| 意味 | 例文 (53件) |
SBtとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 エス‐ビー‐ティー
遺伝子名称シソーラスでの「SBt」の意味 |
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sbt
| fly | 遺伝子名 | sbt |
| 同義語（エイリアス） | nuclear export factor 1; NXF1; PABPr; shorter-bristles; CT4634; sbt: shorter bristles; Protein tip-associating; dTap; Nuclear RNA export factor 1; DmNXF1; Protein small bristles; CG1664; small bristles; CG17335; sbr; l(1)9Fd; nxf1; l(1)G1; locus 1; l(1)ts403 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9U1H9 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:43944 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0003321 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「SBt」を含む例文一覧
該当件数 : 53件
To provide a ferroelectric memory material having a basic composition of SrBi_2Ta_2O_9(SBT) and exhibiting a high polarization moment within a working temperature range.例文帳に追加
SrBi_2Ta_2O_9(SBT)を基本組成として、使用温度範囲において高い分極モーメントを有する強誘電体メモリ材料を提供すること。 - 特許庁
SBT FERROELECTRIC SUBSTANCE THIN FILM CAPACITOR AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加
ＳＢＴ強誘電体薄膜キャパシタ及びその作製方法 - 特許庁
SBT FERROELECTRIC THIN FILM, COMPOSITION FOR FORMING THE SAME, AND PRODUCING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
ＳＢＴ強誘電体薄膜、その形成用組成物及び形成方法 - 特許庁
In this case, the ferroelectric capacitor 10 is formed on the lower SBT film.例文帳に追加
この場合、強誘電体キャパシタ１０は下部ＳＢＴ膜上に形成される。 - 特許庁
This on-vehicle display device has the substrate SBT built in the device body, connectors CN1, CN2 for electrical connection fixed on the substrate SBT and earth members SPE1, SPE2 formed in a disc spring to connect the substrate SBT to a reference potential, and the earth members SPE1, SPE2 are held between the connectors CN1, CN2 and the substrate SBT.例文帳に追加
装置本体に内蔵された基板ＳＢＴと、基板ＳＢＴ上に固定された電気的接続のためのコネクタＣＮ１，ＣＮ２と、基板ＳＢＴを基準電位に接続するための板ばね状に形成されたアース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２とを、有し、アース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２は、コネクタＣＮ１，ＣＮ２と基板ＳＢＴとの間に挟持されている。 - 特許庁
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a safe hit
「SBt」を含む例文一覧
該当件数 : 53件
To lower a crystallization temperature of a SBT(Sr, Bi, Ta) ferroelectric thin film and further improve morphology.例文帳に追加
ＳＢＴ強誘電体薄膜の結晶化温度を低下させると共に、モフォロジーを改善する。 - 特許庁
The method may additionally include a process which forms a lower SBT film on the ground film 8.例文帳に追加
下地膜８上に下部ＳＢＴ膜を形成する工程を更に具備してもよい。 - 特許庁
The semiconductor memory has lower electrodes 5 having a substantially L-shaped cross section, SBT films 6 formed on the lower electrodes 5 and upper electrodes 7 formed on the SBT films 6.例文帳に追加
この半導体メモリは、実質的にＬ字形状の断面を有する下部電極５と、下部電極５上に形成されたＳＢＴ膜６と、ＳＢＴ膜６上に形成された上部電極７とを備えている。 - 特許庁
To provide a solution for forming a bismuth strontium tantalate (SBT) thin film capable of forming the SBT thin film being formed at 750°C or lower and having a large residual polarization value.例文帳に追加
薄膜形成温度が７５０℃以下であり、かつ残留分極値が大きいＳＢＴ薄膜が得られるタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜形成用溶液を提供する。 - 特許庁
Consequently, a region on the substrate SBT necessary for setting of the connectors CN1, CN2 can be commonly used for setting of the SPE1, SPE2 and accordingly, it is possible to increase the part mounting feasible area of the substrate SBT.例文帳に追加
これによれば、コネクタＣＮ１，ＣＮ２の設置に必要な基板ＳＢＴ上の領域をアース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２の設置用に共用できるので、基板ＳＢＴの部品実装可能面積を拡大できる。 - 特許庁
The bismuth layered structural ferroelectric material including SBT(strontium bismuth tantalate), SBTN (niobium-doped SBT) or the like is analyzed by Raman spectroscopy, so that its phases can be quantitatively determined in addition to being identified.例文帳に追加
ラマン分光法によりＳＢＴ，ＳＢＴＮなどを含むビスマス層状構造強誘電体材料を分析し、相の判別のみならず定量も行なうことができる。 - 特許庁
Then in an oxygen atmosphere, an SBT thin film 102 (substrate 101) of fluoride structure is heated to about 800°C, so that an SBT thin film 103 of aurivillus structure, oriented in <115> direction, is formed on the substrate 101.例文帳に追加
次に、酸素雰囲気中において、蛍石構造のＳＢＴ薄膜１０２（基板１０１）を８００℃程度に加熱し、基板１０１の上に、＜１１５＞方向に配向したアウリビリウス（Aurivillus）構造のＳＢＴ薄膜１０３が形成された状態とする。 - 特許庁
Also, the diffusion of the oxygen ions and their removals from the SBT thin film are markedly suppressed by the electrical coupling of holes with the oxygen ions.例文帳に追加
また、上記正孔が酸素イオンと電気的に結合して、酸素イオンの拡散および上記ＳＢＴからの離脱が著しく抑制される。 - 特許庁
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