逆回復特性に優れ、順方向電圧が低く、逆方向リーク電流が小さい電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device that is excellent in reverse recovery characteristics and has a low forward voltage and a small reverse leakage current. - 特許庁

高耐圧で且つ順方向電圧降下が低く抑えられ、逆回復時間が速い半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a high-voltage semiconductor device that suppresses a forward voltage drop and has a fast reverse recovery time. - 特許庁

そうすれば、順方向電圧および逆回復動作時のエネルギー損失量を増大させることなく、かつ、電圧発振を抑制することができる。例文帳に追加

Therefore, the increase of forward voltage and energy loss at the time of the reverse restoring operation can be prevented, and the voltage oscillation can be suppressed. - 特許庁

バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置例文帳に追加

BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR RECOVERING FORWARD VOLTAGE THEREOF, AND METHOD FOR REDUCING STACKING FAULT - 特許庁

双方向スイッチに対する指令値のパルス幅が短くなった時に、ダイオードが順回復から直ちに逆回復するのを回避してスパイク電圧の発生を防ぎ、スイッチング素子の過電圧破壊を防止する。例文帳に追加

To prevent the generation of a spike voltage by making a diode avoid changing immediately from forward recovery to reverse recovery when the pulse width of an instruction value to a two-way switch is narrowed, and thereby to prevent a destruction of a switching element by an overvoltage. - 特許庁

順方向電圧降下とそのばらつきの低減を図り、順方向電圧降下と逆回復損失のトレードオフの改善を図り、ソフトリカバリー化を図る。例文帳に追加

To reduce a forward voltage drop and its variation, to improve the trade-off of the forward voltage drop and reverse recovery loss, and to make a current softly recovered. - 特許庁

小電流動作からの逆方向動作時の逆回復電流をソフトリカバリにすると共に、大電流動作時の低順方向電圧を得ることができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a reverse recovery current at the time of an opposite direction operation from a small current operation is made into soft recovery, and a low forward voltage at the time of a high current operation can be obtained. - 特許庁

逆回復時間がより短く順方向電圧降下がより低く逆方向リーク電流が少なく低ノイズで逆耐圧の高いＪＢＳを安価に具現化する。例文帳に追加

To provide a JBS having a short reverse recovery time, a low forward voltage drop, a small reverse leakage current, a low noise, and a high reverse breakdown voltage, at a low cost. - 特許庁

ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a MPS structure or a JBS structure, capable of maintaining both of low forward drop voltage VF and high reverse breakdown voltage VR, and having short reverse recovery time trr and low reverse leakage current IR. - 特許庁

逆耐圧を低下させることなく、また、ライフタイムキラーを導入せずにアノードｐ層からのキャリア注入量を抑え、さらに順方向電圧を上昇させずに半導体装置の逆回復破壊耐量を向上させる。例文帳に追加

To restrain a carrier injection amount from an anode p-layer without degrading reverse voltage or introducing a lifetime killer, and to improve the reverse recovery breakdown strength of a semiconductor device without increasing forward voltage. - 特許庁

したがって、高性能の順方向誤り訂正に必要な大きいブロックサイズを使用すると同時に、エラーを回復できないとき全体ブロックを再送するのに必要な待ち時間を最小にできる。例文帳に追加

A large block size required for high performance forward error correction may therefore be used while at the same time minimizing latencies associated with the need to resend entire blocks when errors cannot be recovered. - 特許庁

電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を３５０℃以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。例文帳に追加

The stacking fault area is enlarged by current energization and the silicon carbide bipolar semiconductor device of the increased forward voltage is heated at a temperature of 350°C or more to recover stacking faults. - 特許庁

従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間ｔｒｒ短縮のためにｐ型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧ＶＦを低減することができる。例文帳に追加

Hence, conductivity modulation effect is enhanced, and as a result, forward voltage VF can be reduced, even in a configuration in which impurity concentration of a p-type impurity region is reduced for the purpose of shortening the time of reverse recovery ttr. - 特許庁

したがって、高性能の順方向誤り訂正に必要な大きいブロックサイズを使用すると同時に、エラーを回復できないとき全体ブロックを再送するのに必要な待ち時間を最小にできる。例文帳に追加

A large block size required for high performance forward error correction may therefore be used while at the same time latency associated with the need to resend entire blocks when errors cannot be recovered may be minimized. - 特許庁

逆方向阻止時の漏れ電流が少なくかつ絶縁破壊電圧が高く、順方向導通時のオン抵抗が小さくかつ出力電流が大きく、遮断時の逆回復時間が短く、さらにはせん頭サージ電流値が高い半導体素子を、提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element in which the leak current level is low and the breakdown voltage is high during reverse blocking, on resistance is low and the output current is large during forward conduction, reverse recovery time is short at the time of interruption, and the peak surge current level is high. - 特許庁

従来のショットキーバリアダイオードやＰｉＮダイオード等の半導体装置と比べてキャリア注入特性を改善することができ、その結果、順方向電圧降下（Ｖｆ）と逆回復電荷（Ｑｒｒ）との間のトレードオフを改善することができる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that enables carrier injection characteristics to be improved as compared with conventional semiconductor devices, such as Schottky barrier diodes and PiN diodes, and consequently, enables improvement in tradeoff between forward voltage drop (Vf) and reverse recovery charge (Qrr). - 特許庁

放電体にパルス電圧が印加されるとキックバックが発生し、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードが順方向にバイアスされ、ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードが逆導通した後に逆回復し、トランスの２次側巻線に付随パルス電圧が出力される。例文帳に追加

When the pulse voltage is applied to a discharger, a kickback occurs to bias a parasitic diode of the MOSFET forward, and the parasitic diode of the MOSFET conducts reversely and then recovers reversely to output an accompanying pulse voltage to the secondary winding of the transformer. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reducing a stacking fault area enlarged by current energization and recovering an increased forward voltage of a silicon carbide bipolar semiconductor device, in the bipolar semiconductor device in which electrons are recoupled to holes upon energization in a silicon carbide epitaxial film grown from a surface of a silicon carbide monocrystal substrate. - 特許庁

逆流阻止用ダイオード６の逆回復電流を低減するためのインダクタにより、スイッチ素子３のオフ時に発生するサージエネルギーを、スイッチ素子３に並列接続されたキャリアライフタイムの長い電荷蓄積型ダイオード９の順方向導通を通してコンデンサ１０に一旦蓄え、その逆方向導通期間に前記サージエネルギーを負荷に戻すことを特徴とする力率改善型電源回路。例文帳に追加

This power factor improving power supply circuit once stores surge energy generated at a switch element 3 off time in a capacitor 10 through the forward conduction of a charge storage type diode 9 having a long carrier lifetime, connected in parallel with the switch element 3 by an inductor for reducing the reverse recovery current of the reverse-current blocking diode 6, and returns the surge energy to a load during its reverse conduction period. - 特許庁