atomic distributionとは 意味・読み方・使い方

When an Si single crystal ingot is manufactured by CZ method, the concentration distribution of atomic vacancies, which are on a cross section of the Si single crystal ingot previously grown, is detected by direct observation of atomic vacancies, the obtained concentration distribution is fed back for the subsequent pulling process, and the speed profile of the subsequent pulling is adjusted.例文帳に追加

ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 - 特許庁

To improve the uniformity of in-plane film thickness distribution while avoiding a change in throughput and film quality in a film forming method using a vertical tube ALD (atomic layer deposition) device.例文帳に追加

縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。 - 特許庁

An atomic flux divergence AFDgen of each element is calculated by using the distribution and the constant (S306) of the physical property of a material being determined by an acceleration test in advance (S308).例文帳に追加

各要素の原子流束発散ＡＦＤ_genは、これらの分布と前もって加速試験により決定される材料物性の定数（Ｓ３０６）を用いることにより計算される（Ｓ３０８）。 - 特許庁

Accordingly, a window 10 formed of the material having the atomic number smaller than metal is used for the emitting port of the electron beam, whereby the distribution of an electron beam irradiation device minimized in energy loss can be realized.例文帳に追加

従って金属よりも原子番号の小さい物質からなる窓１０を電子線の出射口に用いることによりエネルギー損失の少ない電子線照射装置の提供を実現できる。 - 特許庁

To control the concentration of atomic oxygen O in a wafer-laminating direction, and equalize the film thickness distribution of an oxide film in the wafer-laminating direction at a low temperature of e.g. ≥500°C and ≤700°C.例文帳に追加

例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。 - 特許庁

To enhance measurement accuracy of an X-ray diffractometer for measuring an atomic radial distribution function and anomalous diffraction scattering X-rays, by setting the size of a slit within the range specified by this invention.例文帳に追加

スリットサイズを、本発明で指定した範囲内に設定することにより、原子動径分布関数測定用、及び、異常散乱Ｘ線回折用の、Ｘ線回折装置の測定精度を高めること。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

The atomic ratio of the fluorine and all constituents of the doped base material of the center core increases from the center of the fiber toward an end of the α distribution of the center core and reaches a maximum value within a range of 8.5×10^-3 to 57×10^-3 at the end of the α distribution of the center core.例文帳に追加

中心コアのドーピングされた母材の、フッ素と全ての構成物質との原子比率は、ファイバの中心から、中心コアのα分布の端部に向かって増加し、中心コアのα分布の端部において、８．５×１０^−３から５７×１０^−３の範囲にある最大値に達する。 - 特許庁