BL-Rとは 意味・読み方・使い方

The nonvolatile semiconductor memory device includes: word lines WL; bit lines BL; memory cells MC each including a variable resistance element R and each arranged at each crossing part of the word lines WL and bit lines BL; and column/row control circuits 20, 30 for controlling voltages applied to the memory cells MC.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ワード線ＷＬと、ビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬの各交差部に配置され可変抵抗素子Ｒを含むメモリセルＭＣと、メモリセルＭＣに印加する電圧を制御するカラム／ロウ制御回路２０、３０とを備える。 - 特許庁

The coloring material supply part 11 is provided with a first - a fourth adjusting valves 26, 27, 28, and 29 to increase and decrease supply of the first - the fourth coloring materials B, R, Y, and BL to the mixing tank 23.例文帳に追加

着色材供給部１１は第１ないし第４の着色材Ｂ，Ｒ，Ｙ，ＢＬの混合槽２３への供給量を増減する第１ないし第４の調整バルブ２６，２７，２８，２９を備えている。 - 特許庁

Displays W and BL of white reference and black reference are respectively provided in the direction of crossing band-shaped displays W, Y, Cy, G, Mg, R and B respectively adjacently to the band-shaped displays W, Y, Cy, G, Mg, R and B formed by sequentially starting an RGB signal entirely or partially to a predetermined signal level.例文帳に追加

本発明は、ＲＧＢ信号の全て及び一部を所定の信号レベルに順次立ち上げて形成される帯状の表示Ｗ、Ｙ、Ｃｙ、Ｇ、Ｍｇ、Ｒ、Ｂにそれぞれ隣接して、これら帯状の表示Ｗ、Ｙ、Ｃｙ、Ｇ、Ｍｇ、Ｒ、Ｂを横切る方向に、白基準及び黒基準の表示Ｗ、ＢＬをそれぞれ設ける。 - 特許庁

In the ReRAM cell M, a first electrode 1, a first diode D1, a resistor R, a second diode D2, and a second electrode 2 are connected in series in this order in a direction from the bit line BL to the word line WL.例文帳に追加

そして、ＲｅＲＡＭセルＭは、第１電極１、第１ダイオードＤ１、抵抗素子Ｒ、第２ダイオードＤ２、第２電極２の順番に、ビット線ＢＬからワード線ＷＬ方向にそれらが直列的に接続されて形成されている。 - 特許庁

The semiconductor storage device further comprises a column control circuit C which is connected with one end of the bit line of the memory block 2 and drives selectively the bit lines BL, and a row control circuit R which is connected with one end of the word line of the memory block 2 and drives selectively the word lines WL.例文帳に追加

メモリブロック２のビット線ＢＬの一端が接続され、ビット線ＢＬを選択駆動するカラム系制御回路Ｃと、メモリブロック２のワード線ＷＬの一端が接続され、ワード線ＷＬを選択駆動するロウ系制御回路Ｒとを備える。 - 特許庁

Low band color signals GL, BL, RL wherein the 576 effective scan lines is provided through conversion of the number of scan lines at the C2 process circuits 28G, 28B, and 28R are inputted in a C3 process circuit 29, and generate brightness signal Y2, color-difference signals B-Y2 and R-Y2 in a matrix process.例文帳に追加

Ｃ３処理回路２９は、Ｃ２処理回路２８Ｇ、２８Ｂ、２８Ｒにおいて走査線数の変換により有効走査線５７６本とされた、低域色信号ＧＬ、ＢＬ及びＲＬが入力され、マトリクス処理により輝度信号Ｙ２と、色差信号Ｂ−Ｙ２及びＲ−Ｙ２を生成する。 - 特許庁