TDrとは 意味・読み方・使い方

At this time, the current flows from the drive transistor Tdr into a feeder 17.例文帳に追加

このとき、駆動トランジスタＴdrから電流が給電線１７に流れ込む。 - 特許庁

In a compensation period, a first compensating operation for making a gate-source voltage of the driving transistor TDR gradually closer to a threshold VTH is performed by diode-connecting the driving transistor TDR for a time length t1 set variably according to a gray scale value D specified for a pixel circuit U.例文帳に追加

補償期間においては、駆動トランジスタTDRをダイオード接続することで、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を閾値電圧ＶTHに漸近させる第１の補償動作を、当該画素回路Ｕに対して指定された階調値Ｄに応じて可変に設定された時間長ｔ１にわたって実行する。 - 特許庁

The electrode a2 is connected to the gate of the drive transistor TDR.例文帳に追加

電極ａ2は駆動トランジスタＴDRのゲートに接続される。 - 特許庁

In a compensation period PCP, a first compensating operation for making a voltage VGS gradually closer to a threshold VTH is performed by supplying a reference potential VREF to a first electrode L1, and turning on and diode-connecting a driving transistor TDR.例文帳に追加

補償期間ＰCPにおいては、第１電極Ｌ１に基準電位ＶREFを供給するとともに、駆動トランジスタTDRを導通させて駆動トランジスタTDRをダイオード接続することで、電圧ＶGSを閾値電圧ＶTHに漸近させる第１補償動作を実行する。 - 特許庁

In a compensation period PCP, first compensating operation that the drive transistor TDR is conducted and then reference potential VREF is supplied to the gate of the drive transistor TDR is performed, whereby voltage between both ends of the holding capacitor C1 is made to gradually approximate to threshold voltage of the drive transistor TDR.例文帳に追加

補償期間ＰCPにおいては、駆動トランジスタＴDRを導通させたうえでゲートに基準電位ＶREFを供給することで、保持容量Ｃ1の両端間の電圧を駆動トランジスタＴDRの閾値電圧ＶTHに漸近させる第１補償動作を実行する。 - 特許庁

The unit circuit U includes a drive transistor Tdr (threshold voltage Vth_TR) which becomes a conduction state according to gate voltage Vg, an electro-optical element 11 which is driven according to the conduction state of the drive transistor Tdr and a capacitive element C interposed between a gate of the drive transistor Tdr and a voltage supply line 17.例文帳に追加

単位回路Ｕは、ゲート電圧Ｖgに応じた導通状態となる駆動トランジスタＴdr（閾値電圧Ｖth_TR）と、駆動トランジスタＴdrの導通状態に応じて駆動される電気光学素子１１と、駆動トランジスタＴdrのゲートと電圧供給線１７との間に介在する容量素子Ｃとを含む。 - 特許庁

Each of the pixel circuits U includes: a light emitting element E; a drive transistor TDR; a holding capacitor C1 disposed between the gate and the source of the drive transistor TDR; and a selection switch TSL for conducting a signal line 14 and the gate of the drive transistor TDR on selecting the scan line 12.例文帳に追加

画素回路Ｕは、発光素子Ｅおよび駆動トランジスタＴDRと、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の保持容量Ｃ1と、走査線１２の選択時に信号線１４と駆動トランジスタＴDRのゲートとを導通させる選択スイッチＴSLとを含む。 - 特許庁

Each of pixel circuits U includes a light emitting element E, a drive transistor TDR, a holding capacitor C1 disposed between a gate and source of the drive transistor TDR, a selection switch TSL and a control switch TCR1 disposed between the gate of a drive transistor TDR and a signal line 14.例文帳に追加

画素回路Ｕは、発光素子Ｅおよび駆動トランジスタＴDRと、駆動トランジスタＴDRのゲート−ソース間の保持容量Ｃ1と、駆動トランジスタＴDRのゲートと信号線１４との間の選択スイッチＴSLおよび制御スイッチＴCR1とを含む。 - 特許庁