P 33とは 意味・読み方・使い方

In the molding apparatus (1), a frame (33) that is positioned around a mold (32) and is movable relative to the mold is contacted with a thermoplastic resin (P) extruded from an extruding machine (12) in a sheet form, and the frame 33 is moved in such a manner that the thermoplastic resin (P) is sagged downward while making contact with the frame (33).例文帳に追加

本実施形態の成形装置（1）は、押出装置（12）からシート状に押し出した熱可塑性樹脂（P）に金型（32）の周囲に位置して当該金型に対して移動可能な型枠（33）を接触させ、熱可塑性樹脂（P）が型枠（33）に接触しながら下方に垂下するように型枠（33）を移動する。 - 特許庁

A p-side electrode 33 is connected to this region of the left end part.例文帳に追加

この左端部の領域にはｐ側電極３３が接続されている。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The p+ type impurity region 33 has a higher impurity concentration than the p-type well 29 and the p+ type impurity region 33 is formed shallower than the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

In a second in-plane direction DR2, p^- semiconductor layer 2 includes conductive parts 21 to 23, and the p^+ semiconductor layer 3 includes conductive parts 31 to 33.例文帳に追加

第２の面内方向ＤＲ２において、ｐ^−半導体層２は導電部２１〜２３を含み、ｐ^＋半導体層３は、導電部３１〜３３を含む。 - 特許庁

The gate protection diode 30 includes a first p-type region 31, an n-type region 32, and a second p-type region 33.例文帳に追加

ゲート保護ダイオード３０は、第１のｐ型領域３１とｎ型領域３２と第２のｐ型領域３３とを含む。 - 特許庁