip of a bearded needle shape in four corners of the insulation membrane I toward the center of the element formation region. - 特許庁

第四のポリシリコン層は、電源線として使用される領域の不純物の濃度を高抵抗負荷素子として使用される領域の不純物の濃度より高くなるように制御して不純物注入を行うことにより、第四のポリシリコン層を電源線と高抵抗負荷素子とに区分する。例文帳に追加

The fourth polysilicon layer controls the impurity concentration of the area used as a power line so that it may be higher than the impurity concentration of the area used as a high-resistance load element, and injects impurities, thereby dividing the fourth polysilicon layer into the power line and the high-resistance load element. - 特許庁

実施形態に係る半導体素子１００は、四角のプレート状に形成され、第１主面に設けられた素子部５を有する半導体素子本体２と、前記半導体素子本体２の第２主面と１つの側面２Ｃのみと、または、前記半導体素子本体２の第２主面と２つの側面２Ｃのみとを覆って設けられた絶縁性接着層１３と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor element 100 according to an embodiment includes: a semiconductor element body 2 formed in a rectangular plate shape and having an element part 5 provided on a first principal surface; and an insulative adhesion layer 13 provided to cover a second principal surface and only one lateral face 2C of the semiconductor element body 2, or the second principal surface and only two lateral faces 2C of the semiconductor element body 2. - 特許庁

発熱素子31が形成されているチップ基板30の全面にネガタイプの第1の隔壁部材32を積層し、マスク露光して、発熱素子31を四方から取り囲むピット部分に非露光部32−2、その他の部分に露光部32−1を形成する。例文帳に追加

A first negative type barrier wall member 32 is laid on the entire surface of a chip substrate 30 on which heating elements 31 are formed and subjected to mask exposure thus forming unexposed parts 32-2 at the pit parts surrounding the heating elements 31 from four ways and exposed parts 32-1 at other parts. - 特許庁

一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される部分構造を含む、四座配位子の白金錯体化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。例文帳に追加

The organic electroluminescent element has at least an organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes, wherein the organic layer contains at least one kind of platinum complex compound of quadridentate ligand including a partial structure expressed by a general formula (I). - 特許庁

液晶装置を構成するＴＦＴ基板１０には、回路素子層１１、第四層間絶縁膜４４、画素電極３７、配向膜４６がこの順に積層されている。例文帳に追加

On a TFT substrate 10 constituting the liquid crystal device, a circuit element layer 11, a fourth interlayer insulation film 44, a pixel electrode 37 and an alignment film 37 are piled up in this order. - 特許庁

積層位相差光学素子１０は、透過する光に四分の一波長分の位相差を与えるλ／４位相差層１４と、負のＣプレートとして作用するＣプレート型位相差層１６とを備えている。例文帳に追加

The stacked phase differential optical element 10 is provided with a λ/4 retardation layer 14 for giving a quarter-wave phase difference to light transmitted therein and a C plate type retardation layer 16 for acting as a negative C plate. - 特許庁

素子本体部２は、積層方向Ｙに対向する２つの辺部２１と、積層方向Ｙに直交する方向に対向する２つの辺部２１と、辺部２１同士の間にある４つの角部２２とを有する略四角形状である。例文帳に追加

The element body part 2 having an almost quadrangular shape includes: two side parts 21 faced to a direction Y of lamination; two side parts 21 faced to a direction which is orthogonally intersecting the direction Y of lamination; and four corner parts 22 arranged between the mutual side parts 21. - 特許庁

発光手段は、鏡面反射する電極、有機EL層、透明電極を積層して形成される発光素子の上方に、螺旋構造をもつ光学活性な媒質、四分の一波長板、直線偏光板とを有する構成とする。例文帳に追加

A light emitting means is composed by providing an optically active medium having a spiral structure, a quarter-wave plate and a linear polarizing plate above the light emitting element formed by stacking an electrode for reflecting light like a mirror-finished surface, an organic EL layer and a transparent electrode. - 特許庁

導電性スペーサ配置工程では、コンデンサ素子１０の陰極部１２となる素子のカーボンペースト層１２Ｂの上面上において、仮想的な四角形の角部に相当する位置に略円形状に導電性スペーサ８２がそれぞれ設けられる。例文帳に追加

In a conductive spacer arrangement process, substantially circular conductive spacers 82 are respectively arranged at positions corresponding to corners of a virtual square on the upper surface of the carbon paste layer 12B of the element to be the cathode 12 of the capacitor element 10. - 特許庁

本発明の光電変換素子は、色素が吸着された半導体層を有する半導体層電極と、対電極と、両者間の電荷輸送を行う電解質層とを有する光電変換素子において、前記電解質層中に四級化していないイミダゾール環を有する有機化合物が含有されていることを特徴とする。例文帳に追加

This photoelectric conversion element has: a semiconductor layer electrode having a semiconductor layer to which a coloring matter is adsorbed; a counter electrode; and an electrolyte layer for transporting charges between both electrodes, and an organic compound having imidazole ring which is not quaternarized, is contained in the electrolyte layer. - 特許庁

シートを積層してなる素体１０に四つのコンデンサ等の電気的素子を内蔵し、素体１０の表面に外部電極１３ａ、１３ｂを配置したチップ型多連電子部品。例文帳に追加

The multiple electronic chip parts are constituted by incorporating four electric elements, such as capacitors, etc., in an elemental body 10 formed by laminating sheets upon another and arranging the external electrodes 13a and 13b on the surface of the body 10. - 特許庁

半導体素子３０１は、基板１と、基板１上に複数のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の層が積層された四角錐台状のメサ１５と、メサ１５の上面及び側面を覆うＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のパッシベーション層７と、を備える。例文帳に追加

A semiconductor element 301 comprises a substrate 1, a truncated quadrangular pyramid-shaped mesa 15 in which a plurality of III-V compound semiconductor layers are laminated on the substrate 1 and a passivation layer 7 of a III-V compound semiconductor covering a top face and lateral faces of the mesa 15. - 特許庁

絶縁基板の表面に半導体素子が半田層で固定され、絶縁基板の裏面がベース板に半田層で固定された半導体装置が、絶縁基板の裏面の少なくとも四隅に、絶縁基板とベース板との間に配置されてその間隔を略一定に保つスペーサを備える。例文帳に追加

In the semiconductor device where the semiconductor element is fixed to a surface of the insulating substrate in the solder layer and a rear face of the insulating substrate is fixed to the base plate in the solder layer, spacers which are arranged between the insulating substrate and the base plate and which keep an interval to be constant are arranged at least in four corners of the rear face of the insulating substrate. - 特許庁

また、半導体素子１１の実装部を被覆・封止する樹脂モールド層１３においては、四隅部に、バンプの直径とほぼ等しい辺の方形底面を有する四角柱状の切欠部１３ａが形成されており、最外周のコーナー部に配置されたはんだバンプ１４ａの上方では、配線基板上に樹脂モールド層が設けられていない構造となっている。例文帳に追加

The molded resin layer 13 is not provided on the wiring substrate above the bumps 14 positioned to the outermost peripheral corner sections. - 特許庁

この角速度センサは、圧電体２ａの対向される側面に配置されている電極２ｂ，２ｃ、及び電極２ｄからなる圧電素子２と、基体３ａの２面に亘り一体にされて配設されている電極３ｂ，３ｃ，３ｄからなる基体素子３とを積層してなる略四角柱状の振動子１を備える。例文帳に追加

The angular velocity sensor has a vibrator 1 of a nearly quadrangular prism obtained by layering a piezoelectric element 2 comprising electrodes 2b and 2c arranged at confronting side faces of a piezoelectric body 2a and an electrode 2d, and a base element 3 comprising electrodes 3b and 3c and 3d integrally formed to two faces of a base 3a. - 特許庁

偏光分離素子２は、光入射面２ａおよび光射出面２ｂに４５°角度を成す複数の斜面で順次貼り合わされた断面形状が略平行四辺形の柱状のガラス材２１と、複数の斜面に交互に設けられた偏光分離膜２２およびエアギャップ層２３を含み構成される。例文帳に追加

The polarization separation element 2 comprises columnar glass materials 21 of approximately parallelogrammic cross section sequentially stuck at a plurality of inclined faces forming 45° with respect to the light incident face 2a and the light emitting face 2b, and polarization separation films 22 and air gap layers 23 alternately provided at the plurality of inclined faces. - 特許庁

二酸化珪素、アルミナ、酸化クロム、二酸化三クロム、三酸化クロム、二酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、二酸化ニオブ、五酸化二ニオブ、二酸化モリブデン、二酸化ルテニウム、三酸化ルテニウム、四酸化ルテニウム、三酸化二ロジウム及び二酸化ロジウムのうち少なくともいずれか１つを含有する保護層３０を最表層に備えることで、投影露光装置内において極端紫外線が照射されても光学素子５０表面での酸化反応を抑制することができる。例文帳に追加

Even if extreme ultraviolet ray is irradiated in a projection aligner, the oxidizing reaction on the surface of an optical element 50 is suppressed. - 特許庁

液晶表示素子は、第二波長帯域を選択反射する第三液晶と、第一波長帯域及び第二波長帯域とは異なる第三波長帯域を選択反射し、駆動に要する閾値電圧が第三液晶とは異なる第四液晶とが、画素単位で配置される同一の電極に接して形成される第二液晶層を有する。例文帳に追加

The liquid crystal display element has a second liquid crystal layer formed to be brought into contact with the same electrode keeping a third liquid crystal for selecting and reflecting a second wavelength band, and a fourth liquid crystal for selecting and reflecting a third wavelength band different from the first wavelength band and the second wavelength band, and allowing a threshold voltage required for drive to differ from the third liquid crystal arranged in a pixel unit. - 特許庁