ar ionsとは 意味・読み方・使い方

After forming a thick silicon oxide film 3 uniformly inside the trench 11, an ion-implanted damage region 31 is selectively introduced into the silicon oxide film on the side wall of the trench using shadowing by inclined ion implantation of ions such as Ar ions.例文帳に追加

トレンチ１１内に均一に厚いシリコン酸化膜３を形成させた後、Ａｒなどのイオンを斜めイオン注入によるシャドーイングを利用してトレンチ側壁のシリコン酸化膜に選択的に注入ダメージ領域３１を導入する。 - 特許庁

By implanting hydrogen ions through the buried insulating film 2, a peeling ion implantation layer 21 is formed, and further, by implanting Ar ions, etc. on the buried insulating film 2 side than the ion implantation layer 21, an amorphous layer 22 is formed.例文帳に追加

そして、埋込絶縁膜２を通じて水素イオンを注入することで剥離用のイオン注入層２１を形成すると共に、イオン注入層２１よりも埋込絶縁膜２側にＡｒイオンなどを注入することでアモルファス層２２を形成する。 - 特許庁

In this semiconductor device of SOI structure using an SOI substrate 100, a lattice strain layer 4 is formed by injecting Ar ions into a silicon substrate acting as an active layer 3.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１００を用いたＳＯＩ構造の半導体装置において、活性層３となるシリコン基板に対してＡｒイオンを注入することにより格子歪み層４を形成する。 - 特許庁

Consequently, the colliding position of Ar ions in the cathode is shifted from an actual electron emission surface of the cathode 5, and thus the actual electron emission surface of the cathode 5 is unaffected by ion bombardment.例文帳に追加

これにより、陰極でのＡｒイオンの衝突位置が陰極５の実動電子放射面からずれることとなるので、陰極５の実動電子放射面がイオンボンバードの影響を受けることがない。 - 特許庁

Since SiO_2 is employed as the material of a guide ring 9, O_2 atoms out of the SiO_2 subjected to sputter etching with Ar ions contributes to etching at the end portion of a body 6 to be etched thereby raising etching rate at the end portion.例文帳に追加

ガイドリング９の材質をＳｉＯ_2にすることにより、ＡｒイオンによりスパッタエッチングされたＳｉＯ_2のうちのＯ_2原子が被エッチング体６の端部のエッチングに寄与し、端部のエッチング速度を上げることができる。 - 特許庁

In an Ar ion implantation step, ion implantation conditions (1.0×10^14 ions/cm^2 or less, at 10 keV) are provided not for making noncrystalline but for reforming near the surface of a source/drain region 9 and the surface of a polycrystalline silicon control gate 7.例文帳に追加

Ａｒイオン注入工程において、ソース/ドレイン領域９の表面および多結晶シリコン制御ゲート７の表面付近を非晶質化しないが改質するようなイオン注入条件(１.０×１０^１４イオン数/ｃｍ^２以下、１０ｋｅＶ)とした。 - 特許庁

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁

To prevent a problem that, while thermal electrons within the range irradiated with ion beam are attracted by Ar+ ions to hit a screen (shutter), thermal electrons produced at the part of uncovered filament terminal portion reach a substrate with creeping phenomenon like reflection to lower the electri cal potential of the substrate.例文帳に追加

イオンビームの照射範囲内の熱電子はＡｒ＋イオンに引き寄せられ、遮蔽板（シャッタ）に当たることになるが、むき出しとなっているフィラメント端子部分で発生した熱電子は、反射等の回り込みなどの現象により基板まで到達し、基板の持つ電位が低下する。 - 特許庁