argon compoundとは 意味・読み方・使い方

After an antireflection film is formed on a substrate surface by vacuum vapor deposition, oxygen or argon is introduced to carry out plasma treatment, and then a stain proof layer is formed by vacuum vapor deposition of a fluorine-containing organic silicon compound.例文帳に追加

真空蒸着によって基板表面に反射防止膜を形成後、酸素もしくはアルゴンを導入してプラズマ処理を行い、その後、フッ素含有有機ケイ素化合物を真空蒸着して防汚層を形成する。 - 特許庁

The process utilizes a mixture of a volatile zinc compound, argon and/or helium as a diluent gas, carbon dioxide as an oxidant and a dopant or a reactant to deposit the desired ZnO-based TCO.例文帳に追加

前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 - 特許庁

A pressurized gas cylinder 5 is provided, and is constituted to contain a single or two or more of the gas type fire extinguishing chemicals such as argon, nitrogen, carbon dioxide and a halogen compound the same as the pressurized gas in the foam when discharging the foam by this pressurized gas.例文帳に追加

加圧ガスボンベ５を備え、この加圧ガスにより泡を放射する際に、泡の中に加圧ガスと同じアルゴン，窒素，二酸化炭素，ハロゲン化合物等のガス系消火薬剤が単独もしくは二つ以上入るように構成してなる。 - 特許庁

A method for manufacturing a compound semiconductor element is one involving a step of forming an AuSi film under a sputter gas ambiance, and the sputter gas contains an argon gas (Ar) and a nitrogen gas (N2).例文帳に追加

本発明の化合物半導体素子の製造方法は、スパッタガス雰囲気中でＡｕＳｉ膜を形成する工程を包含する化合物半導体素子の製造方法であって、該スパッタガスが、アルゴンガス（Ａｒ)と窒素ガス（Ｎ_2）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Preferably, the aftertreatment is performed at 2,150-2,400°C, the silicon source is an alkoxysilane compound, the alkoxysilane compound is at least each ethoxysilane dimer or ethoxysilane polymer, the carbon source is a phenol resin, the aftertreatment is performed in an argon atmosphere and the time of the aftertreatment is 3-8 hours.例文帳に追加

後処理が、２１５０〜２４００℃で行なわれる態様、ケイ素源が、アルコキシシラン化合物である態様、アルコキシシラン化合物が、エトキシシラン二量体及びエトキシシラン重合体の少なくともいずれかである態様、炭素源が、フェノール樹脂である態様、後処理が、アルゴン雰囲気で行なわれる態様、後処理の時間が、３〜８時間である態様等が好ましい。 - 特許庁

The gaseous metal vaporized in a heating furnace 110 is introduced with gaseous argon as the carrier into a cavity 100a of the molding tool 100 and gaseous nitrogen is introduced into the cavity 100a from a gaseous nitrogen cylinder 140, by which the reducing compound is formed within the cavity 100a.例文帳に追加

加熱炉１１０にて気化させた金属ガスをアルゴンガスをキャリアとして成型型１００のキャビティ１００ａに導入し、窒素ガスボンベ１４０からキャビティ１００ａ内に窒素ガスを導入して、キャビティ１００ａ内で還元性化合物を生成させる。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

Thereby, diffusion of a harmful NOx which is generated when the air containing nitrogen and oxygen is used as a treating gas is suppressed, and in case an expensive gas such as an inert gas like argon gas and a compound gas containing fluorine is used, cost can be suppressed by reutilization.例文帳に追加

したがって、前記処理ガスとして、窒素や酸素を含む空気などを使用した場合に発生する有害なＮＯｘの放散を抑え、アルゴンガスのような不活性ガスやフッ素を含有する化合物ガスなどの高価なガスを使用した場合には、再利用によってコストを抑制することができる。 - 特許庁